光立方,3D8S_Alpha_光立方可控制軟件。
上傳時間: 2013-10-21
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測試貼片熱阻小軟件
上傳時間: 2013-11-03
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3D光立方
上傳時間: 2013-11-15
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數碼短板印刷方案介紹(清華紫光)。
上傳時間: 2013-11-14
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結合坐標采集和處理在新型激光光幕靶中的應用,針對傳統激光光幕靶處理器I/O緊缺、處理速度慢、存在錯報、漏報,無法測試子彈連發坐標等問題,提出了一種以FPGA為核心的坐標采集和處理系統的設計方法。設計中采用了自頂向下的設計方法,將該系統依據邏輯功能劃分為3個模塊,并在ISE 14.1和Modelsim中進行設計、編譯、仿真,最后的仿真結果表明該系統能夠很好地采集到子彈的坐標。
上傳時間: 2013-10-20
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Allegro制作光繪文件
上傳時間: 2013-11-06
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半導體的產品很多,應用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內部的晶片,圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發光二極體,其內部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發光而使LED發亮,如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間: 2013-11-04
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微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統) 特點: 精確度0.25%滿刻度±1位數 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定 瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要規格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協議: Modbus RTU mode 溫度系數: 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間: 2015-01-03
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針對野戰光纖光路損耗介紹一種精密光功率測量方法,分析了+,-光電接收元件的+%,(光功率%光電流)特性,并建立了實際模型&設計的裝置測量范圍為%#)!)./(光功率的相對衰減值),經實踐檢驗具有較好 的精度.
上傳時間: 2013-11-20
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本文介紹了采用光連續波反射法(OCWR) 技術的光回波損耗測試儀的校準內容和校準方法。校準內容包括內部光源的校準、光功率計的校準、回波損耗校準件的校準、回波損耗測量準確度的校準等諸多方面,著重介紹了校準回波損耗測量準確度的校準方法- 光回波損耗無源模擬法和有源模擬法,并介紹了無源模擬法和有源模擬法所使用的標準儀器和計算公式以及不確定度評定。經對多臺光回波損耗測試儀的校準,表明本校準方法準確可行,滿足了客戶的需求。
上傳時間: 2015-01-03
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