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關(guān)斷控制器

  • 基于鎖相放大原理的微弱信號(hào)檢測(cè)電路

    針對(duì)目前成品鎖相放大器價(jià)格昂貴且體積大,傳統(tǒng)窄帶濾波法性能和靈活性差的特點(diǎn),設(shè)計(jì)了基于鎖相放大器原理的微弱信號(hào)檢測(cè)電路。本電路采用單片機(jī)作為激勵(lì)信號(hào)和參考信號(hào)的發(fā)生器,利用帶關(guān)斷引腳的運(yùn)放實(shí)現(xiàn)相敏檢波器,整個(gè)電路僅使用了5個(gè)運(yùn)算放大器和一些阻容元件。實(shí)驗(yàn)表明,本電路能實(shí)現(xiàn)了從信噪比為0.1的被測(cè)信號(hào)中提取有用信號(hào)幅值的功能,測(cè)量誤差控制在5%以內(nèi)。由于本電路有實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單和成本低的特點(diǎn),稍加修改后可作為模塊電路用到其他測(cè)量系統(tǒng)當(dāng)中。

    標(biāo)簽: 鎖相放大 微弱信號(hào) 檢測(cè)電路

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶:開懷常笑

  • 3GHz射頻信號(hào)源模塊GR6710

    產(chǎn)品概要: 3GHz射頻信號(hào)源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過(guò)測(cè)控軟件產(chǎn)生9kHz到3GHz的射頻信號(hào)源和AM/FM/CW調(diào)制輸出,具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定義IO接口。 產(chǎn)品描述: 3GHz射頻信號(hào)源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊,可以通過(guò)測(cè)控軟件產(chǎn)生9kHz到3GHz的射頻信號(hào)源和AM/FM/CW調(diào)制輸出,還可以通過(guò)IQ選件實(shí)現(xiàn)其它任意調(diào)制輸出。GR6710既可程控發(fā)生點(diǎn)頻信號(hào)和掃頻信號(hào),也支持內(nèi)部調(diào)制和外部調(diào)制。GR6710可安裝于3U/6U背板上工作,也可以獨(dú)立供電工作,使用靈活。該模塊可用于通信測(cè)試、校準(zhǔn)信號(hào)源。 技術(shù)指標(biāo) 頻率特性 頻率范圍:9kHz~3GHz,500KHz以下指標(biāo)不保證 頻率分辨率:3Hz,1Hz(載頻<10MHz時(shí)) 頻率穩(wěn)定度:晶振保證 電平特性 電平范圍:-110dBm~+10dBm 電平分辨率:0.5dB 電平準(zhǔn)確度:≤±2.5dB@POWER<-90dBm,≤±1.5dB@POWER>-90dBm 輸出關(guān)斷功能 頻譜純度 諧波:9KHz~200MHz≥20dBc,200MHz~3GHz≥30dBc 非諧波:≤80dBc典型值(偏移10kHz,載頻<1GHz),≥68dBc(偏移10kHz,其它載頻), 鎖相環(huán)小數(shù)分頻雜散≥64dBc(偏移10kHz) SSB相噪: ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz(500MHz) ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz(1GHz) ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz(>1GHz) 調(diào)制輸出:調(diào)幅AM、調(diào)頻FM、脈沖CW,其它調(diào)制輸出可以通過(guò)IQ選件實(shí)現(xiàn) 調(diào)制源:內(nèi)、外 參考時(shí)鐘輸入和輸出:10MHz,14dBm 控制接口:CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定義GPIO 射頻和時(shí)鐘連接器:SMA-K 電源接口:背板供電、獨(dú)立供電 可選 電源及其功耗:+5V DC、±12V DC(紋波≤2%輸出電壓),≤38W 結(jié)構(gòu)尺寸:3U高度4槽寬度(100mm×160mm×82mm,不含連接器部分) 工作環(huán)境:商業(yè)級(jí)溫度和工業(yè)級(jí)溫度 可選,振動(dòng)、沖擊、可靠性、MTBF 測(cè)控軟件功能:射頻信號(hào)發(fā)生、調(diào)制信號(hào)輸出、跳頻/掃頻信號(hào)發(fā)生、支持WindowsXP系統(tǒng) 成功案例: 通信綜測(cè)儀器內(nèi)部的信號(hào)源模塊 無(wú)線電監(jiān)測(cè)設(shè)備內(nèi)部的信號(hào)校準(zhǔn)模塊 無(wú)線電通信測(cè)試儀器的調(diào)制信號(hào)發(fā)生

