suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu
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gan技術資料
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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（directbandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumpedsolid-statelaser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
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查看全部12個資源 ?GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have a...
第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰
作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 ...
硅基GaN功率半導體技術總結
該文檔為硅基GaN功率半導體技術總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………...
基于GaN器件射頻功率放大電路的設計總結
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