場效應管的特點及主要參數
 場效應管的特點及主要參數

 3.3.1 場效應管與晶體三極管的比較

 場效應管與雙極型晶體管相比較，具有如下一些特點：

 (1) BJT輸入端的PN結為正向偏置，因而它的輸入電流較大，相應的輸入電阻數小。而JFET輸入端的PN結為反向偏置，對IGMOSFET則有絕緣層隔離，故它們的輸入電阻很大。通常JFET的輸入電阻10^8，而IGFET的輸入電阻可大于10^11～10^12。

 (2) FET是靠多子導電的器件，所以也稱為單極型器件，而BJT中，自由電子及空穴均參與工作，所以又稱為雙極型器件。由于多子濃度受溫度、光照、輻射等環境變化的影響小，所以FET特別適合于環境條件變化較大的電子設備中。

 (3) 在低壓小電流工作時，FET可作為電壓控制的可變線性電阻和導通電阻很小的無觸點開關。而BJT則無此優異特性。

 (4) FET是一種自隔離器件，制造工作簡單，特別適合于大規模與超大規模集成電路的設計與制造。從當前的發展趨勢看，在這些集成度很高的大規模與超大規模集成電路中，MOSFET已日益取代了BJT。

 (5) 從器件的結構看，FET的漏極與源極是對稱的，可以互換使用，設計時也較BJT靈活。

 特別需要指出的是在保存和使用MOSFET時要倍加留心，因為它的柵極與襯底表面之間的絕緣層很薄，當帶電體或人體接觸金屬柵時，由于會在柵極與襯底上產生感生電荷，而柵極與襯底之間的平板電容器容量又很小，所以常常這些感生電荷積累會在絕緣層上產生很高的電壓，極易導致絕緣層的擊穿而損壞管子。所以這種器件在保存時應將各電極引線短接，焊接應將電烙鐵外殼良好接地，必要時還可在管子的柵源之間接入背靠背的兩只穩壓管，以限制感生電荷在柵源之間產生的最大電壓，避免管子柵源之間因擊穿而損壞。

 3.3.2 場效應管的主要參數

 1.直流參數