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共產(chǎn)黨宣言感想

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽： Protel 99 se

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • Keil 51和Proteus仿真LED

    Keil 51和Proteus仿真LED,串口實例\r\n\r\n6個共陰極LED,還可仿真串口通訊,自己項目中的代碼,吐血共享\r\n\r\n使用方法:\r\n1、用proteus打開ddb_stc51.DSN\r\n2、用keil打開ddb_stc51目錄下的ddb_stc51.Uv2工程\r\n3、在keil中運行調試即可在proteus中查看調試結果，\r\n 串口仿真結果要用虛擬串口互聯查看結果。\r\n

    標簽： Proteus Keil LED 仿真

    上傳時間： 2013-09-24

    上傳用戶：sardinescn

  • 有關Atmega8的protues的仿真部分

    有關Atmega8的protues的仿真部分，除前言外共六部分：\r\n1.基本IO的學習Led部分；\r\n2.基本IO：按鍵部分；\r\n3.外部中斷；\r\n4.定時，計數器；\r\n5.串口通信；\r\n6.IIC通信。\r\n\r\n我是老楊，該文檔的作者，這份文檔是在學習單片機的時候寫的，沒有把計劃寫的寫完，但這是當時寫的最全的一份了。

    標簽： Atmega8 protues 仿真 分

    上傳時間： 2013-09-26

    上傳用戶：喵米米米

  • 共模保護和差模保護

    共差摸

    標簽： 共模保護 差模保護

    上傳時間： 2013-10-13

    上傳用戶：coeus

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽： 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • 差模電感和共模電感

    共模電感在日常生活中最常見的就是計算機應用中，計算機內部的主板上混合了各種高頻電路、數字電路和模擬電路，它們工作時會產生大量高頻電磁波互相干擾，這就是EMI。EMI還會通過主板布線或外接線纜向外發射，造成電磁輻射污染，不但影響其他的電子設備正常工作，還對人體有害。

    標簽： 差模 共模電感 電感

    上傳時間： 2013-10-08

    上傳用戶：Bunyan

  • 基于Multisim 10的共射極放大器設計與仿真

    利用Multisim 10仿真軟件對共射極放大電路進行了計算機輔助設計和仿真。運用直流工作點對靜態工作點進行了分析和設定；利用波特圖示儀分析了電路的頻率特性；對電壓增益、輸入電阻和輸出電阻進行了仿真測試，測試結果和理論計算值基本一致。研究表明，Multisim 10仿真軟件具有強大的設計和仿真分析功能，可以縮短設計周期，保障操作安全，方便調試、節省成本和提高設計質量等。

    標簽： Multisim 共射 仿真 放大器設計

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：dianxin61

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

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