結(jié)型場效應(yīng)管(J-FET)的特性曲線
 結(jié)型場效應(yīng)管(J-FET)的特性曲線

 

 輸出特性

 

 

 

 (4) 擊穿區(qū)

 擊穿區(qū)為圖3.4(b)中最右側(cè)的部分，表示為升高到一定程度后，反向偏置的PN結(jié)被擊穿，將急劇增大，若電流過大，管子將被損壞。一般用U(BR)DS來表示它的漏源之間的擊穿電壓。使用器件時，必須保證U DS＜U(BR)DS，以防止器件進入擊穿區(qū)。一般U(BR)DS在20～50V之間，且隨UGS的增加而增加，這在使用時應(yīng)予以注意。

 對于P溝道JFET的原理和特性，它與N溝道JFET的主要差別是在于UGS及UDS所需的電壓極性，在P溝道JFET中，UGS＞0，而UDS＜0。器件的原理與特性同學(xué)們可以自行分析。