    標(biāo)簽: 3GHz 6710 GR 射頻信號(hào)源

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

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  • 功率MOSFET的開通和關(guān)斷原理

    開通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]: -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài),t0 時(shí),MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開通; -- [t0-t1]區(qū)間,MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs 充電而上升,在t1 時(shí)刻,到達(dá)維持電壓Vth,MOSFET 開始導(dǎo)電;

    標(biāo)簽: MOSFET 功率 關(guān)斷

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

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  • PCB布線原則

    PCB 布線原則連線精簡(jiǎn)原則連線要精簡(jiǎn),盡可能短,盡量少拐彎,力求線條簡(jiǎn)單明了,特別是在高頻回路中,當(dāng)然為了達(dá)到阻抗匹配而需要進(jìn)行特殊延長(zhǎng)的線就例外了,例如蛇行走線等。安全載流原則銅線的寬度應(yīng)以自己所能承載的電流為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì),銅線的載流能力取決于以下因素:線寬、線厚(銅鉑厚度)、允許溫升等,下表給出了銅導(dǎo)線的寬度和導(dǎo)線面積以及導(dǎo)電電流的關(guān)系(軍品標(biāo)準(zhǔn)),可以根據(jù)這個(gè)基本的關(guān)系對(duì)導(dǎo)線寬度進(jìn)行適當(dāng)?shù)目紤]。印制導(dǎo)線最大允許工作電流(導(dǎo)線厚50um,允許溫升10℃)導(dǎo)線寬度(Mil) 導(dǎo)線電流(A) 其中:K 為修正系數(shù),一般覆銅線在內(nèi)層時(shí)取0.024,在外層時(shí)取0.048;T 為最大溫升,單位為℃;A 為覆銅線的截面積,單位為mil(不是mm,注意);I 為允許的最大電流,單位是A。電磁抗干擾原則電磁抗干擾原則涉及的知識(shí)點(diǎn)比較多,例如銅膜線的拐彎處應(yīng)為圓角或斜角(因?yàn)楦哳l時(shí)直角或者尖角的拐彎會(huì)影響電氣性能)雙面板兩面的導(dǎo)線應(yīng)互相垂直、斜交或者彎曲走線,盡量避免平行走線,減小寄生耦合等。一、 通常一個(gè)電子系統(tǒng)中有各種不同的地線,如數(shù)字地、邏輯地、系統(tǒng)地、機(jī)殼地等,地線的設(shè)計(jì)原則如下:1、 正確的單點(diǎn)和多點(diǎn)接地在低頻電路中,信號(hào)的工作頻率小于1MHZ,它的布線和器件間的電感影響較小,而接地電路形成的環(huán)流對(duì)干擾影響較大,因而應(yīng)采用一點(diǎn)接地。當(dāng)信號(hào)工作頻率大于10MHZ 時(shí),如果采用一點(diǎn)接地,其地線的長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)波長(zhǎng)的1/20,否則應(yīng)采用多點(diǎn)接地法。2、 數(shù)字地與模擬地分開若線路板上既有邏輯電路又有線性電路,應(yīng)盡量使它們分開。一般數(shù)字電路的抗干擾能力比較強(qiáng),例如TTL 電路的噪聲容限為0.4~0.6V,CMOS 電路的噪聲容限為電源電壓的0.3~0.45 倍,而模擬電路只要有很小的噪聲就足以使其工作不正常,所以這兩類電路應(yīng)該分開布局布線。3、 接地線應(yīng)盡量加粗若接地線用很細(xì)的線條,則接地電位會(huì)隨電流的變化而變化,使抗噪性能降低。因此應(yīng)將地線加粗,使它能通過(guò)三倍于印制板上的允許電流。如有可能,接地線應(yīng)在2~3mm 以上。