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Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：旗魚旗魚
先進(jìn)的系統(tǒng)架構(gòu)和集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)，使得模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 制造商得以開發(fā)出更高速率和分辨率，更低功耗的產(chǎn)品。這樣，當(dāng)設(shè)計(jì)下一代的系統(tǒng)時(shí)，ADC設(shè)計(jì)人員已經(jīng)簡化了很多系統(tǒng)平臺的開發(fā)。例如，同時(shí)提高ADC采樣率和分辨率可簡化多載波、多標(biāo)準(zhǔn)軟件無線電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。這些軟件無線電系統(tǒng)需要具有數(shù)字采樣非常寬頻范圍，高動態(tài)范圍的信號的能力，以同步接收遠(yuǎn)、近端發(fā)射機(jī)的多種調(diào)制方式的高頻信號。同樣，先進(jìn)的雷達(dá)系統(tǒng)也需要提高ADC采樣率和分辨率，以改善靈敏度和精度。在滿足了很多應(yīng)用的具體需求，ADC的主要性能有了很大的提高的同時(shí)，ADC的功耗也有數(shù)量級的下降，進(jìn)一步簡化了系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)和更小尺寸產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： FemtoCharge ADC 高分辨率 低功耗
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：meiguiweishi
AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線的低噪聲放_大器
標(biāo)簽： EZ-FM 5007 0.95 CN_V
上傳時(shí)間： 2014-01-14
上傳用戶：xiaowei314
OPA2227 高精度、低噪聲運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：zxh122
對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
低通濾波器設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 低通 濾波器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：lyson
用MATLAB編寫低通濾波器
標(biāo)簽： 低通 濾波器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：lijinchuan
結(jié)合直接數(shù)字頻率合成（DDS）和鎖相環(huán)（PLL）技術(shù)完成了X波段低相噪本振跳頻源的設(shè)計(jì)。文章通過軟件仿真重點(diǎn)分析了本振跳頻源的低相噪設(shè)計(jì)方法，同時(shí)給出了主要的硬件選擇和詳細(xì)電路設(shè)計(jì)過程。最后對樣機(jī)的測試結(jié)果表明，本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優(yōu)點(diǎn)，滿足了實(shí)際工程應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：jiwy
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
介紹了基于AD549高精度快響應(yīng)低漂移微電流放大器的工作原理、電路設(shè)計(jì)和制造工藝、詞試技術(shù)，該微電流放大器是核反應(yīng)堆反應(yīng)性測量的關(guān)鍵部件之一，其低噪聲、快響應(yīng)與低漂移技術(shù)是精確測量反應(yīng)性重要因數(shù)之一。
上傳時(shí)間： 2013-10-25
上傳用戶：boyaboy
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