器件的伏安特性是指器件的電壓一電流轉移關系。 BJT 的伏安特性主要用來定性說明晶體管各極電流與電壓的關系，最常用的特性分為輸入特性和輸出特性兩種。這里介紹應用最廣泛的共發射極接法的輸出、輸入特性曲線。

BJT 的CE接法輸出特性

首先畫出 BJT 的 CE 測試接法示意圖如圖 1 . 5 :



圖 1 . 5 BJT 共發射極接法測試原理圖

CE 接法是指以基極和發射極作為輸入回路，發射極和集電極作為輸出回路，輸入、輸出回路公用了發射極。圖中， Eb 將為基極提供合適的偏置電壓， Ec 為集電極提供偏置電壓； Uce 指集電極與發射極之間的電壓， Ube 指基極與發射極之間的電壓。相應地， Ib 、 Ic 分別為流過基極、集電極的電流。 BIPolarity Junction Transistor(BJT) 的典型輸出特性如圖 1 . 6 :



圖 1 . 6 BJT 的典型輸出特性圖橫軸表示 BJT 的 CE 極之間電壓，圖中畫出了四條曲線，分別對應不同的基極電流?？v軸表示集電極電流。

共發射極電流放大系數B=△Ic/△Ib 。從圖中可以看出，當 Ib 減小到一定值時，不管 Uce 如何變化， Ic 趨向一個幾乎不變的常數，這時定義 BJT 進入了截止狀態，水平陰影區域表示 BJT 的截止區。當 Uce 減小到一定值時，不管 Ib 如何變化， Ic 都不會按比例增加， l 往往這時的 Uce 接近或小于 Ute ] ，這時定義 BJT 進入了飽和狀態。這兩種狀態在線性電路中都是有害的，它會破壞信號的完整性，因此應該設計正確的偏置，使 BJT 不進入這兩種狀態。在垂直和水平陰影兩區之間的區域稱為放大區，在這個區域中， Ic 正比于 Ib 。只要使 O < Ube< Ube 。［門限電壓］，就可以使 I 。＝ O 。這時的 Ib ＝-Icb 。， Ic=Ict 。Ib=-Ict 。這條曲線是截止區與放大區之間的分界線。當Ib=O 時 Ie 不一定等于。，此時的 Ie 記為 Iec 。，稱為 CE 穿透電流，硅管的穿透電流往往小于 1 微安，鍺管的為 0 . 5-1 . 5IllA ，且會隨溫度的增加而增加。另外，當 Uce 增加到一定值時， Ic 也突然增加，不受 Ib 的控制，這是因為 CE 極間發生擊穿，擊穿電壓的大小 與流過集電極的電流大小有關。 CE 擊穿很容易損壞 BJT ，因此在實際電路中也要同時考慮 Uce 的電壓范圍。