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亮度調(diào)節(jié)

  • Arduino學習筆記A10_Arduino數(shù)碼管骰子實驗

    電路連接 由于數(shù)碼管品種多樣,還有共陰共陽的,下面我們使用一個數(shù)碼管段碼生成器(在文章結(jié)尾) 去解決不同數(shù)碼管的問題: 本例作者利用手頭現(xiàn)有的一位不知品牌的共陽數(shù)碼管:型號D5611 A/B,在Eagle 找了一個 類似的型號SA56-11,引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。 注意: 1. 將數(shù)碼管的a~g 段,分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數(shù)碼管未知的話,可以通過通電測量它哪個引腳對應哪個字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽。共陰的話,接220Ω電阻到電源負極;共陽的話,接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數(shù)碼管實際工作亮度與手頭現(xiàn)有原件而定,不一定需要準確。 4. 按下按鈕即停。   源代碼 由于我是按照段碼生成器默認接法接的,所以不用修改段碼生成器了,直接在段碼生成器選擇共陽極,再按“自動”生成數(shù)組就搞定。   下面是源代碼,由于偷懶不用寫循環(huán),使用了部分AVR 語句。 PORTD 這個是AVR 的端口輸出控制語句,8 位對應D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數(shù)碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表,表中十個元素由LED 段碼生成器生成,選擇了共陽極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對 應D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關(guān) } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位,即Arduino 的引腳D0~D6,這樣需要取出PORTD 最高位,即 D7的狀態(tài),與段碼相加,之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平,則在此死循環(huán),暫停LED 跑 動 } }      

    標簽: Arduino 10 數(shù)碼管 實驗

    上傳時間: 2013-10-15

    上傳用戶:baitouyu

  • 基于改進SIFT算法的圖像匹配方法研究

    SIFT算法具有旋轉(zhuǎn)、平移、尺度縮放和亮度的變化保持不變性的優(yōu)點,也有算法復雜、計算時間長的缺點。本文提出了以街區(qū)距離代替歐式距離的新方法,來提高SIFT特征匹配效率,縮短匹配時間,提高SIFT算法的實時性。實驗結(jié)果表明,該方法在保持圖像匹配率和算法魯棒性的同時,可以減少運算時間。

    標簽: SIFT 算法 圖像匹配 方法研究

    上傳時間: 2013-10-28

    上傳用戶:zhangzhenyu

  • BJT與MOSFET的開關(guān)應用

      本文是關(guān)于電路中的 BJT 與 MOSFET開關(guān)應用的討論。   前段時間,一同學跟我說,他用單片機做了一個簡單的 LED 臺燈,用 PWM的方式控制燈的亮度,但是發(fā)現(xiàn) BJT 總是很燙。他給我的電路圖如圖一,我問他3V 時 LED 的發(fā)光電流是多大,他說大概十幾到二十 mA,我又問他電阻多大,他說 10KΩ。于是我笑笑說你把電阻小一點就好了。他回去一試,說用了個 1KΩ的電阻,就沒有任何問題了。   我很失望他沒有問我為什么要這么做,這可能是大多數(shù)電子愛好初學者存在的問題,他們的動手能力很強,但是并不注重基本的理論知識。他們大多數(shù)情況下都是“依葫蘆畫瓢”,借用現(xiàn)成的電路使用,就連參數(shù)和器件型號的選擇都疏于考慮。

    標簽: MOSFET BJT 開關(guān)應用

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:ZJX5201314

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產(chǎn)品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 寬輸入范圍1A LED驅(qū)動器利用汽車和12V AC電源給高亮度LED供電

    LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅(qū)動器,具有一個 4V 至 36V 的寬輸入電壓範圍,並可通過編程以高達 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流

    標簽: LED 12V AC電源

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:xhwst

  • 采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動器

    LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設備。LCD 和 LED 驅(qū)動器的工作頻率均為 1.5MHz,因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

    標簽: 4mmX4mm QFN LCD LED

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:zzbbqq99n

  • MAX16833高電壓,高亮度LED驅(qū)動器分部設計

    Abstract: This application note details a step-by-step design process for the MAX16833 high-voltagehigh-brightness LED driver. This process can speed up prototyping and increase the chance for firstpass

    標簽: 16833 MAX LED 高電壓

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:tianjinfan

  • 高亮度LED驅(qū)動電路設計

       本文詳細的分析了LED的驅(qū)動方式,給出了LED顯示控制系統(tǒng)具體的設計方案。整個系統(tǒng)分文電源設計部分和時間控制部分。

    標簽: LED 高亮度 驅(qū)動 電路設計

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:我們的船長

  • 對LED光源應用的認識問題探討

    主要探討LED光源與傳統(tǒng)光源在光電轉(zhuǎn)換效率、亮度、燈具形態(tài)等方面的比較

    標簽: LED 光源 問題探討

    上傳時間: 2013-12-17

    上傳用戶:cuibaigao

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

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