4、 接地線構(gòu)成閉環(huán)路只由數(shù)字電路組成的印制板,其接地電路布成環(huán)路大多能提高抗噪聲能力。因?yàn)榄h(huán)形地線可以減小接地電阻,從而減小接地電位差。二、 配置退藕電容PCB 設(shè)計(jì)的常規(guī)做法之一是在印刷板的各個(gè)關(guān)鍵部位配置適當(dāng)?shù)耐伺弘娙荩伺弘娙莸囊话闩渲迷瓌t是:􀁺?電電源的輸入端跨½10~100uf的的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采Ó100uf以以上的電解電容器抗干擾效果會(huì)更好¡���?原原則上每個(gè)集成電路芯片都應(yīng)布置一¸0.01uf~`0.1uf的的瓷片電容,如遇印制板空隙不夠,可Ã4~8個(gè)個(gè)芯片布置一¸1~10uf的的鉭電容(最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的,這種卷起來(lái)的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感,最好使用鉭電容或聚碳酸醞電容)。���?對(duì)對(duì)于抗噪能力弱、關(guān)斷時(shí)電源變化大的器件,ÈRA、¡ROM存存儲(chǔ)器件,應(yīng)在芯片的電源線和地線之間直接接入退藕電容¡���?電電容引線不能太長(zhǎng),尤其是高頻旁路電容不能有引線¡三¡過(guò)過(guò)孔設(shè)¼在高ËPCB設(shè)設(shè)計(jì)中,看似簡(jiǎn)單的過(guò)孔也往往會(huì)給電路的設(shè)計(jì)帶來(lái)很大的負(fù)面效應(yīng),為了減小過(guò)孔的寄生效應(yīng)帶來(lái)的不利影響,在設(shè)計(jì)中可以盡量做到£���?從從成本和信號(hào)質(zhì)量?jī)煞矫鎭?lái)考慮,選擇合理尺寸的過(guò)孔大小。例如¶6- 10層層的內(nèi)存模¿PCB設(shè)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),選Ó10/20mi((鉆¿焊焊盤)的過(guò)孔較好,對(duì)于一些高密度的小尺寸的板子,也可以嘗試使Ó8/18Mil的的過(guò)孔。在目前技術(shù)條件下,很難使用更小尺寸的過(guò)孔了(當(dāng)孔的深度超過(guò)鉆孔直徑µ6倍倍時(shí),就無(wú)法保證孔壁能均勻鍍銅);對(duì)于電源或地線的過(guò)孔則可以考慮使用較大尺寸,以減小阻抗¡���?使使用較薄µPCB板板有利于減小過(guò)孔的兩種寄生參數(shù)¡���? PCB板板上的信號(hào)走線盡量不換層,即盡量不要使用不必要的過(guò)孔¡���?電電源和地的管腳要就近打過(guò)孔,過(guò)孔和管腳之間的引線越短越好¡���?在在信號(hào)換層的過(guò)孔附近放置一些接地的過(guò)孔,以便為信號(hào)提供最近的回路。甚至可以ÔPCB板板上大量放置一些多余的接地過(guò)孔¡四¡降降低噪聲與電磁干擾的一些經(jīng)Ñ?能能用低速芯片就不用高速的,高速芯片用在關(guān)鍵地方¡?可可用串一個(gè)電阻的方法,降低控制電路上下沿跳變速率¡?盡盡量為繼電器等提供某種形式的阻尼,ÈRC設(shè)設(shè)置電流阻尼¡?使使用滿足系統(tǒng)要求的最低頻率時(shí)鐘¡?時(shí)時(shí)鐘應(yīng)盡量靠近到用該時(shí)鐘的器件,石英晶體振蕩器的外殼要接地¡?用用地線將時(shí)鐘區(qū)圈起來(lái),時(shí)鐘線盡量短¡?石石英晶體下面以及對(duì)噪聲敏感的器件下面不要走線¡?時(shí)時(shí)鐘、總線、片選信號(hào)要遠(yuǎn)ÀI/O線線和接插件¡?時(shí)時(shí)鐘線垂直ÓI/O線線比平行ÓI/O線線干擾小¡? I/O驅(qū)驅(qū)動(dòng)電路盡量靠½PCB板板邊,讓其盡快離¿PC。。對(duì)進(jìn)ÈPCB的的信號(hào)要加濾波,從高噪聲區(qū)來(lái)的信號(hào)也要加濾波,同時(shí)用串終端電阻的辦法,減小信號(hào)反射¡? MCU無(wú)無(wú)用端要接高,或接地,或定義成輸出端,集成電路上該接電源、地的端都要接,不要懸空¡?閑閑置不用的門電路輸入端不要懸空,閑置不用的運(yùn)放正輸入端接地,負(fù)輸入端接輸出端¡?印印制板盡量使Ó45折折線而不Ó90折折線布線,以減小高頻信號(hào)對(duì)外的發(fā)射與耦合¡?