PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
數(shù)字電子技朮
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：1101055045
如何對(duì)STM8S的閃存存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)EEPROM編程
標(biāo)簽： EEPROM STM8S 閃存 存儲(chǔ)器
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：jennyzai
HT45F23 MCU 含有兩個(gè)運(yùn)算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號(hào)處理，通 過(guò)控制暫存器，OPA 相關(guān)的應(yīng)用可以很容易實(shí)現(xiàn)。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設(shè)定 以及基本OPA 應(yīng)用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運(yùn)算放大器OPA1/OPA2 具有多個(gè)開(kāi)關(guān)，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內(nèi)部有8 種增益選項(xiàng)，直接通過(guò)軟體設(shè)定。適應(yīng)於各種廣泛的應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：immanuel2006
采用納瓦技術(shù)的8/14引腳閃存8位CMOS單片機(jī) PIC12F635/PIC16F636/639數(shù)據(jù)手冊(cè) 目錄1.0 器件概述 2.0 存儲(chǔ)器構(gòu)成3.0 時(shí)鐘源4.0 I/O 端口 5.0 Timer0 模塊6.0 具備門(mén)控功能的Timer1 模塊 7.0 比較器模塊8.0 可編程低壓檢測(cè)（PLVD）模塊9.0 數(shù)據(jù)EEPROM 存儲(chǔ)器10.0 KeeLoq® 兼容加密模塊 11.0 模擬前端（AFE）功能說(shuō)明 （僅限PIC16F639）12.0 CPU 的特殊功能13.0 指令集概述14.0 開(kāi)發(fā)支持15.0 電氣特性16.0 DC 和AC 特性圖表17.0 封裝信息Microchip 網(wǎng)站變更通知客戶服務(wù)客戶支持讀者反饋表 附錄A： 數(shù)據(jù)手冊(cè)版本歷史產(chǎn)品標(biāo)識(shí)體系全球銷(xiāo)售及服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：qlpqlq
6引腳8位閃存單片機(jī) PIC10F200/202/204/206數(shù)據(jù)手冊(cè) 目錄1.0 器件概述2.0 PIC10F200/202/204/206 器件種類(lèi)3.0 架構(gòu)概述4.0 存儲(chǔ)器構(gòu)成5.0 I/O 端口6.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F200/202）7.0 Timer0 模塊和TMR0 寄存器（PIC10F204/206）8.0 比較器模塊9.0 CPU 的特性10.0 指令集匯總11.0 開(kāi)發(fā)支持 12.0 電氣規(guī)范 13.0 DC 及AC 特性圖表14.0 封裝信息 索引 客戶支持 變更通知客戶服務(wù) 讀者反饋表 產(chǎn)品標(biāo)識(shí)體系
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：chenhr
NEC閃光胸牌電路板的構(gòu)成電路板是由單片機(jī)應(yīng)用電路部分和閃存編程器兩部分構(gòu)成的。■單片機(jī)應(yīng)用電路部分單片機(jī)應(yīng)用電路部分主要是由電池（1220），開(kāi)關(guān)和NEC 78K0/KB2(uPD78F0500)8位閃存單片機(jī)構(gòu)成。把程序?qū)懭雴纹瑱C(jī)內(nèi)置的閃存存儲(chǔ)器，就可以進(jìn)行各種控制了。■閃存編程器部分閃存編程器是把PC里的程序?qū)懭雴纹瑱C(jī)的閃存存儲(chǔ)器的裝置。您得到的電路板上的閃存編程器部分只有配線沒(méi)有零部件，要寫(xiě)入程序必須購(gòu)置零部件后焊接，您只要花費(fèi)很少的經(jīng)費(fèi)和精力即可完成。關(guān)于閃存編程器的制作方法下面會(huì)做詳細(xì)說(shuō)明。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：frank1234
文中研究并實(shí)現(xiàn)了一種基于NAND型Flash的高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng),成果為實(shí)際研制應(yīng)用于星的基于閃存的大容量存儲(chǔ)器奠定了基礎(chǔ),具體較好的指導(dǎo)和借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2014-10-15
上傳用戶：guanliya
STM32F10xxx閃存編程參考手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：zhaoke2005
開(kāi)發(fā)了一個(gè)基于閃存平臺(tái)的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫(xiě)次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設(shè)計(jì)、快速計(jì)算和跟蹤策略還可以延長(zhǎng)核心扇區(qū)使用壽命，保證系統(tǒng)啟動(dòng)可靠的服務(wù)。
標(biāo)簽： 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)管理 閃存 策略
上傳時(shí)間： 2014-12-30
上傳用戶：lingzhichao
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