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低噪聲放大器

常用三極管Altium Designer AD原理圖庫元件庫

常用三極管Altium Designer AD原理圖庫元件庫CSV text has been written to file : 6.2 - 三極管.csvLibrary Component Count : 23Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------44H11 互補功率-NPN型45H11 互補功率-PNP型8050-DIP 高頻放大-NPN型8050-SMD 高頻放大-NPN型8550-DIP 高頻放大-PNP型8550-SMD 高頻放大-PNP型9012-DIP 低頻放大-PNP型9012-SMD 低頻放大-PNP型9013-DIP 低頻放大-NPN型9013-SMD 低頻放大-NPN型9014-DIP 低噪放大-NPN型9014-SMD 低噪放大-NPN型9015-DIP 低噪放大-PNP型9015-SMD 低噪放大-PNP型B772-DIP 音頻功放-PNP型B772-SMD 音頻功放-PNP型BCXH6(BH) NPN型三極管D882-DIP 音頻功放-NPN型D882-SMD 音頻功放-NPN型MMBTA42 高壓-NPN型MMBTA92 高壓-PNP型TIP41C 互補功率-NPN型TIP42C 互補功率-PNP型

標(biāo)簽： 三極管 Altium Designer

上傳時間： 2022-03-13

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具有壓縮和噪聲門的低噪聲模擬MEMS麥克風(fēng)和前置放大器

本電路用于實現(xiàn)模擬MEMS麥克風(fēng)與麥克風(fēng)前置放大器的接口，如圖1所示。ADMP504由一個MEMS麥克風(fēng)元件和一個輸出放大器組成。ADI公司的MEMS麥克風(fēng)具有高信噪比(SNR)和平坦的寬帶頻率響應(yīng)，堪稱高性能、低功耗應(yīng)用的絕佳選擇。

標(biāo)簽： MEMS 低噪聲模擬前置放大器

上傳時間： 2014-01-16

上傳用戶：13736136189
一種低噪聲可變增益放大器。文中介紹了以AD603 為核心構(gòu)成的低噪聲可變增益放大器的實用電路, 通過模式選擇、引腳編程, 可選擇不同的帶寬, 以及得到不同的增益。通過對增益控制方式的選擇, 可得到

一種低噪聲可變增益放大器。文中介紹了以AD603 為核心構(gòu)成的低噪聲可變增益放大器的實用電路, 通過模式選擇、引腳編程, 可選擇不同的帶寬, 以及得到不同的增益。通過對增益控制方式的選擇, 可得到最佳的信噪比。

