摘要：提出了一種基于MSP430系列單片機(jī)的新型智能調(diào)光器，設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)單可靠的穩(wěn)壓電路和過(guò)零采樣電路，在調(diào)光器上實(shí)現(xiàn)了延時(shí)關(guān)閉、斷電狀態(tài)記憶等功能。最后進(jìn)行了調(diào)光器的溫度測(cè)試，檢驗(yàn)了調(diào)光器的可實(shí)用性。關(guān)鍵詞：MSP430；可控硅；智能調(diào)光器
標(biāo)簽： MSP 430 單片機(jī) 智能調(diào)光
上傳時(shí)間： 2013-12-29
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介紹了自動(dòng)調(diào)溫醫(yī)用光療系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及軟件設(shè)計(jì)原理，溫度檢測(cè)的實(shí)現(xiàn)方式及運(yùn)用DS18B20測(cè)溫的編程方法，并設(shè)計(jì)了一種用AT89C52中斷控制可控硅移相觸發(fā)的編程方法。該系統(tǒng)已成功用于醫(yī)療機(jī)構(gòu)使用。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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緊湊型熒光燈（CFL）作為綠色照明產(chǎn)品已得到國(guó)家的認(rèn)可與大力推薦。為充分發(fā)揮CFL調(diào)光燈的特點(diǎn)，恩智浦半導(dǎo)體推出了UBA2028用于CFL調(diào)光燈的控制芯片。它是采用EZ-HV SOI工藝流程做的600V的集成芯片，內(nèi)部集成半橋驅(qū)動(dòng)電路和兩個(gè)MOSFET管；UBA2028其支持的工作電流在不超過(guò)芯片最高溫度1500C限制下可以達(dá)到700mA；由于它集成度高，外接元件顯著減少,可以構(gòu)成一個(gè)高效率，高可靠的調(diào)光節(jié)能燈控制系統(tǒng)；性?xún)r(jià)比非常好。
標(biāo)簽： 2028 UBA CFL 調(diào)光
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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摘要：采用C51單片機(jī)作為三值光計(jì)算機(jī)編碼器的控制核心，實(shí)現(xiàn)了可以長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作的三值光計(jì)算機(jī)編碼器模型。C5l單片機(jī)主要完成了與上位機(jī)通信和控制液晶單元工作的功能。文中從硬件和軟件兩個(gè)方面對(duì)使用的單片機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)討論，著重介紹了單片機(jī)系統(tǒng)中硬件的設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)方法和軟件流程及核心程序段。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該系統(tǒng)性能穩(wěn)定可靠，目前已在360位的三值邏輯光學(xué)處理器模擬機(jī)中使用。關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng)；單片機(jī)控制系統(tǒng)；三值光計(jì)算機(jī)；編碼器
標(biāo)簽： C51 單片機(jī) 三值光 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-12-02
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作為一種新的、最有潛力的光源，LED照明以其節(jié)能、環(huán)保的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越受到人們重視。加上國(guó)家和地方政府的政策鼓勵(lì)，我國(guó)的LED照明產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了加速發(fā)展階段，運(yùn)用市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)。在室內(nèi)照明方面，用LED燈替代傳統(tǒng)的可調(diào)光白熾燈或者鹵素?zé)粢矊⑹谴髣?shì)所趨。由于傳統(tǒng)的白熾燈調(diào)光器采用可控硅調(diào)光器，用LED燈替代白熾燈時(shí)，要求不能改變?cè)芯€(xiàn)路，還要能適應(yīng)現(xiàn)有的可控硅調(diào)光器。針對(duì)這一目標(biāo)市場(chǎng)，目前很多大的半導(dǎo)體廠(chǎng)商（包括國(guó)際知名半導(dǎo)體廠(chǎng)商）都已經(jīng)推出了自己的LED調(diào)光ASIC，但由于LED固有的發(fā)光原理，目前市面上的LED ASIC調(diào)光案都還不是很成熟，都有其固有的問(wèn)題，本文就將針對(duì)目前的調(diào)光方案做一個(gè)詳細(xì)的分析，并介紹我們基于MCU的調(diào)光方案。
