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J-FET場效應管的常用參數及含義

時間:2013-03-11      關鍵字:J-FET,場效應管,參數,   
J-FET場效應管的常用參數及含義
 J-FET場效應管的常用參數及含義

 [ l ]飽和漏極電流 IdsS 。是指在 Ugs=OV, UdS>=|Up|時的漏極電流 Id 值。

 [ 2 ]夾斷電壓 Up 。是指當 UdS 固定時,使得 Id=O 時的柵源電壓值;

 [ 3 ]直流輸入電阻 RgS ,它等效于柵極直流電壓 UgS 與柵極直流電流1g之比,J-FET 的 Rgs 往往在 10e8-10el2 Ohm之間。

 [ 4 ]柵源擊穿電壓 BVgS ,指 PN 結反向電流突增時的 Ugs 值;

 [ 5 ]漏源擊穿電壓 BVdS ,是指使 PN 結發生雪崩擊穿時的 UdS 電壓值;

 [ 6 ]最大直流功耗 Pdm=Id X UdS ;

 [ 7 ]跨導 Gm ,是指 UdS 為常數時,漏極電流的交流變化量與柵源電壓的交流變化量之比:gm=△I/△Ugs

 [ 8 ]輸出電阻 RdS ,是指在線性放大區, UgS 為常數時, UdS 的交流微變量與 Id 的交流微變量之比: Rds=△Uds/△Id ;

 [ 9 ]動態導通電阻 Ron :特指在可變電阻區,當 UgS 為常數時, Uds 微變量與 Id 微變量之比: Ron=△Uds/△Ict ;

 [10 ]極間電容:J-FET 的三個電極之間的電容: CgS 、 CdS 、 Cdg

  

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