智能SD卡座規(guī)範(fàn)，智能SD卡又名SIMT卡、NFC TF卡、NFC Micro SD卡，可應(yīng)用于近場(chǎng)通訊，移動(dòng)支付領(lǐng)域，目前由銀聯(lián)主導(dǎo)推行
標(biāo)簽： SD卡
上傳時(shí)間： 2013-07-17
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逆變焊機(jī)電路圖
上傳時(shí)間： 2013-07-01
上傳用戶：onewq
文章介紹了系統(tǒng)的硬件電路原理與具體實(shí)現(xiàn)方法，其中主要包括載波恢\r\n復(fù)電路，PN 碼捕獲電路和跟蹤電路，并針對(duì)Xilinx 公司FPGA 的特點(diǎn)，對(duì)各電\r\n路的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，在不影響系統(tǒng)穩(wěn)定性和精度的前提下，減少硬件資源\r\n消耗，提高硬件利用率。設(shè)計(jì)利用Verilog 硬件描述語(yǔ)言完成，通過(guò)后仿真驗(yàn)證\r\n電路正確性，并給出綜合結(jié)果。
上傳時(shí)間： 2013-08-09
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verilog 代碼，讀寫(xiě)SDRAM 不帶仿真，需要自己編寫(xiě)測(cè)試文件
標(biāo)簽： verilog SDRAM 代碼 讀寫(xiě)
上傳時(shí)間： 2013-08-13
上傳用戶：zh_901
VHDL設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，高人手記，讓你在編寫(xiě)VHDL代碼時(shí)避免不應(yīng)用的錯(cuò)誤和修改錯(cuò)誤。
標(biāo)簽： VHDL 經(jīng)驗(yàn) 代碼 編寫(xiě)
上傳時(shí)間： 2013-08-19
上傳用戶：sammi
orcad10.5總是裝不上，最近找了個(gè)詳細(xì)的安裝說(shuō)明，包括每一步的詳細(xì)截圖，適合想安裝1.5版本的朋友使用
上傳時(shí)間： 2013-09-09
上傳用戶：kernor
protel99se的基本不限流程，有很多很重要，但大家很少用到的工具和功能！
上傳時(shí)間： 2013-09-10
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99se精彩教程.想不學(xué)會(huì)都難
上傳時(shí)間： 2013-09-10
上傳用戶：JasonC
CAM350 為PCB 設(shè)計(jì)和PCB 生產(chǎn)提供了相應(yīng)的工具（CAM350 for PCB Designers 和CAM350 for CAM Engineers），很容易地把PCB設(shè)計(jì)和PCB生產(chǎn)融合起來(lái)。CAM350 v8.7的目標(biāo)是在PCB設(shè)計(jì)和PCB制造之間架起一座橋梁隨著如今電子產(chǎn)品的朝著小體積、高速度、低價(jià)格的趨勢(shì)發(fā)展，導(dǎo)致了設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜，這就要求精確地把設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換到PCB生產(chǎn)加工中去。CAM350為您提供了從PCB設(shè)計(jì)到生產(chǎn)制程的完整流程，從PCB設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)到成功的PCB生產(chǎn)的轉(zhuǎn)化將變得高效和簡(jiǎn)化。基于PCB制造過(guò)程，CAM350為PCB設(shè)計(jì)和PCB生產(chǎn)提供了相應(yīng)的工具（CAM350 for PCB Designers和CAM350 for CAM Engineers），很容易地把PCB設(shè)計(jì)和PCB生產(chǎn)融合起來(lái)。平滑流暢地轉(zhuǎn)換完整的工程設(shè)計(jì)意圖到PCB生產(chǎn)中提高PCB設(shè)計(jì)的可生產(chǎn)性，成就成功的電子產(chǎn)品為PCB設(shè)計(jì)和制造雙方提供有價(jià)值的橋梁作用CAM350是一款獨(dú)特、功能強(qiáng)大、健全的電子工業(yè)應(yīng)用軟件。