介紹了基于AD549高精度快響應(yīng)低漂移微電流放大器的工作原理、電路設(shè)計和制造工藝、詞試技術(shù)，該微電流放大器是核反應(yīng)堆反應(yīng)性測量的關(guān)鍵部件之一，其低噪聲、快響應(yīng)與低漂移技術(shù)是精確測量反應(yīng)性重要因數(shù)之一。
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：boyaboy
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上傳時間： 2015-02-22
上傳用戶：ommshaggar
b to b 模式 電子商務(wù)系統(tǒng) ，c# 開發(fā) , B/S結(jié)構(gòu)
標(biāo)簽： to 模式 電子商務(wù)系統(tǒng)
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：hanli8870
一種低噪聲可變增益放大器。文中介紹了以AD603 為核心構(gòu)成的低噪聲可變增益放大器的實用電路, 通過模式選擇、 引腳編程, 可選擇不同的帶寬, 以及得到不同的增益。通過對增益控制方式的選擇, 可得到最佳的信 噪比。
上傳時間： 2016-10-05
上傳用戶：aa17807091
樣板 B 樹 ( B - tree ) 規(guī)則 : (1) 每個節(jié)點內(nèi)元素個數(shù)在 [MIN,2*MIN] 之間, 但根節(jié)點元素個數(shù)為 [1,2*MIN] (2) 節(jié)點內(nèi)元素由小排到大, 元素不重複 (3) 每個節(jié)點內(nèi)的指標(biāo)個數(shù)為元素個數(shù)加一 (4) 第 i 個指標(biāo)所指向的子節(jié)點內(nèi)的所有元素值皆小於父節(jié)點的第 i 個元素 (5) B 樹內(nèi)的所有末端節(jié)點深度一樣
上傳時間： 2017-05-14
上傳用戶：日光微瀾
歐幾里德算法：輾轉(zhuǎn)求余 原理: gcd(a,b)=gcd(b,a mod b) 當(dāng)b為0時,兩數(shù)的最大公約數(shù)即為a getchar()會接受前一個scanf的回車符
標(biāo)簽： gcd getchar scanf mod
上傳時間： 2014-01-10
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數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)課程設(shè)計 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)B+樹 B+ tree Library
標(biāo)簽： Library tree 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu) 樹
上傳時間： 2013-12-31
上傳用戶：semi1981
近年來，以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用，因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點之一。 在模擬集成電路中，運算放大器是最基本的電路，所以設(shè)計低電壓、低功耗的運算放大器非常必要。在實現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計的過程中，必須考慮電路的主要性能指標(biāo)。由于電源電壓的降低會影響電路的性能，所以只實現(xiàn)低壓、低功耗的目標(biāo)而不實現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當(dāng)?shù)摹?論文對國內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計方法做了廣泛的調(diào)查研究，分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點，在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計了一個3.3 V低功耗、高速、軌對軌的CMOS/BiCMOS運算放大器。在設(shè)計輸入級時，選擇了兩級直接共源一共柵輸入級結(jié)構(gòu)；為穩(wěn)定運放輸出共模電壓，設(shè)計了共模負反饋電路，并進行了共模回路補償；在偏置電路設(shè)計中，電流鏡負載并不采用傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)共源-共柵結(jié)構(gòu)，而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu)；為了提高效率，在設(shè)計時采用了推挽共源極放大器作為輸出級，輸出電壓擺幅基本上達到了軌對軌；并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補償技術(shù)對運放進行頻率補償。 采用標(biāo)準(zhǔn)的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù)，對整個運放電路進行了設(shè)計，并通過了HSPICE軟件進行了仿真。結(jié)果表明，當(dāng)接有5 pF負載電容和20 kΩ負載電阻時，所設(shè)計的CMOS運放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW，時延為16.8ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所設(shè)計的BiCMOS運放的靜態(tài)功耗達到10.2 mW，時延為12.7 ns，開環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°，各項技術(shù)指標(biāo)都達到了設(shè)計要求。
標(biāo)簽： CMOSBiCMOS 低壓 低功耗
上傳時間： 2013-06-29
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光電二極管可分為兩類：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管
上傳時間： 2013-11-21
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* 高斯列主元素消去法求解矩陣方程AX=B,其中A是N*N的矩陣,B是N*M矩陣 * 輸入: n----方陣A的行數(shù) * a----矩陣A * m----矩陣B的列數(shù) * b----矩陣B * 輸出: det----矩陣A的行列式值 * a----A消元后的上三角矩陣 * b----矩陣方程的解X
上傳時間： 2015-07-26
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