MAX220–MAX249系列線驅動器/接收器，專為EIA/TIA- 232E以及V.28/V.24通信接口設計，尤其是無法提供±12V 電源的應用。 這些器件特別適合電池供電系統，這是由于其低功耗 關斷模式可以將功耗減小到5μW以內。MAX225、 MAX233、MAX235以及MAX245/MAX246/MAX247 不需要外部元件，推薦用于印刷電路板面積有限的 應用。
標簽： MAX 220 249 線驅動器
上傳時間： 2013-12-28
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基于MSP430的風機狀態監測板原理圖 使用485通訊，利用繼電器實現對風機的關斷和開啟
標簽： MSP 430 485 風機
上傳時間： 2013-12-31
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在控制單元的開關調整元件（T1）接通期間，能量流進貯能單元（C12）進行儲能，當開關調整元件關斷時，存儲在電容里的能量通過濾波直接給負載供電，取樣電路對輸出電壓進行取樣，反饋到運放比較的輸入端，運放電路將取樣電壓與PWM輸出電壓進行比較，比較之后輸出一定脈寬給控制單元，控制開關調整元件的導通時間，從而控制儲能輸出，使輸出值與預設值相等，減小誤差。同時，通過取樣電路對輸出取樣，送至單片機，經過內部模數轉換，按鍵切換時，LED便可顯示實際輸出值
標簽： 控制單元 開關 元件
上傳時間： 2013-12-21
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設計制作一個路燈自動照明的控制電路，當日照光亮到一定程度時使路燈自動熄滅，而日照光暗到一定程度時又能自動點亮，開啟和關斷的日照光亮度根據用戶的要求進行調節。設計計時電路，顯示路燈當前一次的連續開啟時間，設計計數顯示電路，統計路燈的開啟次數。
標簽： 路燈 自動照明 控制電路
上傳時間： 2014-11-27
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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似 雙向可控硅 于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅 ”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。 可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。 可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。
標簽： 雙向可控硅實用電路500例
上傳時間： 2015-05-07
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詳細分析了一種新穎的Boost 軟開關變換器，在傳統的Boost 變換器基礎上加上緩沖元件電感和電容，從而實現開關管的零電流開通和零電壓關斷。提出了基于DSP 的新型控制算法，該算法僅需在一個開關周期內采樣負載電流和輸入電壓來計算占空比，實現功率因數校正（PFC）的目的，控制簡單，實時性好。實驗結果表明，該新型的變換器工作在軟開關模式下，并且實現輸入側的單位功率因數。
標簽： Boost DSP PFC 軟開關 變換器
上傳時間： 2016-04-27
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BUCKBOOST電路原理分析uck變換器：也稱降壓式變換器，是一種輸出電壓小于輸入電壓的單管不隔離直流變換器。 圖中，Q為開關管，其驅動電壓一般為PWM(Pulse、width、modulation脈寬調制)信號，信號周期為Ts，則信號頻率為f=1/Ts，導通時間為Ton，關斷時間為Toff，則周期Ts=Ton+Toff，占空比Dy=、Ton/Ts。 Boost變換器：也稱升壓式變換器，是一種輸出電壓高于輸入電壓的單管不隔離直流變換器。 開關管Q也為PWM控制方式，但最大占空比Dy必須限制，不允許在Dy=1的狀態下工作。電感Lf在輸入側，稱為升壓電感。Boost變換器也有CCM和DCM兩種工作方式 Buck/Boost變換器：也稱升降壓式變換器，是一種輸出電壓既可低于也可高于輸入電壓的單管不隔離直流變換器，但其輸出電壓的極性與輸入電壓相反。Buck/Boost變換器可看做是Buck變換器和Bo
標簽： buckboost 電路
上傳時間： 2021-10-18
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本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
HX3330B 是一款內置 100V 功率 NMOS 高效率高 精度開關升壓型大功率 LED 恒流驅動芯片。HX3330B 采用固定關斷時間的鋒值電流控制方式，關斷時間 可以通過外部電容進行調節，工作頻率可以根據用 戶要求而改變。 HX3330B 通過調節外置的電流采樣電阻，能控 制高亮度的 LED 燈的驅動電流，使 LED 燈亮度達到 預期恒定亮度。 HX3330B 在 EN 端加 PWM 信號，可以進行 LED 燈 調光。HX3330B 內部還集成了 VDD 穩壓管，軟啟動 及過溫保護電路燈，減少外圍元件并提高了系統的 可靠性。HX3330B 并采用了 ESOP8 封裝。散熱片內置接 SW 腳。
標簽： HX3330B
上傳時間： 2021-11-05
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ME2215是一款工作于連續模式的電感降壓轉換器，可以使用比LED電壓高的電源，來驅動一個或數個串聯的LED。ME2215可以使用6V-36V的電源，并通過外置可調電阻，最大實現1A的電流。設置合適的電源和外圍器件，ME2215最大輸出功率可以達到30W。ME2215電路包括內置開關和高側電流檢測電路，可以利用外置電阻來設置平均輸出電流。通過控制VSET管腳，可以調節輸出電流低于設定值。VSET管腳可以使用DC或者PWM信號來控制。可以通過在VSET管腳對地接入外置電容，實現增加軟啟動時間。當VSET電壓低于0.2v，關斷開關，器件進入低功耗的待機狀態。
標簽： ME2215
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