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低壓開關(guān)(guān)

  • 2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設(shè)計

    利用pHEMT工藝設(shè)計了一個2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設(shè)計中采用了具有低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、pHEMT技術(shù)設(shè)計的ATF-54143晶體管，電路采用二級級聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式，利用微帶電路實現(xiàn)輸入輸出和級間匹配，通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設(shè)計，最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB，噪聲小于1.2 dB，輸出電壓駐波比小于2，達到了設(shè)計指標的要求。

    標簽： GHz 波段 低噪聲放大器 仿真設(shè)計

    上傳時間： 2014-07-03

    上傳用戶：遠遠ssad

  • 具有壓縮和噪聲門的低噪聲模擬MEMS麥克風和前置放大器

    本電路用于實現(xiàn)模擬MEMS麥克風與麥克風前置放大器的接口，如圖1所示。ADMP504由一個MEMS麥克風元件和一個輸出放大器組成。ADI公司的MEMS麥克風具有高信噪比(SNR)和平坦的寬帶頻率響應，堪稱高性能、低功耗應用的絕佳選擇。

    標簽： MEMS 低噪聲 模擬 前置放大器

    上傳時間： 2014-01-16

    上傳用戶：13736136189

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計

    Butterworth函數(shù)的高階低通濾波器的有源設(shè)計

    標簽： Butterworth 函數(shù) 低通濾波器 有源

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：旗魚旗魚

  • 采用FemtoCharge技術(shù)的高速、高分辨率、低功耗的新一代ADC

    先進的系統(tǒng)架構(gòu)和集成電路設(shè)計技術(shù)，使得模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 制造商得以開發(fā)出更高速率和分辨率，更低功耗的產(chǎn)品。這樣，當設(shè)計下一代的系統(tǒng)時，ADC設(shè)計人員已經(jīng)簡化了很多系統(tǒng)平臺的開發(fā)。例如，同時提高ADC采樣率和分辨率可簡化多載波、多標準軟件無線電系統(tǒng)的設(shè)計。這些軟件無線電系統(tǒng)需要具有數(shù)字采樣非常寬頻范圍，高動態(tài)范圍的信號的能力，以同步接收遠、近端發(fā)射機的多種調(diào)制方式的高頻信號。同樣，先進的雷達系統(tǒng)也需要提高ADC采樣率和分辨率，以改善靈敏度和精度。在滿足了很多應用的具體需求，ADC的主要性能有了很大的提高的同時，ADC的功耗也有數(shù)量級的下降，進一步簡化了系統(tǒng)散熱設(shè)計和更小尺寸產(chǎn)品的設(shè)計。

    標簽： FemtoCharge ADC 高分辨率 低功耗

    上傳時間： 2013-10-22

    上傳用戶：meiguiweishi

  • AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線的低噪聲放大器

    AW5007_CN_V0.95_EZ-FM內(nèi)置FM天線的低噪聲放_大器

    標簽： EZ-FM 5007 0.95 CN_V

    上傳時間： 2014-01-14

    上傳用戶：xiaowei314

  • OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    標簽： 2227 OPA 高精度 低噪聲

    上傳時間： 2013-11-09

    上傳用戶：zxh122

  • CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

    對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對于一個PN結(jié)，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

    標簽： CoolMos 制造

    上傳時間： 2013-11-11

    上傳用戶：小眼睛LSL

  • 低通濾波器設(shè)計

    低通濾波器設(shè)計

    標簽： 低通 濾波器設(shè)計

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：lyson

  • 低通濾波器設(shè)計

    用MATLAB編寫低通濾波器

    標簽： 低通 濾波器設(shè)計

    上傳時間： 2013-11-24

    上傳用戶：lijinchuan

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