電力用晶閘管及SI晶閘管介紹

1 晶閘管

晶閘管是由 p 型半導體和 n 型半導體形成的四層三端硅半導體整流元件，也有四層三端以上的。代表性的晶閘管有三個電極：陽極（ A ）、陰極（ K ）和控制極（ G ）。晶閘管也稱硅可控整流元件.簡記為 SCR 。





圖 ll . 9 ( " ）為晶閘管內部的原理結構，圖（ b ）是符號圖，圖（ c ) 是結構，圖（ d ）是外觀圖。下面介紹電壓一電流特性。

(1)施加反向電壓時給 A 極施以負電壓、 K 極施以正電壓時，和硅二極管一樣，幾乎無反向電流。



(2)施加正向電壓但無控制極電流兒時圖 11 . 10 （的給出了施加正向電壓時的電壓一電流特性。電壓徐徐升高，但電流幾乎沒有，這時稱為阻斷狀態。若再進一步升高電壓，則在某一電壓（轉折電壓）時，電流急劇增加。這時為導通狀態。進入導通狀態時 A 、 K 間電壓急劇降至數 V 以內。晶閘管從阻斷狀態到導通狀態的過渡稱為擊穿（ turn 一 on ）或點燃，這時具有阻斷和導通兩個穩定狀態。



( 3 ）施加正向電壓且控制極有電流Ic時圖(b)標示出了 A 、 K 間施