功率MOSFET的優缺點

功率MOSFET其優點是： 　　1) 開關速度快：功率MOSFET又稱VDMOS，是一種多子導電器件，參加導電的是多數載流子，沒有少子存儲現象，所以無固有存儲時間，其開關速度僅取決于極間寄生電容，故開關時間極短（小于50－100ns），因而具有更高的工作頻率（可達100KHz以上）。 　　2) 驅動功率小：功率MOSFET是一種電壓型控制器件，即通斷均由柵極電壓控制。完全開通一個功率MOSFET僅需要10－20毫微秒庫侖的電荷，例如一個1安培、10毫微秒寬的方波脈沖，完全開通一個功率MOSFET僅需要10毫微秒的時間。另外還需注意的是在特定的下降時間內關斷器件無需負柵脈沖。由于柵極與器件主體是電隔離的，因此功率增益高，所需要的驅動功率很小，驅動電路簡單。 　　3) 安全工作區域（SOA）寬：功率MOSFET無二次擊穿現象，因此其SOA較同功率的GTR雙極性晶體管大，且更穩定耐用，工作可靠性高。 　　3) 過載能力強：功率MOSFET開啟電壓（閥值電壓）一般為2－6v，因此具有很高的噪聲容限和抗干擾能力。 　　4) 并聯容易：功率MOSFET的通態電阻具有正穩定系數（即通態電阻隨結溫升高而增加），因而在多管并聯時易于均流，對擴大整機容量有利。 　　5) 功率MOSFET具有較好的線性，且對溫度不敏感。因此開環增益高，放大器級數相對可減少。 　　6) 器件參數一致性較好，批量生產離散率低。 　　功率MOSFET的缺點：導通電阻大，且隨溫度升高而增大。