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光譜數(shù)(shù)據(jù)(jù)

用GAL、EPROM設(shè)計測量顯示控制裝置

本文提出j以通用陣列邏輯器件GAL 和只讀存貯器EPROM 為核心器件．設(shè)計測量顯示控制裝置的方法。配以數(shù)字式傳感器及用最小二乘法編制的曲線自動分段椒合程序生成的EPROM 中的數(shù)據(jù)．可用于力、溫度、光強等非電量的測量顯示和控制。該裝置與采用微處理器的電路相比．有相同的洲量精度，電路簡單．而且保密性好

標簽： EPROM GAL 測量顯示控制

上傳時間： 2013-11-10

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IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2013-11-04

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J-LIN仿真器操作步驟

J-LIN仿真器操作步驟，J-LIN仿真器操作步驟。

標簽： J-LIN 仿真器操作

上傳時間： 2013-10-31

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5位數(shù)微電腦型盤面式電表(小功率的)（24*48mm）

特點：精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻等信號熱電偶SENSOR輸入種類J/K/T/E/R/S/B可任意規(guī)劃顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃小數(shù)點可任意規(guī)劃尺寸小，穩(wěn)定性高 CE認證

標簽： 24 48 mm 微電腦

上傳時間： 2013-10-31

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野戰(zhàn)光纖光功率精密測量裝置研究

針對野戰(zhàn)光纖光路損耗介紹一種精密光功率測量方法，分析了+,-光電接收元件的+%,（光功率%光電流）特性，并建立了實際模型&設(shè)計的裝置測量范圍為%#)!)./（光功率的相對衰減值），經(jīng)實踐檢驗具有較好的精度.

標簽： 光纖光功率精密測量裝置

上傳時間： 2013-11-20

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光回波損耗(后向反射)測試儀的校準

本文介紹了采用光連續(xù)波反射法(OCWR) 技術(shù)的光回波損耗測試儀的校準內(nèi)容和校準方法。校準內(nèi)容包括內(nèi)部光源的校準、光功率計的校準、回波損耗校準件的校準、回波損耗測量準確度的校準等諸多方面,著重介紹了校準回波損耗測量準確度的校準方法- 光回波損耗無源模擬法和有源模擬法,并介紹了無源模擬法和有源模擬法所使用的標準儀器和計算公式以及不確定度評定。經(jīng)對多臺光回波損耗測試儀的校準,表明本校準方法準確可行,滿足了客戶的需求。

標簽： 光回波損耗反射測試儀

上傳時間： 2015-01-03

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固態(tài)繼電器應(yīng)用光耦TLP3231，TLP4222G基本參數(shù)及應(yīng)用

潮光內(nèi)部整理資料

標簽： TLP 4222G 3231 4222

上傳時間： 2013-10-28

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過零雙向可控硅光耦MOC3063,MOC3041,TLP363J實際參數(shù)應(yīng)用實例

潮光整理資料：過零雙向可控硅光耦應(yīng)用原理

標簽： MOC 3063 3041 363

上傳時間： 2013-11-10

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開關(guān)電源應(yīng)用光耦

開關(guān)電源應(yīng)用光耦應(yīng)用方案

標簽： 開關(guān) 光耦電源應(yīng)用

上傳時間： 2013-11-03

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TLP265J，TLP266J 小貼片SOP封裝雙向可控硅輸出光耦

TLP265J，TLP266J是東芝新推出的2款4pin SO6封裝的雙向可控硅輸出光耦，它們的耐壓能力能達到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封裝的TLP260J和TLP261J，因為MFSOP6封裝的爬電距離較小，使其的隔離電壓只能達到BVS=3000 Vrms ，這使得東芝的這系列產(chǎn)品在與競爭對手的產(chǎn)品對比中處于劣勢，因為目前SOP封裝的光耦隔離電壓普遍能達到BVS=3750 Vrms 。而東芝新推出的TLP265J，TLP266J也能達到這個隔離能力。

標簽： TLP 265J 266J 265

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：zhouli