VMOS功率場效應管簡介
 VMOS功率場效應管簡介

 通常提高MOS管功率容量的辦法是：采用縱向（垂直）導電溝道和大規模集成電路技術，將許多小功率MOS管的管芯并聯起來擴大電路，減小導通電阻，構成功率MOS管。

 以N溝道MOS管(NMOS)為例，介紹這種具有縱向結構的V型MOS管(VMOSFET)的結構特點。圖3.9是其結構剖面圖。它以N+型硅材料作襯底（形成漏極D），并在此基礎上依 次制作出低摻雜的N－外延層、P型區

 （導電溝道）和高摻雜的N+區（形成源 極S）。穿過N+區和P區，刻蝕成一個V 型槽，并在表面生長一層SiO2,再覆蓋一 層金屬作為柵極G。

 

 當柵極加正電壓時，在氧化膜下的P型層兩邊表面上形成導電溝道。在漏源之間加正電壓(UGS＞0)，則電子從源極通過兩個溝道，達到N－外延層，再通過N+襯底流入漏極,可見電子沿導電溝道的運動是縱向的。

 由于功率MOS管的漏區面積大，有利于散熱，且P層與N－外延層形成一反偏的PN結，它的耗盡層大多位于摻雜更輕的外延層中，因此漏極與源極之間的反向擊穿電壓較高，有利于制作成大功率器件。目前，有的功率MOS管耐壓可達1000V以上，最大連續電流200A。

 V型MOS管有開關速度高、驅動電流小、過載能力強、易于并聯等特點，但MOS管與雙極型晶體管相比，其低頻損耗大，且易受靜電破壞，所以應用時需加保護電路。