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制程技術(shù)

  • 演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態(tài)或輸入數(shù)據(jù)

    演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態(tài)或輸入數(shù)據(jù),經(jīng)過電腦程序的有限次運(yùn)算,能夠得出所要求或期望的終止?fàn)顟B(tài)或輸出數(shù)據(jù)。本書介紹電腦科學(xué)中重要的演算法及其分析與設(shè)計(jì)技術(shù)

    標(biāo)簽: 算法

    上傳時(shí)間: 2017-06-09

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  • FLIR 雷達(dá)產(chǎn)品簡介

    文件中詳細(xì)介紹 FLIR 雷達(dá)產(chǎn)品的各項(xiàng)技術(shù)數(shù)據(jù)

    標(biāo)簽: FLIR 雷達(dá)

    上傳時(shí)間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • FLIR 雷達(dá) 重要技術(shù)單元

    文件中詳細(xì)列舉出FLIR雷達(dá)產(chǎn)品所使用的頻率波段以及發(fā)射功率資訊!

    標(biāo)簽: FLIR 雷達(dá)

    上傳時(shí)間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • 0.96寸OLED并口驅(qū)動(dòng)顯示.doc (4MB) - 34%

    OLED,即有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),由于同時(shí)具備自發(fā)光,不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異之特性,被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。其根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式的不同分為主動(dòng)式OLED(AMOLED)和被動(dòng)式OLED(PMOLED)。近年來,OLED因其優(yōu)勢在各領(lǐng)域有了突破性發(fā)展,并廣泛應(yīng)用于MP3顯示,在照明領(lǐng)域也有可觀的前景。許多公司也于展覽會(huì)、期刊等展示了OLED的各種先進(jìn)產(chǎn)品。本文將討論各種OLED技術(shù)和適當(dāng)?shù)钠珘弘娫垂?yīng)電路,而關(guān)于OLED技術(shù)和驅(qū)動(dòng)方法的選擇,也會(huì)影響電源供應(yīng)電路的需求。并應(yīng)用單片機(jī)驅(qū)動(dòng)OLED顯示相應(yīng)文字圖案。  

    標(biāo)簽: 0.96寸OLED并口驅(qū)動(dòng)顯示

    上傳時(shí)間: 2015-06-08

    上傳用戶:linglanhua

  • FPC全制程技術(shù)講解

    使用壓板的目的: ? 防止產(chǎn)品表面產(chǎn)生毛邊。 ? 鉆孔時(shí)散發(fā)熱量。 ? 可引導(dǎo)鉆頭進(jìn)入FPC板的軌道作用。 ? 鉆頭的清潔作用。 壓板的種類有酚醛樹脂板,鋁合金板,紙苯酚板。 酚醛樹脂板本身有種軌道作用,鋁合金板則散熱好, 紙苯酚板對(duì)鉆頭的磨損較小。但是鋁合金板的耐熱性 能不佳,在加工熱量很大的時(shí)候,會(huì)產(chǎn)生鋁的熔化在 鉆頭尖部附著成一硬塊。所以一般在FPC鉆孔加工中 選用0.3mm—0.5mm厚度的酚醛樹脂板作為壓板。

    標(biāo)簽: FPC 制程技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2018-04-17

    上傳用戶:yulin3192

  • 溫度傳感器

    溫度傳感器的市場規(guī)模、相關(guān)代表公司、以及對(duì)應(yīng)的工藝技術(shù)制程

    標(biāo)簽: 溫度傳感器

    上傳時(shí)間: 2020-09-19

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  • 高速電路設(shè)計(jì) 詳細(xì)基礎(chǔ)理論知識(shí)

