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低壓電阻

微電腦型盤面式異常警報電表

特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻等信號顯示范圍-1999-9999可任意規(guī)劃具有異常值與異常次數(shù)記錄保留功能異常信號過高或過低或范圍內(nèi)或范圍外檢測可任意設(shè)定報警繼電器復(fù)歸方式可任意設(shè)定尺寸小,穩(wěn)定性高 2.主要規(guī)格精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復(fù)歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環(huán)境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標(biāo)簽： 微電腦警報電表

上傳時間： 2013-11-02

上傳用戶：fandeshun
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)）

微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)）特點(diǎn)：精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格：精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標(biāo)簽： 微電腦單相交流單相電表

上傳時間： 2015-01-03

上傳用戶：幾何公差
ESD Protection in CMOS ICs

在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

上傳用戶：shancjb
超聲波電機(jī)之設(shè)計及分析

1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz，超音波（Ultrasonic wave）即爲(wèi)頻率超過20KHz以上的音波或機(jī)械振動，因此超音波馬達(dá)就是利用超音波的彈性振動頻率所構(gòu)成的制動力。超音波馬達(dá)的內(nèi)部主要是以壓電陶瓷材料作爲(wèi)激發(fā)源，其成份是由鉛（Pb）、結(jié)（Zr）及鈦（Ti）的氧化物皓鈦酸鉛（Lead zirconate titanate，PZT）製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體，如銅或不銹鋼，並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲(wèi)驅(qū)動源，以激振彈性體，稱此結(jié)構(gòu)爲(wèi)定子（Stator），將其用彈簧與轉(zhuǎn)子Rotor）接觸，將所産生摩擦力來驅(qū)使轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動，由於壓電材料的驅(qū)動能量很大，並足以抗衡轉(zhuǎn)子與定子間的正向力，雖然伸縮振幅大小僅有數(shù)徵米（um）的程度，但因每秒之伸縮達(dá)數(shù)十萬次，所以相較於同型的電磁式馬達(dá)的驅(qū)動能量要大的許多。超音波馬達(dá)的優(yōu)點(diǎn)爲(wèi)：1，轉(zhuǎn)子慣性小、響應(yīng)時間短、速度範(fàn)圍大。2，低轉(zhuǎn)速可產(chǎn)生高轉(zhuǎn)矩及高轉(zhuǎn)換效率。3，不受磁場作用的影響。4，構(gòu)造簡單，體積大小可控制。5，不須經(jīng)過齒輸作減速機(jī)構(gòu)，故較爲(wèi)安靜。實際應(yīng)用上，超音波馬達(dá)具有不同於傳統(tǒng)電磁式馬達(dá)的特性，因此在不適合應(yīng)用傳統(tǒng)馬達(dá)的場合，例如：間歇性運(yùn)動的裝置、空間或形狀受到限制的場所；另外包括一些高磁場的場合，如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來在自動化設(shè)備、視聽音響、照相機(jī)及光學(xué)儀器等皆可應(yīng)用超音波馬達(dá)來取代。

標(biāo)簽： 超聲波電機(jī)

上傳時間： 2022-06-17

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最新FPC生產(chǎn)流程介紹

SMT（Surface mount technology）是可在“板面上”滿及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術(shù).侵貼：1.可在板上雨成同特焊接，封裝密度提高50~70%.WW2.l短，提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化，快速，成本低.1.表面貼裝零件SOIC（small outline integrate circle）RESISTANCE（電阻）CAPACITANCE（電容）AMPLCC（plastic leaded chip carriers）CONNECT etc.（結(jié)器）封裝材料1.）陶瓷（BeO）：精度高，密封度高（CTE：5～7PPM/℃）封板子熟膨服要求高2.）聚硫胺醚（Polyetherimide）：一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖，機(jī)械，電子性能侵良AwIR各波皆敏感，易分解，生“酸泡”現(xiàn)象.3.）熔融矽砂（Fused silica），暖氧橫脂

標(biāo)簽： fpc

上傳時間： 2022-07-27

上傳用戶：zhaiyawei
小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測電阻器

一直以來，電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。

標(biāo)簽： DFN 封裝電子電路斷路器

上傳時間： 2013-10-18

上傳用戶：qwerasdf
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
PIC16C54C鎖相環(huán)程序

　　PIC16C54C為8位單片機(jī)，指令字長12位，全部指令都是單字節(jié)指令，系統(tǒng)為哈佛結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)總線和程序總線各自獨(dú)立分開，數(shù)據(jù)總線寬度為8位，程序總線寬度為12位，內(nèi)部程序存儲器為512×12位，內(nèi)部數(shù)據(jù)寄存器為32×8位。　　PIC16C54C有12根雙向可獨(dú)立編程I/O引腳，分為PortA和PortB兩個端口，其中PortA為RA0～RA3，PortB為RB0～RB7，每根I/O引腳可由程序來編程決定其輸入輸出方向。　　PIC16C54C提供四種可選振蕩方式：　　- RC，低成本的阻容振蕩方式　　- XT，標(biāo)準(zhǔn)晶體/陶瓷振蕩　　- HS，高速晶體/陶瓷振蕩　　- LP，低功耗，低頻晶體振蕩更多鎖相環(huán)知識請訪問 http://www.elecfans.com/zhuanti/PLL.html

標(biāo)簽： PIC 16C C54 54C

上傳時間： 2013-12-23

上傳用戶：dianxin61
5位數(shù)微電腦型盤面式電表（24*48mm）

特點(diǎn)：精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻等信號顯示范圍-19999~99999可任意規(guī)劃具有自動歸零或保持或雙顯示功能 (optional) 小數(shù)點(diǎn)可任意規(guī)劃尺寸小,穩(wěn)定性高

標(biāo)簽： 24 48 mm 微電腦

上傳時間： 2013-11-20

上傳用戶：libinxny
5位數(shù)微電腦型盤面式電表（顯示幕0.8″）

特點(diǎn)：精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻等信號顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃具有自動歸零或保持或開根號或雙顯示功能小數(shù)點(diǎn)可任意規(guī)劃尺寸小,穩(wěn)定性高

標(biāo)簽： 0.8 微電腦電表顯示幕

上傳時間： 2013-10-17

上傳用戶：lionlwy