標(biāo)簽： ASIC MCU LED 可控硅調(diào)光
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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本文設(shè)計(jì)出一種新型燈光調(diào)光控制系統(tǒng)。系統(tǒng)采用先進(jìn)的智能功率模塊((IPM)取代以往的可控硅作為功率變換器件,以Intel16 位單片機(jī)為核心控制器采用AC-DC-AC 變換技術(shù)使輸出的波形較可控硅斬波后的波形有很大的改善,這不僅降低了變壓器的損耗而且延長(zhǎng)了燈的壽命,提高了系統(tǒng)的運(yùn)行質(zhì)量。現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)CAN 的運(yùn)用使得整個(gè)系統(tǒng)便于集中監(jiān)控、管理。調(diào)光器是機(jī)場(chǎng)助航燈光系統(tǒng)的核心控制設(shè)備。目前,國(guó)內(nèi)外使用的調(diào)光器主要采用可控硅斬波技術(shù),這種調(diào)光器存在波形畸變大、電網(wǎng)要求高、對(duì)電網(wǎng)污染嚴(yán)重、效率低、負(fù)載適應(yīng)能力差等缺點(diǎn)。針對(duì)以往系統(tǒng)存在的不足,提出了正弦波調(diào)光器,它采用逆變技術(shù),輸出標(biāo)準(zhǔn)正弦電壓,它的優(yōu)點(diǎn)是對(duì)負(fù)載適應(yīng)能力強(qiáng)、對(duì)電網(wǎng)要求低、污染輕、效率高、輸出波形好等。正弦波調(diào)光器采用逆變技術(shù),輸出幅度可調(diào)的標(biāo)準(zhǔn)正弦電壓,通過(guò)控制算法實(shí)現(xiàn)對(duì)燈光回路的高精度恒流控制。“正弦波調(diào)光器”將極大地提高調(diào)光器的技術(shù)水平,改善調(diào)光器的性能,增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 燈光 調(diào)光控制 系統(tǒng)開(kāi)發(fā)
上傳時(shí)間： 2013-11-02
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P C B 可測(cè)性設(shè)計(jì)布線(xiàn)規(guī)則之建議― ― 從源頭改善可測(cè)率PCB 設(shè)計(jì)除需考慮功能性與安全性等要求外，亦需考慮可生產(chǎn)與可測(cè)試。這里提供可測(cè)性設(shè)計(jì)建議供設(shè)計(jì)布線(xiàn)工程師參考。1. 每一個(gè)銅箔電路支點(diǎn)，至少需要一個(gè)可測(cè)試點(diǎn)。如無(wú)對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)，將可導(dǎo)致與之相關(guān)的開(kāi)短路不可檢出，并且與之相連的零件會(huì)因無(wú)測(cè)試點(diǎn)而不可測(cè)。2. 雙面治具會(huì)增加制作成本，且上針板的測(cè)試針定位準(zhǔn)確度差。所以L(fǎng)ayout 時(shí)應(yīng)通過(guò)Via Hole 盡可能將測(cè)試點(diǎn)放置于同一面。這樣就只要做單面治具即可。3. 測(cè)試選點(diǎn)優(yōu)先級(jí)：A.測(cè)墊(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件腳(Component Lead) D.貫穿孔(Via Hole)(未Mask)。而對(duì)于零件腳，應(yīng)以AI 零件腳及其它較細(xì)較短腳為優(yōu)先，較粗或較長(zhǎng)的引腳接觸性誤判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm)，厚度少于此值之PCB 容易板彎變形，影響測(cè)點(diǎn)精準(zhǔn)度，制作治具需特殊處理。5. 避免將測(cè)點(diǎn)置于SMT 之PAD 上，因SMT 零件會(huì)偏移，故不可靠，且易傷及零件。6. 避免使用過(guò)長(zhǎng)零件腳(>170mil(4.3mm))或過(guò)大的孔(直徑>1.5mm)為測(cè)點(diǎn)。7. 對(duì)于電池(Battery)最好預(yù)留Jumper，在ICT 測(cè)試時(shí)能有效隔離電池的影響。8. 定位孔要求：(a) 定位孔(Tooling Hole)直徑最好為125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 須有2 個(gè)定位孔和一個(gè)防呆孔(也可說(shuō)成定位孔,用以預(yù)防將PCB反放而導(dǎo)致機(jī)器壓破板)，且孔內(nèi)不能沾錫。