印印制板按頻率和電流開關(guān)特性分區(qū),噪聲元件與非噪聲元件呀距離再遠(yuǎn)一些¡?單單面板和雙面板用單點(diǎn)接電源和單點(diǎn)接地、電源線、地線盡量粗¡?模模擬電壓輸入線、參考電壓端要盡量遠(yuǎn)離數(shù)字電路信號(hào)線,特別是時(shí)鐘¡?對(duì)¶A/D類類器件,數(shù)字部分與模擬部分不要交叉¡?元元件引腳盡量短,去藕電容引腳盡量短¡?關(guān)關(guān)鍵的線要盡量粗,并在兩邊加上保護(hù)地,高速線要短要直¡?對(duì)對(duì)噪聲敏感的線不要與大電流,高速開關(guān)線并行¡?弱弱信號(hào)電路,低頻電路周圍不要形成電流環(huán)路¡?任任何信號(hào)都不要形成環(huán)路,如不可避免,讓環(huán)路區(qū)盡量小¡?每每個(gè)集成電路有一個(gè)去藕電容。每個(gè)電解電容邊上都要加一個(gè)小的高頻旁路電容¡?用用大容量的鉭電容或聚酷電容而不用電解電容做電路充放電儲(chǔ)能電容,使用管狀電容時(shí),外殼要接地¡?對(duì)對(duì)干擾十分敏感的信號(hào)線要設(shè)置包地,可以有效地抑制串?dāng)_¡?信信號(hào)在印刷板上傳輸,其延遲時(shí)間不應(yīng)大于所有器件的標(biāo)稱延遲時(shí)間¡環(huán)境效應(yīng)原Ô要注意所應(yīng)用的環(huán)境,例如在一個(gè)振動(dòng)或者其他容易使板子變形的環(huán)境中采用過(guò)細(xì)的銅膜導(dǎo)線很容易起皮拉斷等¡安全工作原Ô要保證安全工作,例如要保證兩線最小間距要承受所加電壓峰值,高壓線應(yīng)圓滑,不得有尖銳的倒角,否則容易造成板路擊穿等。組裝方便、規(guī)范原則走線設(shè)計(jì)要考慮組裝是否方便,例如印制板上有大面積地線和電源線區(qū)時(shí)(面積超¹500平平方毫米),應(yīng)局部開窗口以方便腐蝕等。此外還要考慮組裝規(guī)范設(shè)計(jì),例如元件的焊接點(diǎn)用焊盤來(lái)表示,這些焊盤(包括過(guò)孔)均會(huì)自動(dòng)不上阻焊油,但是如用填充塊當(dāng)表貼焊盤或用線段當(dāng)金手指插頭,而又不做特別處理,(在阻焊層畫出無(wú)阻焊油的區(qū)域),阻焊油將掩蓋這些焊盤和金手指,容易造成誤解性錯(cuò)誤£SMD器器件的引腳與大面積覆銅連接時(shí),要進(jìn)行熱隔離處理,一般是做一¸Track到到銅箔,以防止受熱不均造成的應(yīng)力集Ö而導(dǎo)致虛焊£PCB上上如果有¦12或或方Ð12mm以以上的過(guò)孔時(shí),必須做一個(gè)孔蓋,以防止焊錫流出等。經(jīng)濟(jì)原則遵循該原則要求設(shè)計(jì)者要對(duì)加工,組裝的工藝有足夠的認(rèn)識(shí)和了解,例È5mil的的線做腐蝕要±8mil難難,所以價(jià)格要高,過(guò)孔越小越貴等熱效應(yīng)原則在印制板設(shè)計(jì)時(shí)可考慮用以下幾種方法:均勻分布熱負(fù)載、給零件裝散熱器,局部或全局強(qiáng)迫風(fēng)冷。從有利于散熱的角度出發(fā),印制板最好是直立安裝,板與板的距離一般不應(yīng)小Ó2c,,而且器件在印制板上的排列方式應(yīng)遵循一定的規(guī)則£同一印制板上的器件應(yīng)盡可能按其發(fā)熱量大小及散熱程度分區(qū)排列,發(fā)熱量小或耐熱性差的器件(如小信號(hào)晶體管、小規(guī)模集³電路、電解電容等)放在冷卻氣流的最上(入口處),發(fā)熱量大或耐熱性好的器件(如功率晶體管、大規(guī)模集成電路等)放在冷卻Æ流最下。在水平方向上,大功率器件盡量靠近印刷板的邊沿布置,以便縮短傳熱路徑;在垂直方向上,大功率器件盡量靠近印刷板上方布置£以便減少這些器件在工作時(shí)對(duì)其他器件溫度的影響。對(duì)溫度比較敏感的器件最好安置在溫度最低的區(qū)域(如設(shè)備的µ部),千萬(wàn)不要將它放在發(fā)熱器件的正上方,多個(gè)器件最好是在水平面上交錯(cuò)布局¡設(shè)備內(nèi)印制板的散熱主要依靠空氣流動(dòng),所以在設(shè)計(jì)時(shí)要研究空氣流動(dòng)的路徑,合理配置器件或印制電路板。采用合理的器件排列方式,可以有效地降低印制電路的溫升。此外通過(guò)降額使用,做等溫處理等方法也是熱設(shè)計(jì)中經(jīng)常使用的手段¡