    設(shè)計(jì)高速電路必須考慮高速訊 號(hào)所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng),所以訊號(hào)完整性 (signal  integrity)將是考量設(shè)計(jì)電路優(yōu)劣的一項(xiàng)重要指標(biāo),電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應(yīng),才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計(jì), 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項(xiàng)目之一。另外了解高速訊號(hào)所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。目前高速示波器的功能越來越多,使用上很複雜,必須事先 進(jìn)修學(xué)習(xí),否則無法全盤了解儀器之功能,因而無法有效發(fā)揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號(hào)量測與介面的一些測試規(guī)範(fàn)也必須熟悉,像眼圖分析,探針 效應(yīng),抖動(dòng)(jitter)測量規(guī)範(fàn)及高速串列介面量測規(guī)範(fàn)等實(shí)務(wù)技術(shù),必須充分 了解研究學(xué)習(xí),進(jìn)而才可設(shè)計(jì)出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。

    標(biāo)簽: 高速電路

    上傳時(shí)間: 2021-11-02

    上傳用戶:jiabin

  • 芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體研磨類技術(shù)資料合集“ Semiconductor-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí).pdf 半導(dǎo)體

    芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體研磨類技術(shù)資料合集“Semiconductor-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí).pdf半導(dǎo)體-第十六講-新型封裝.ppt半導(dǎo)體CMP工藝介紹.ppt半導(dǎo)體IC工藝流程.doc半導(dǎo)體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt半導(dǎo)體封裝制程及其設(shè)備介紹.ppt半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹.doc

    標(biāo)簽: 芯片制造 半導(dǎo)體

    上傳時(shí)間: 2021-11-02

    上傳用戶:jiabin

  • 芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集: 300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf 6-英寸重?fù)缴楣鑶尉?/a>

    芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集:300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf6-英寸重?fù)缴楣鑶尉Ъ皰伖馄?pdf666化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究進(jìn)展.pdf化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題.pdf化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進(jìn)展.pdf化學(xué)機(jī)械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導(dǎo)體工藝.ppt半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt拋光技術(shù)及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅(jiān).pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf

    標(biāo)簽: 芯片制造 硅單晶 拋光片

    上傳時(shí)間: 2021-11-02

    上傳用戶:wangshoupeng199

  • eMMC詳細(xì)介紹

    一. eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,主要是針對(duì)手機(jī)產(chǎn)品為主。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個(gè)控制器, 它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存, 使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分,并縮短向市場推出產(chǎn)品的時(shí)間。這些特點(diǎn)對(duì)于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說,具有同樣的重要性。二. eMMC的優(yōu)點(diǎn)eMMC目前是最當(dāng)紅的移動(dòng)設(shè)備本地存儲(chǔ)解決方案,目的在于簡化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等,入時(shí),都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來重新設(shè)計(jì),過去并沒有哪個(gè)技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代,包括70 納米演進(jìn)至50 納米,再演進(jìn)至40 納米或30 納米制程技術(shù),手機(jī)客戶也都要重新設(shè)計(jì), 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會(huì)推陳出新, 存儲(chǔ)器問題也拖累手機(jī)新機(jī)種推出的速度,因此像eMMC這種把所有存儲(chǔ)器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念,逐漸風(fēng)行起來。eMMC的設(shè)計(jì)概念,就是為了簡化手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的使用,將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計(jì)成1 顆MCP芯片,手機(jī)客戶只需要采購eMMC芯片,放進(jìn)新手機(jī)中,不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問題,最大優(yōu)點(diǎn)是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本,加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快,特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后,對(duì)Flash 的管理是個(gè)巨大挑戰(zhàn),使用eMMC產(chǎn)品,主芯片廠商和客戶就無需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化,只要通過eMMC的標(biāo)準(zhǔn)接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時(shí)間。eMMC可以很好的解決對(duì)MLC 和TLC 的管理, ECC 除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲(chǔ)存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理( Command Managemen)t,低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點(diǎn)在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時(shí)間,不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代,也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片,如此, eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時(shí)間,保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。

    標(biāo)簽: emmc

    上傳時(shí)間: 2022-06-20

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