(c) 選擇以對(duì)角線(xiàn)，距離最遠(yuǎn)之2 孔為定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不應(yīng)設(shè)計(jì)成中心對(duì)稱(chēng),即PCB 旋轉(zhuǎn)180 度角后仍能放入PCB,這樣,作業(yè)員易于反放而致機(jī)器壓破板)9. 測(cè)試點(diǎn)要求：(e) 兩測(cè)點(diǎn)或測(cè)點(diǎn)與預(yù)鉆孔之中心距不得小于50mil(1.27mm)，否則有一測(cè)點(diǎn)無(wú)法植針。以大于100mil(2.54mm)為佳，其次是75mil(1.905mm)。(f) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)離其附近零件(位于同一面者)至少100mil，如為高于3mm 零件，則應(yīng)至少間距120mil，方便治具制作。(g) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)平均分布于PCB 表面，避免局部密度過(guò)高，影響治具測(cè)試時(shí)測(cè)試針壓力平衡。(h) 測(cè)點(diǎn)直徑最好能不小于35mil(0.9mm)，如在上針板，則最好不小于40mil(1.00mm)，圓形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之測(cè)點(diǎn)需額外加工，以導(dǎo)正目標(biāo)。(i) 測(cè)點(diǎn)的Pad 及Via 不應(yīng)有防焊漆(Solder Mask)。(j) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)離板邊或折邊至少100mil。(k) 錫點(diǎn)被實(shí)踐證實(shí)是最好的測(cè)試探針接觸點(diǎn)。因?yàn)殄a的氧化物較輕且容易刺穿。以錫點(diǎn)作測(cè)試點(diǎn)，因接觸不良導(dǎo)致誤判的機(jī)會(huì)極少且可延長(zhǎng)探針使用壽命。錫點(diǎn)尤其以PCB 光板制作時(shí)的噴錫點(diǎn)最佳。PCB 裸銅測(cè)點(diǎn)，高溫后已氧化，且其硬度高，所以探針接觸電阻變化而致測(cè)試誤判率很高。如果裸銅測(cè)點(diǎn)在SMT 時(shí)加上錫膏再經(jīng)回流焊固化為錫點(diǎn)，雖可大幅改善，但因助焊劑或吃錫不完全的緣故，仍會(huì)出現(xiàn)較多的接觸誤判。
標(biāo)簽： PCB 可測(cè)性設(shè)計(jì) 布線(xiàn)規(guī)則
上傳時(shí)間： 2014-01-14
上傳用戶(hù)：cylnpy
為提高聚光光伏發(fā)電的太陽(yáng)能利用率，提出了一種環(huán)形軌道式光伏發(fā)電雙軸跟蹤系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。系統(tǒng)采用DSP控制伺服電機(jī)的方法，利用空間電壓矢量脈寬調(diào)制(SVPWM)技術(shù)，形成了閉環(huán)的位置伺服控制。通過(guò)MATLAB／SIMULINK進(jìn)行了速度環(huán)仿真，結(jié)果表明該系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定，具有較好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。
標(biāo)簽： DSP 聚光光伏 發(fā)電 自動(dòng)跟蹤系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-10-10
上傳用戶(hù)：Vici
3D光立方
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶(hù)：zhulei420
結(jié)合坐標(biāo)采集和處理在新型激光光幕靶中的應(yīng)用，針對(duì)傳統(tǒng)激光光幕靶處理器I/O緊缺、處理速度慢、存在錯(cuò)報(bào)、漏報(bào)，無(wú)法測(cè)試子彈連發(fā)坐標(biāo)等問(wèn)題，提出了一種以FPGA為核心的坐標(biāo)采集和處理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法。設(shè)計(jì)中采用了自頂向下的設(shè)計(jì)方法，將該系統(tǒng)依據(jù)邏輯功能劃分為3個(gè)模塊，并在ISE 14.1和Modelsim中進(jìn)行設(shè)計(jì)、編譯、仿真，最后的仿真結(jié)果表明該系統(tǒng)能夠很好地采集到子彈的坐標(biāo)。
標(biāo)簽： FPGA 激光光幕靶 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-12-19
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