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低躁聲<b>放大器</b>

  • LC4256V-10T100I 汽車類雙路 FET 輸入低失真運算放大器

    汽車類雙路 FET 輸入低失真運算放大器

    標簽: 4256 100 FET LC

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:fandeshun

  • 基于ATF54143平衡式低噪聲放大器的設計

    基于低噪聲放大器(LNA)的噪聲系數和駐波比之間的矛盾,本文采用安捷倫公司的ATF54143晶體管計了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪聲放大器。該設計分為兩部分:3 dB 90°相移定向耦合器和并聯的低噪聲放大器。本文中首先介紹LNA相關理論,然后通過安捷倫公司的ADS仿真軟件進行電路仿真,仿真結果滿足設計要求,達到了低噪聲系數和良好地駐波比要求。此文也為后面電路的設計和調試提供了理論支持。

    標簽: 54143 ATF 平衡式 低噪聲放大器

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:410805624

  • 基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設計

    低噪聲放大器是接收機中最重要的模塊之一,文中采用了低噪聲、較高關聯增益、PHEMT技術設計的ATF-35176晶體管,設計了一種應用于5.5~6.5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益,該電路采用三級級聯放大結構形式,并通過ADS軟件對電路的增益、噪聲系數、駐波比、穩定系數等特性進行了研究設計,最終得到LNA在該頻段內增益大于32.8 dB,噪聲小于1.5 dB,輸入輸出駐波比小于2,達到設計指標。

    標簽: ADS C波段 低噪聲放大器 仿真設計

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:brilliantchen

  • 2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設計

    利用pHEMT工藝設計了一個2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關聯增益、pHEMT技術設計的ATF-54143晶體管,電路采用二級級聯放大的結構形式,利用微帶電路實現輸入輸出和級間匹配,通過ADS軟件提供的功能模塊和優化環境對電路增益、噪聲系數、駐波比、穩定系數等特性進行了研究設計,最終使得該LNA在2~4 GHz波段內增益大于20 dB,噪聲小于1.2 dB,輸出電壓駐波比小于2,達到了設計指標的要求。

    標簽: GHz 波段 低噪聲放大器 仿真設計

    上傳時間: 2014-07-03

    上傳用戶:遠遠ssad

  • 具有壓縮和噪聲門的低噪聲模擬MEMS麥克風和前置放大器

    本電路用于實現模擬MEMS麥克風與麥克風前置放大器的接口,如圖1所示。ADMP504由一個MEMS麥克風元件和一個輸出放大器組成。ADI公司的MEMS麥克風具有高信噪比(SNR)和平坦的寬帶頻率響應,堪稱高性能、低功耗應用的絕佳選擇。

    標簽: MEMS 低噪聲 模擬 前置放大器

    上傳時間: 2014-01-16

    上傳用戶:13736136189

  • OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    OPA2227 高精度、低噪聲運算放大器

    標簽: 2227 OPA 高精度 低噪聲

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:zxh122

  • 2012TI杯陜西賽題B題--頻率補償電路

    2012TI杯陜西賽題H題,2012TI杯陜西賽題B題--頻率補償電路.

    標簽: 2012 TI 頻率補償電路

    上傳時間: 2013-10-07

    上傳用戶:ysystc670

  • 高增益K波段MMIC低噪聲放大器

      基于0.25gm PHEMT工藝,給出了兩個高增益K 波段低噪聲放大器.放大器設計中采用了三級級聯增加柵寬的電路結構,通過前級源極反饋電感的恰當選取獲得較高的增益和較低的噪聲;采用直流偏置上加阻容網絡,用來消除低頻增益和振蕩;三級電路通過電阻共用一組正負電源,使用方便,且電路性能較好,輸入輸出駐波比小于2.0;功率增益達24dB;噪聲系數小于3.5dB.兩個放大器都有較高的動態范圍和較小的面積,放大器ldB壓縮點輸出功率大于15dBm;芯片尺寸為1mm×2mm×0.1mm.該放大器可以應用在24GHz汽車雷達前端和26.5GHz本地多點通信系統中.

    標簽: MMIC 增益 低噪聲放大器 波段

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:masochism

  • 一種新的ISM頻段低噪聲放大器設計方法

    為解決ISM頻段低噪聲放大器降低失配與減小噪聲之間的矛盾,提出了一種改善放大器性能的設計方法.分析了單項參數的變化規律,提出了提高綜合性能的方法,給出了放大器封裝模型的電路結構.對射頻放大器SP模型和封裝模型進行仿真.仿真結果表明,輸入和輸出匹配網絡對放大器的性能有影響,所提出的設計方法能有效分配性能指標,為改善ISM頻段低噪聲放大器的性能提出了一種新的途徑

    標簽: ISM 頻段 低噪聲放大器 設計方法

    上傳時間: 2013-11-10

    上傳用戶:909000580

  • 超高頻窄帶單級低噪聲放大器的設計

    文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路,該電路結構小巧(20 mm ×13 mm ,厚度為0.6 mm),功能可靠、穩定。放大器芯片采用3SK318YB,該芯片具有高增益、低噪聲等特點。電路主要用于超高頻段微波通信,電路拓撲結構采用反饋型、穩定衰減器法和低端增益衰減法進行設計。生產成品并經測試,該產品性價比高,完全達到了設計要求

    標簽: 超高頻 窄帶 低噪聲放大器

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:xja31415

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