本書是納米氧化鈦光催化材料及應用的一個專著。書中從氧化鈦晶體結構和光催化基本原理入手，深入淺出地討論了納米氧化鈦品晶相、能帶結構和譜學特性等多種與材料及光催化活性密切相關的科學問題。用較多篇幅介紹了多種制備氧化鈦納米晶薄膜、介孔材料上修飾氧化認納米晶、骨架為結晶態的氧化鈦及氧化鈦復合光催化材料的方法以及如何通過控制合成條件制備高活性氧化鈦光催化材料。書中還結合實例介紹了光催化技術及氧化仗光催化材料在污水處理窄氣凈化、太陽能利用抗菌防霧、自清潔功能等方面的應用技術。本書對從事納米氧化怯光催化材料制備和應用研究的科技工作者有重要參考價值。
標簽： 光催化材料
上傳時間： 2022-07-10
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有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示，應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景，吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而，OLED也存在一些問題，特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標，除了器件的材料，結構設計外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發光機理，結構和封裝入手，首先，探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能；ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大，明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次，針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素，其厚度在1.2μm左右時，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實驗一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進行二次封裝。實驗二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比，研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍，研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后，分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間： 2013-07-11
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第一講 光纖的分類 一， 光纖的分類 光纖是光導纖維（OF：Optical Fiber）的簡稱。但光通信系統中常常將 Optical Fibe（光纖）又簡化為 Fiber，例如：光纖放大器（Fiber Amplifier）或光纖干線（Fiber Backbone）等等。有人忽略了Fiber雖有纖維的含義，但在光系統中卻是指光纖而言的。因此，有些光產品的說明中，把fiber直譯成“纖維”，顯然是不可取的?！ 」饫w實際是指由透明材料作成的纖芯和在它周圍采用比纖芯的折射率稍低的材料作成的包層所被覆，并將射入纖芯的光信號，經包層界面反射，使光信號在纖芯中傳播前進的媒體。 光纖的種類很多，根據用途不同，所需要的功能和性能也有所差異。但對于有線電視和通信用的光纖，其設計和制造的原則基本相同，諸如：①損耗小；②有一定帶寬且色散??；③接線容易；④易于成統；⑤可靠性高；⑥制造比較簡單；⑦價廉等。
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：llandlu
針對室溫（293 K）條件下使用要求，采用InAsSb單晶材料加浸沒透鏡制作成2~9 μm波段高靈敏度光導型InAsSb紅外探測器。實測光譜響應值出現在1.656 5~8.989 μm。在光譜響應波段范圍內，最大響應度值為對比組C2、C3組。初步實現了室溫（293 K）使用要求，響應光譜2~9 μm波段光導型InAsSb紅外探測器設計目的。
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：xiaohanhaowei
提出了一個考慮ＦＰ 效應的半導體材料參數測量方案。利用該方案可以在時域波形中，截取多個反射回峰，以提高材料參數提取的精確度。另外，考慮到多重反射對樣品厚度的準確性要求較高，提出了一種有效的厚度優化方法。以ＧａＡｓ 為待測樣品，利用上述方法精確提取了其折射率與消光系數譜.
上傳時間： 2013-12-16
上傳用戶：alan-ee
Mie散射數值計算的Delphi代碼,用來計算粒子的光散射，在粒子檢測，材料測試上有廣泛的應用。
上傳時間： 2014-01-09
上傳用戶：miaochun888
GPON收發一體光模塊材料技術選型規格書
標簽： GPON光模塊
上傳時間： 2016-01-14
上傳用戶：TDPA
芯片制造技術-半導體拋光類技術資料合集：300mm硅單晶及拋光片標準.pdf6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf666化學機械拋光技術的研究進展.pdf化學機械拋光CMP技術的發展應用及存在問題.pdf化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展.pdf化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導體-第十四講-CMP.ppt半導體制程培訓CMP和蝕刻.pptx.ppt半導體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導體工藝.ppt半導體工藝化學.ppt拋光技術及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術現狀-張志堅.pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用.pdf
上傳時間： 2021-11-02
上傳用戶：wangshoupeng199
本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率?；诩す鈩冸x襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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半導體切片 保存到我的百度網盤 下載 芯片封裝詳細圖解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片機張刀對切片質量的影響-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 內圓切片機設計.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生產工藝介紹.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半導體集成電路(最終版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半導體晶體的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半導體材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰凍切片的制備.docx 23KB2019-10-08 11:29 半導體芯片制造技術4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半導體全制程介紹.doc 728KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導體晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半導體工藝技術.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半導體工業簡介-簡體中文...ppt 半導體清洗 新型半導體清洗劑的清洗工藝.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工藝提升中的半導體清洗技術.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超聲波清洗技術的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半導體制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半導體制造工藝第3章-清-洗-工-藝.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半導體制程培訓清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半導體制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半導體清洗技術面臨變革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓自動清洗設備.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓的污染雜質及清洗技術.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半導體工藝-晶圓清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半導體第五講硅片清洗(4課時).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半導體IC清洗技術.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半導體IC清洗技術.doc 半導體拋光 直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 拋光技術及拋光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光CMP技術的發展應用及存在問題.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅拋光片-CMP-市場和技術現狀-張志堅.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半導體制程培訓CMP和蝕刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半導體工藝化學.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半導體工藝.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半導體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半導體-第十四講-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化學機械拋光技術的研究進展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅單晶及拋光片標準.pdf 半導體研磨 半導體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半導體晶圓的生產工藝流程介紹.docx 18KB2019-10-08 11:29 半導體硅材料研磨液研究進展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半導體封裝制程及其設備介紹.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半導體IC工藝流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半導體CMP工藝介紹.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半導體-第十六講-新型封裝.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半導體基礎知識.pdf
上傳時間： 2013-06-14
上傳用戶：eeworm
