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HCNR200,HCNR201引腳圖及內部結構圖

時間:2013-03-11      關鍵字:HCNR,200,201,引腳圖,   
HCNR200,HCNR201引腳圖及內部結構圖

HCNR200,HCNR201引腳圖及內部結構圖

HCNR200/201的引腳圖及內部框圖附圖所示.



其中1、2引作為隔離信號的輸入,3、4引腳用于反饋,5、6引腳用于輸出。1、2引腳之間的電流記作IF,3、4引腳之間和5、6引腳之間的電流分別記作IPD1和IPD2。輸入信號經過電壓-電流轉化,電壓的變化體現在電流IF上,IPD1和IPD2基本與IF成線性關系,線性系數分別記為K1和K2,即





K1與K2一般很小(HCNR200是0.50%),并且隨溫度變化較大(HCNR200的變化范圍在0.25%到0.75%之間),但芯片的設計使得K1和K2相等。在后面可以看到,在合理的外圍電路設計中,真正影響輸出/輸入比值的是二者的比值K3,線性光耦正利用這種特性才能達到滿意的線性度的。


HCNR200和HCNR201的內部結構完全相同,差別在于一些指標上。相對于HCNR200,HCNR201提供更高的線性度。


采用HCNR200/201進行隔離的一些指標如下所示:


* 線性度:HCNR200:0.25%,HCNR201:0.05%;


* 線性系數K3:HCNR200:15%,HCNR201:5%;


* 溫度系數: -65ppm/oC;


* 隔離電壓:1414V;


* 信號帶寬:直流到大于1MHz。


從上面可以看出,和普通光耦一樣,線性光耦真正隔離的是電流,要想真正隔離電壓,需要在輸出和輸出處增加運算放大器等輔助電路。



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