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低待機(jī)

巴特沃斯低通濾波器的簡化快速設計

低通濾波器設計

標簽： 巴特沃斯低通濾波器

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：frank1234
高增益低功耗恒跨導軌到軌CMOS運放設計

基于CSMC的0.5 μmCMOS工藝，設計了一個高增益、低功耗、恒跨導軌到軌CMOS運算放大器，采用最大電流選擇電路作為輸入級，AB類結(jié)構(gòu)作為輸出級。通過cadence仿真，其輸入輸出均能達到軌到軌，整個電路工作在3 V電源電壓下，靜態(tài)功耗僅為0.206 mW，驅(qū)動10pF的容性負載時，增益高達100.4 dB，單位增益帶寬約為4.2 MHz，相位裕度為63°。

標簽： CMOS 增益低功耗軌到軌

上傳時間： 2013-11-04

上傳用戶：xlcky
Filter_Solutions_2009中文教程——低通濾波器設計

Filter_Solutions_2009中文教程——低通濾波器設

標簽： Filter_Solutions 2009 教程低通

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：xywhw1
LC4256V-10T100I 汽車類雙路 FET 輸入低失真運算放大器

汽車類雙路 FET 輸入低失真運算放大器

標簽： 4256 100 FET LC

上傳時間： 2013-10-11

上傳用戶：fandeshun
基于ATF54143平衡式低噪聲放大器的設計

基于低噪聲放大器（LNA）的噪聲系數(shù)和駐波比之間的矛盾，本文采用安捷倫公司的ATF54143晶體管計了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪聲放大器。該設計分為兩部分：3 dB 90°相移定向耦合器和并聯(lián)的低噪聲放大器。本文中首先介紹LNA相關理論，然后通過安捷倫公司的ADS仿真軟件進行電路仿真，仿真結(jié)果滿足設計要求，達到了低噪聲系數(shù)和良好地駐波比要求。此文也為后面電路的設計和調(diào)試提供了理論支持。

標簽： 54143 ATF 平衡式低噪聲放大器

上傳時間： 2013-11-02

上傳用戶：410805624
利用精密模擬微控制器ADuC7024和數(shù)字加速度計ADXL345檢測低g加速度

ADXL345是一款小巧纖薄的低功耗三軸加速度計，可以對高達±16 g的加速度進行高分辨率（13位）測量。數(shù)字輸出數(shù)據(jù)為16位二進制補碼格式，可通過SPI（3線或4線）或者I2C數(shù)字接口訪問。

標簽： ADuC 7024 ADXL 345

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：Andy123456
寬帶低EVM直接變頻發(fā)射機

本電路為寬帶直接變頻發(fā)射機模擬部分的完整實施方案（模擬基帶輸入、RF輸出）。通過使用鎖相環(huán)(PLL)和寬帶集成電壓控制振蕩器(VCO)，本電路支持500 MHz至4.4 GHz范圍內(nèi)的RF頻率。PLL中的LO執(zhí)行諧波濾波，確保提供出色的正交精度。低噪聲LDO確保電源管理方案對相位噪聲和EVM沒有不利影響。這種器件組合可以提供500 MHz至4.4 GHz頻率范圍內(nèi)業(yè)界領先的直接變頻發(fā)射機性能。

標簽： EVM 寬帶發(fā)射機直接變頻

上傳時間： 2013-11-23

上傳用戶：墻角有棵樹
利用數(shù)字電位計AD5292構(gòu)建30V低成本DAC

圖1所示電路采用digiPOT+系列數(shù)字電位計AD5292、雙通道運算放大器ADA4091-2和基準電壓源ADR512，提供一種低成本、高電壓、單極性DAC。該電路提供10位分辨率，輸出電壓范圍為0 V至30 V，能夠提供最高±20 mA的輸出電流。AD5292可以通過SPI兼容型串行接口編程。

標簽： 5292 30V DAC AD

上傳時間： 2013-11-23

上傳用戶：yuhaihua_tony
基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設計

低噪聲放大器是接收機中最重要的模塊之一，文中采用了低噪聲、較高關聯(lián)增益、PHEMT技術設計的ATF-35176晶體管，設計了一種應用于5.5~6.5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益，該電路采用三級級聯(lián)放大結(jié)構(gòu)形式，并通過ADS軟件對電路的增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設計，最終得到LNA在該頻段內(nèi)增益大于32.8 dB，噪聲小于1.5 dB，輸入輸出駐波比小于2，達到設計指標。

標簽： ADS C波段低噪聲放大器仿真設計

上傳時間： 2013-11-15

上傳用戶：brilliantchen
2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設計

利用pHEMT工藝設計了一個2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關聯(lián)增益、pHEMT技術設計的ATF-54143晶體管，電路采用二級級聯(lián)放大的結(jié)構(gòu)形式，利用微帶電路實現(xiàn)輸入輸出和級間匹配，通過ADS軟件提供的功能模塊和優(yōu)化環(huán)境對電路增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設計，最終使得該LNA在2~4 GHz波段內(nèi)增益大于20 dB，噪聲小于1.2 dB，輸出電壓駐波比小于2，達到了設計指標的要求。

標簽： GHz 波段低噪聲放大器仿真設計

上傳時間： 2014-07-03

上傳用戶：遠遠ssad