標(biāo)簽： 603 低噪聲可變增益放大器 AD

上傳時間： 2016-10-05

上傳用戶：aa17807091
開關(guān)磁阻電機的減振降噪和低轉(zhuǎn)矩脈動研究.rar

開關(guān)磁阻電機（SR電機）驅(qū)動系統(tǒng)（SRD）是一種先進的機電一體化裝置，但是其較大的振動噪聲和轉(zhuǎn)矩脈動問題制約了SRD的廣泛應(yīng)用。本文以減小SR電機振動噪聲和轉(zhuǎn)矩脈動為主題展開理論分析和實驗研究。主要內(nèi)容有：由于徑向力引起的定子徑向振動是SR電機噪聲的主要根源，因此徑向力的分析和計算是研究SR電機振動噪聲的基礎(chǔ)。本文利用磁通管法推導(dǎo)出徑向力的解析表達式，定性分析了徑向力與電機結(jié)構(gòu)參數(shù)等之間的關(guān)系。根據(jù)虛位移原理，推導(dǎo)出基于矢量磁勢的電磁力計算公式。該計算方法求解電磁力時只需進行一次磁場計算，不但減小了計算量，同時計算精度較傳統(tǒng)虛位移法高。利用這一計算方法，求出了實驗樣機的轉(zhuǎn)矩及徑向力的精確數(shù)值解。針對在SRD性能仿真時，傳統(tǒng)的非線性插值不但耗時，而且對有限元計算數(shù)據(jù)量要求高的問題，本文利用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)強大的非線性模型辨識能力，成功進行了SR電機磁鏈反演和轉(zhuǎn)矩計算的模型訓(xùn)練，最后建立了基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的SR電機精確解析數(shù)學(xué)模型。因為SR電機本體結(jié)構(gòu)形式的選擇問題與振動噪聲大小有著密切的關(guān)系。本文從噪聲輻射和振動幅值角度探討了SR電機主要尺寸的確定；接著從對稱性、力波階數(shù)等角度研究了SR電機相數(shù)及繞組連接方式、極數(shù)、并聯(lián)支路數(shù)的選擇問題。并對一些常用的降低電機機械噪聲的措施和方法進行了綜述。系統(tǒng)振動特性的研究對于減小振動噪聲十分重要。本文從振動系統(tǒng)的運動方程出發(fā)，導(dǎo)出了從激振力到振動加速度的傳遞函數(shù)和系統(tǒng)的自由振動解；然后利用機電類比法得出了SR電機定子系統(tǒng)的固有頻率以及振動振幅的解析解，定性分析了影響振動振幅的各種因素；最后利用基于能量法的有限元解法，通過建立不同的散熱筋結(jié)構(gòu)形式、高度、根數(shù)以及形狀的SR電機三維有限元模型，分析得出了最有利于降噪和散熱的散熱筋結(jié)構(gòu)是高度高、根數(shù)多、上窄下寬的梯形截面的周向散熱筋的結(jié)論。通過建立不同繞組裝配工藝下的SR電機三維有限元模型，分析得出了加強繞組剛度可以提高系統(tǒng)低階固有頻率的結(jié)論。通過比較實驗樣機的模態(tài)分析結(jié)果和運行實驗結(jié)果，證實了模態(tài)分析的有效性。仿真是計算SRD系統(tǒng)性能和預(yù)估電機振動的有效手段。本文在用MATLAB建立SRD系統(tǒng)的非線性動態(tài)仿真模型的基礎(chǔ)上，對SRD系統(tǒng)進行了穩(wěn)態(tài)性能仿真、動態(tài)性能仿真以及負(fù)載突變仿真。接著利用穩(wěn)態(tài)性能仿真，綜合考慮最大平均轉(zhuǎn)矩和效率這兩個優(yōu)化目標(biāo)，對SR電機的開關(guān)角進行了優(yōu)化。最后結(jié)合由磁場有限元計算得到的徑向力數(shù)據(jù)表和穩(wěn)態(tài)性能仿真，通過非線性插值得到徑向力的波形，然后對徑向力波形進行了頻譜分析，從而找到其主要的諧波分量。在電機設(shè)計階段避免徑向力波主要頻譜分量與SR電機定子的固有頻率接近而引起共振是降低SR電機噪聲的首要條件。合適的控制策略對于SR電機減振降噪是必不可少的。本文理論推導(dǎo)出三步換相法的時間參數(shù)取值公式。仿真證明本取值公式較原先文獻的結(jié)論在阻尼比較小時有更好的減振效果。針對SR電機運行中可能出現(xiàn)多個模態(tài)振形被激發(fā)出來的情況，利用數(shù)值優(yōu)化法對三步換相法的時間參數(shù)進行了優(yōu)化，使得減振效果整體最佳，所提的數(shù)值優(yōu)化方法對兩步換相法同樣有效。在分析已有的直接瞬時轉(zhuǎn)矩控制的基礎(chǔ)上，針對其不足之處，提出了轉(zhuǎn)矩定頻控制取代內(nèi)滯環(huán)的方法、開始重疊區(qū)域的轉(zhuǎn)矩控制方法、最佳開關(guān)角度二次優(yōu)化法和時間參數(shù)優(yōu)化的三步換相法等新的控制方案。動態(tài)仿真證明這些方案是切實有效的，達到了預(yù)期效果。最后在直接瞬時轉(zhuǎn)矩控制的每一次轉(zhuǎn)矩斬波都使用三步換相法，和在相關(guān)斷時刻根據(jù)實際電平靈活選用兩步或三步換相法以減小電機振動噪聲，并提出了考慮減振要求的開關(guān)頻率設(shè)計方法，最終形成了一套完整的降低振動噪聲和轉(zhuǎn)矩脈動控制策略。設(shè)計并研制了基于TMS320LF2407DSP的SR電機控制器。根據(jù)控制策略要求，選用了不對稱半橋功率電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；出于降低成本以及提高可靠性考慮，采用了MOSFET雙路并聯(lián)電路方案。在控制軟件中實現(xiàn)了本文所提出的降低SR電機振動噪聲和轉(zhuǎn)矩脈動控制策略。本文最后對實驗樣機進行了靜態(tài)轉(zhuǎn)矩的測量實驗，對比轉(zhuǎn)矩測量值與轉(zhuǎn)矩有限元計算值，驗證了磁場有限元計算的有效性。然后對實驗樣機進行了空載與負(fù)載、電流控制與轉(zhuǎn)矩控制、低速斬波與高速單波、是否采用兩步或三步換相法等一系列對比運行實驗，對比各種實驗結(jié)果，充分證實了本文所提出的降低振動噪聲和轉(zhuǎn)矩脈動控制策略的有效性。本課題組承擔(dān)了國家十·五863計劃電動汽車重大專項：“EQ6110HEV混合動力城市公交車用電機及其控制系統(tǒng)”（2001AA501421）。本文的研究是在該項目的資助下完成，并且本文關(guān)于電機本體結(jié)構(gòu)形式、散熱筋結(jié)構(gòu)和機械降噪措施等的結(jié)論已在該項目的60kW實驗樣機上得到證實。

