本工程是PC透過RS232傳資料進(jìn)開發(fā)版，輸入資料給開發(fā)版做DO及AO的動(dòng)作及開發(fā)版收到訊號後回傳DI及AI的資料.主要是通信及其處理
上傳時(shí)間： 2013-12-21
上傳用戶：xmsmh
屬用者輸入一數(shù)字n，程式便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)4n*4n的魔術(shù)方陣，魔術(shù)方陣除顯示於螢?zāi)簧蟻K會(huì)產(chǎn)生一檔案magic.txt檔案中同樣會(huì)有魔術(shù)方陣
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上傳時(shí)間： 2016-06-10
上傳用戶：924484786
AVR ATmega48 SPI最簡單測試碼！ 透過spi_data[x]陣列寫入想要傳送的資料， 而x則是控制傳送第x筆數(shù)，而接腳輸出則在PortB的預(yù)設(shè)接腳內(nèi)，只要修改spi_data就可以透過示波器看到SPI的信號了！
標(biāo)簽： spi_data ATmega AVR SPI
上傳時(shí)間： 2014-06-09
上傳用戶：jcljkh
網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕
標(biāo)簽： 網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
專輯類-網(wǎng)絡(luò)及電腦相關(guān)專輯-114冊-4.31G 網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕.pdf
標(biāo)簽： 網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間： 2013-07-25
上傳用戶：小寶愛考拉
PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
對於輸出電壓處於輸入電壓範(fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：urgdil
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
數(shù)字電子技朮
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上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：1101055045
特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 可輸入交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器...等信號 16 BIT類比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 2主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. (23 ±5℃) 顯示值范圍: 0-±19999 digit adjustable 類比輸出解析度: 16 bit DAC 輸出反應(yīng)速度: < 250 ms (0-90%)(>10Hz) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16mm (0.4") 隔離特性: Input/Output/Power/Case 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 安裝方式: Socket/plugin type with barrier terminals CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2014-01-05
上傳用戶：eastgan
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