通過(guò)對(duì)二次相差法測(cè)距性能進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果表明,基于雙頻比相測(cè)距的二次相差法多篇連續(xù)波雷達(dá),只能求解速度不同的目標(biāo)的距離值,無(wú)法求解同速度不同距離目標(biāo)的距離值。
標(biāo)簽： 相差法 多頻 仿真 測(cè)距雷達(dá)
上傳時(shí)間： 2013-11-18
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粒子群算法是在遺傳算法基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新的并行優(yōu)化方法,可用于解決大量非線性、不可微和多峰值的復(fù)雜問題。與遺傳算法不同的是,粒子群算法中的粒子有記憶功能,整個(gè)搜索過(guò)程是跟隨當(dāng)前最優(yōu)粒子的過(guò)程,因此在大多數(shù)情況下,所有的粒子可能更快的收斂于最優(yōu)解。而且粒子群算法理論簡(jiǎn)單,參數(shù)少,因此其應(yīng)用更為廣泛。文中把粒子群算法用于陣列天線的波束賦形,結(jié)果表明粒子群算法在對(duì)天線形狀進(jìn)行設(shè)計(jì)方面有很好的發(fā)展前景。
上傳時(shí)間： 2013-11-14
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提出一種新的組合優(yōu)化方法。先通過(guò)遺傳算法得到一個(gè)初步的優(yōu)化結(jié)果,再用直接搜索算法進(jìn)行二次優(yōu)化,這樣既突出了遺傳算法全局尋優(yōu)的特點(diǎn),又避免了它在接近最優(yōu)解時(shí)出現(xiàn)的小幅度隨機(jī)波動(dòng)。以低副瓣平
上傳時(shí)間： 2013-12-24
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用二端口S-參數(shù)來(lái)表征差分電路的特性■ Sam Belkin差分電路結(jié)構(gòu)因其更好的增益，二階線性度，突出的抗雜散響應(yīng)以及抗躁聲性能而越來(lái)越多地被人們采用。這種電路結(jié)構(gòu)通常需要一個(gè)與單端電路相連接的界面，而這個(gè)界面常常是采用“巴倫”器件（Balun），這種巴倫器件提供了平衡結(jié)構(gòu)-到-不平衡結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換功能。要通過(guò)直接測(cè)量的方式來(lái)表征平衡電路特性的話，通常需要使用昂貴的四端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。射頻應(yīng)用工程師還需要確定幅值和相位的不平衡是如何影響差分電路性能的。遺憾的是，在射頻技術(shù)文獻(xiàn)中，很難找到一種能表征電路特性以及衡量不平衡結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生影響的好的評(píng)估方法。這篇文章的目的就是要幫助射頻應(yīng)用工程師們通過(guò)使用常規(guī)的單端二端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀來(lái)準(zhǔn)確可靠地解決作為他們?nèi)粘９ぷ鞯牟罘蛛娐诽匦缘臏y(cè)量問題。本文介紹了一些用來(lái)表征差分電路特性的實(shí)用和有效的方法， 特別是差分電壓，共模抑制（CMRR），插入損耗以及基于二端口S-參數(shù)的差分阻抗。差分和共模信號(hào)在差分電路中有兩種主要的信號(hào)類型：差分模式或差分電壓Vdiff 和共模電壓Vcm（見圖2）。它們各自的定義如下[1]：• 差分信號(hào)是施加在平衡的3 端子系統(tǒng)中未接地的兩個(gè)端子之上的• 共模信號(hào)是相等地施加在平衡放大器或其它差分器件的未接地的端子之上。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)二叉樹實(shí)現(xiàn)。
標(biāo)簽： 二叉樹 實(shí)驗(yàn)報(bào)告
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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心形流水燈C51源程序 32位流水燈
上傳時(shí)間： 2014-12-31
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電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無(wú)從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足 無(wú)法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高 備份板太多,積壓資金 送國(guó)外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長(zhǎng) 對(duì)老化零件無(wú)從查起無(wú)法預(yù)先更換 維修速度及效率無(wú)法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績(jī)效不彰
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：chengxin
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
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介紹二相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片THB6064AH及其應(yīng)用
標(biāo)簽： 6064 THB AH 步進(jìn)電機(jī)
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