標(biāo)簽： 開關(guān)磁阻電機減降噪

上傳時間： 2013-07-05

上傳用戶：13081287919
高速低壓低功耗CMOSBiCMOS運算放大器設(shè)計.rar

近年來，以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用，因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點之一。在模擬集成電路中，運算放大器是最基本的電路，所以設(shè)計低電壓、低功耗的運算放大器非常必要。在實現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計的過程中，必須考慮電路的主要性能指標(biāo)。由于電源電壓的降低會影響電路的性能，所以只實現(xiàn)低壓、低功耗的目標(biāo)而不實現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當(dāng)?shù)摹?論文對國內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計方法做了廣泛的調(diào)查研究，分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點，在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計了一個3.3 V低功耗、高速、軌對軌的CMOS/BiCMOS運算放大器。在設(shè)計輸入級時，選擇了兩級直接共源一共柵輸入級結(jié)構(gòu)；為穩(wěn)定運放輸出共模電壓，設(shè)計了共模負(fù)反饋電路，并進行了共模回路補償；在偏置電路設(shè)計中，電流鏡負(fù)載并不采用傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)共源-共柵結(jié)構(gòu)，而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu)；為了提高效率，在設(shè)計時采用了推挽共源極放大器作為輸出級，輸出電壓擺幅基本上達到了軌對軌；并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補償技術(shù)對運放進行頻率補償。采用標(biāo)準(zhǔn)的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù)，對整個運放電路進行了設(shè)計，并通過了HSPICE軟件進行了仿真。結(jié)果表明，當(dāng)接有5 pF負(fù)載電容和20 kΩ負(fù)載電阻時，所設(shè)計的CMOS運放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW，時延為16.8ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所設(shè)計的BiCMOS運放的靜態(tài)功耗達到10.2 mW，時延為12.7 ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°，各項技術(shù)指標(biāo)都達到了設(shè)計要求。

標(biāo)簽： CMOSBiCMOS 低壓低功耗

上傳時間： 2013-06-29

上傳用戶：saharawalker
射頻低噪聲放大器的ADS設(shè)計

射頻低噪聲放大器的ADS設(shè)計:本文首先簡要介紹了低噪聲放大器設(shè)計的理論基礎(chǔ)，并以2.1－2.4Ghz 低噪聲放大器為例，詳細(xì)闡述了如何利用Agilent 公司的ADS 軟件進行分析和優(yōu)化設(shè)計該電

標(biāo)簽： ADS 射頻低噪聲放大器

上傳時間： 2013-06-18

上傳用戶：han_zh
基于DSP的數(shù)字音頻功率放大器的設(shè)計

· 摘要：提出并設(shè)計了一種新型音頻功率放大器.該系統(tǒng)通過高速采樣,多采樣率的插值運算,半帶低通濾波以及∑-△調(diào)制,將音頻PCM信號轉(zhuǎn)換成二進制序列,經(jīng)過高速開關(guān)管還原出具有原始功率譜的功率信號.該功率放大器具有D類數(shù)字功放高效率特點的同時,能夠保證高保真的還原性,并且具有進一步提升信噪比的空間.

標(biāo)簽： DSP 數(shù)字音頻功率放大器

上傳時間： 2013-05-28

上傳用戶：assss
低噪聲放大器的設(shè)計

詳細(xì)講解了低噪聲放大器的設(shè)計

標(biāo)簽： 低噪聲放大器

上傳時間： 2013-11-05

上傳用戶：crazyer
基于ATF54143平衡式低噪聲放大器的設(shè)計

基于低噪聲放大器（LNA）的噪聲系數(shù)和駐波比之間的矛盾，本文采用安捷倫公司的ATF54143晶體管計了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪聲放大器。該設(shè)計分為兩部分：3 dB 90°相移定向耦合器和并聯(lián)的低噪聲放大器。本文中首先介紹LNA相關(guān)理論，然后通過安捷倫公司的ADS仿真軟件進行電路仿真，仿真結(jié)果滿足設(shè)計要求，達到了低噪聲系數(shù)和良好地駐波比要求。此文也為后面電路的設(shè)計和調(diào)試提供了理論支持。

標(biāo)簽： 54143 ATF 平衡式低噪聲放大器

上傳時間： 2013-11-02

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基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設(shè)計

低噪聲放大器是接收機中最重要的模塊之一，文中采用了低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、PHEMT技術(shù)設(shè)計的ATF-35176晶體管，設(shè)計了一種應(yīng)用于5.5~6.5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益，該電路采用三級級聯(lián)放大結(jié)構(gòu)形式，并通過ADS軟件對電路的增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設(shè)計，最終得到LNA在該頻段內(nèi)增益大于32.8 dB，噪聲小于1.5 dB，輸入輸出駐波比小于2，達到設(shè)計指標(biāo)。

標(biāo)簽： ADS C波段低噪聲放大器仿真設(shè)計

上傳時間： 2013-11-15

上傳用戶：brilliantchen