DOWNSTREAM開(kāi)發(fā)了最初的基于PCB設(shè)計(jì)平臺(tái)的CAM350，到基于整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程的CAM350并且持續(xù)下去。CAM350功能強(qiáng)大，應(yīng)用廣泛，一直以來(lái)它的信譽(yù)和性能都是無(wú)與倫比的。 CAM350PCB設(shè)計(jì)的可制造性分析和優(yōu)化工具今天的PCB 設(shè)計(jì)和制造人員始終處于一種強(qiáng)大的壓力之下，他們需要面對(duì)業(yè)界不斷縮短將產(chǎn)品推向市場(chǎng)的時(shí)間、品質(zhì)和成本開(kāi)銷(xiāo)的問(wèn)題。在48 小時(shí)，甚至在24 小時(shí)內(nèi)完成工作更是很平常的事，而產(chǎn)品的復(fù)雜程度卻在日益增加，產(chǎn)品的生命周期也越來(lái)越短，因此，設(shè)計(jì)人員和制造人員之間協(xié)同有效工作的壓力也隨之越來(lái)越大！隨著電子設(shè)備的越來(lái)越小、越來(lái)越復(fù)雜，使得致力于電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)每一個(gè)人員都需要解決批量生產(chǎn)的問(wèn)題。如果到了完成制造之后發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)失敗了，則你將錯(cuò)過(guò)推向市場(chǎng)的大好時(shí)間。所有的責(zé)任并不在于制造加工人員，而是這個(gè)項(xiàng)目的全體人員。多年的實(shí)踐已經(jīng)證明了，你需要清楚地了解到有關(guān)制造加工方面的需求是什么，有什么方面的限制，在PCB設(shè)計(jì)階段或之后的處理過(guò)程是什么。為了在制造加工階段能夠協(xié)同工作，你需要在設(shè)計(jì)和制造之間建立一個(gè)有機(jī)的聯(lián)系橋梁。你應(yīng)該始終保持清醒的頭腦，記住從一開(kāi)始，你的設(shè)計(jì)就應(yīng)該是容易制造并能夠取得成功的。CAM350 在設(shè)計(jì)領(lǐng)域是一個(gè)物有所值的制造分析工具。CAM350 能夠滿足你在制造加工方面的需求，如果你是一個(gè)設(shè)計(jì)人員，你能夠建立你的設(shè)計(jì)，將任務(wù)完成后提交給產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中的下一步工序。現(xiàn)在采用CAM350，你能夠處理面向制造方面的一些問(wèn)題，進(jìn)行一些簡(jiǎn)單地處理，但是對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是非常有效的，這就被成為"可制造性(Manufacturable)"。可制造性設(shè)計(jì)(Designing for Fabrication)使用DFF Audit，你能夠確保你的設(shè)計(jì)中不會(huì)包含任何制造規(guī)則方面的沖突(Manufacturing Rule Violations)。DFF Audit 將執(zhí)行超過(guò)80 種裸板分析檢查，包括制造、絲印、電源和地、信號(hào)層、鉆孔、阻焊等等。建立一種全新的具有藝術(shù)特征的Latium 結(jié)構(gòu)，運(yùn)行DFF Audit 僅僅需要幾分鐘的時(shí)間，并具有很高的精度。在提交PCB去加工制造之間，就能夠定位、標(biāo)識(shí)并立刻修改所有的沖突，而不是在PCB板制造加工之后。DFF Audit 將自動(dòng)地檢查酸角(acid traps)、阻焊條(soldermask slivers)、銅條(copper slivers)、殘缺熱焊盤(pán)(starved thermals)、焊錫搭橋(soldermask coverage)等等。它將能夠確保阻焊數(shù)據(jù)的產(chǎn)生是根據(jù)一定安全間距，確保沒(méi)有潛在的焊錫搭橋的條件、解決酸角(Acid Traps)的問(wèn)題，避免在任何制造車(chē)間的CAM部門(mén)產(chǎn)生加工瓶頸。
標(biāo)簽： CAM 350 使用說(shuō)明
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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