    標(biāo)簽: PCB 布線原則

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

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  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式,并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • PT4115---降壓恒流源,驅(qū)動(dòng)一顆或多顆串聯(lián)LED

    PT4115是一款連續(xù)電感電流導(dǎo)通模式的降壓恒流源,用于驅(qū)動(dòng)一顆或者多顆串聯(lián)LED。根據(jù)不同外部器件,芯片可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)數(shù)十瓦的LED。PT4115具有調(diào)光功能,通過(guò)DIM引腳實(shí)現(xiàn)模擬調(diào)光和寬范圍PWM調(diào)光。當(dāng)VDIM低于0.3V時(shí),功率開關(guān)關(guān)斷,芯片進(jìn)入低功耗待機(jī)狀態(tài) 主要技術(shù)參數(shù) ? 輸入電壓范圍:6V to 40V ? 最大輸出LED電流1.2A ? 5%的輸出電流精度 ? 高達(dá)97%的效率 ? 極少的外部器件 ? 復(fù)用DIM引腳進(jìn)行LED開關(guān)、模擬調(diào)光和PWM調(diào)光 ? LED開路保護(hù) ? LED過(guò)熱保護(hù) ? 輸出電流可調(diào)節(jié) ? 具有輸入欠壓保護(hù)功能 應(yīng)用 ? 低壓LED射燈代替鹵素?zé)?? 車載LED燈 ? LED備用燈 ? LED信號(hào)燈

    標(biāo)簽: 4115 LED PT 降壓

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:shengyj12345

  • 按鈕接通關(guān)斷控制器簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

    標(biāo)簽: 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

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  • 按鈕接通關(guān)斷控制器簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

    標(biāo)簽: 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-11

    上傳用戶:dianxin61

  • G5177 2A同步升壓IC-FOR移動(dòng)電源/手機(jī)MID等

    G5177為致新科技為移動(dòng)電源領(lǐng)域量身打造的2A輸出同步升壓IC,效率高達(dá)90%以上,價(jià)格便宜,周邊電子元件少,省肖特基和關(guān)斷MOS,整體成本大大降低,是移動(dòng)電源和移動(dòng)電源+WIFI方案的首選。 我們還有1A同步升壓產(chǎn)品可以P2P選擇。

    標(biāo)簽: IC-FOR G5177 MID 同步升壓

    上傳時(shí)間: 2013-10-12

    上傳用戶:tb_6877751

  • 高電壓輸入大電流輸出恒流源

    為了提高現(xiàn)有路燈的供電效率,開發(fā)設(shè)計(jì)了單燈恒流的供電模式,在每個(gè)路燈上安裝一個(gè)體積很小的的恒流源,以保障給LED燈提供穩(wěn)定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中,恒流源芯片HV9910B可以實(shí)現(xiàn)了高于70 V的電壓的輸入,在不同的輸入電壓下,恒流源芯片工作在恒定關(guān)斷模式下,控制輸出BUCK電路中的開關(guān)MOSE的占空比,以輸出恒定2.2 A的電流,LED燈串聯(lián)起來(lái)作為負(fù)載,效率達(dá)到了91%以上。

    標(biāo)簽: 高電壓 輸入 大電流 恒流源

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

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