一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對(duì)手機(jī)產(chǎn)品為主。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器， 它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存， 使得手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間。這些特點(diǎn)對(duì)于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優(yōu)點(diǎn)eMMC目前是最當(dāng)紅的移動(dòng)設(shè)備本地存儲(chǔ)解決方案，目的在于簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時(shí)，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來重新設(shè)計(jì)，過去并沒有哪個(gè)技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代，包括70 納米演進(jìn)至50 納米，再演進(jìn)至40 納米或30 納米制程技術(shù)，手機(jī)客戶也都要重新設(shè)計(jì)， 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會(huì)推陳出新， 存儲(chǔ)器問題也拖累手機(jī)新機(jī)種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲(chǔ)器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行起來。eMMC的設(shè)計(jì)概念，就是為了簡(jiǎn)化手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計(jì)成1 顆MCP芯片，手機(jī)客戶只需要采購(gòu)eMMC芯片，放進(jìn)新手機(jī)中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優(yōu)點(diǎn)是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快，特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后，對(duì)Flash 的管理是個(gè)巨大挑戰(zhàn)，使用eMMC產(chǎn)品，主芯片廠商和客戶就無需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化，只要通過eMMC的標(biāo)準(zhǔn)接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時(shí)間。eMMC可以很好的解決對(duì)MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯(cuò)機(jī)制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲(chǔ)存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點(diǎn)在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時(shí)間，不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時(shí)間，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。
標(biāo)簽： emmc
上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：jiabin
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉(zhuǎn)移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實(shí)現(xiàn)；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用CMOS集成電路工藝制程中實(shí)現(xiàn)，除此之外還可將圖像處理電路集成，實(shí)現(xiàn)更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數(shù)幾個(gè)廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術(shù)。CIS是90年代興起的新技術(shù)，掌握該技術(shù)的公司較多，美國(guó)有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國(guó)的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國(guó)臺(tái)灣的晶像；大陸地區(qū)的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術(shù)出現(xiàn)早，相對(duì)成熟，前期占據(jù)了絕大部分的高端市場(chǎng)。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優(yōu)勢(shì)明顯，因此多用于手機(jī)，PCCamera等便攜產(chǎn)品。隨著CIS技術(shù)的不斷進(jìn)步，性能不斷提升；而CCD技術(shù)提升空間有限，進(jìn)步緩慢。目前CIS不僅占據(jù)幾乎全部的便攜設(shè)備市場(chǎng)，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場(chǎng)，更是向CCD傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)市場(chǎng)——監(jiān)控市場(chǎng)發(fā)起沖擊。下面就監(jiān)控專用CIS與傳統(tǒng)CCD進(jìn)行綜合對(duì)比。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
上傳用戶：
本文大致可劃分為四大部分。首先簡(jiǎn)單探討LED，其次重點(diǎn)論述LED封裝技術(shù)，然后簡(jiǎn)單介紹LED相關(guān)術(shù)語、LED相關(guān)工具，最后總結(jié)。經(jīng)過對(duì)大量文獻(xiàn)的閱讀分析論證，LED封裝技術(shù)主要涉及到封裝設(shè)計(jì)、封裝材料、封裝設(shè)備、封裝過程、封裝工藝五大方面。封裝設(shè)計(jì)是先導(dǎo)，封裝材料是基礎(chǔ)，封裝設(shè)備是關(guān)鍵，封裝過程是支柱，封裝工藝是核心。封裝過程大致可分為固品、焊線、灌膠、測(cè)試、分光五個(gè)階段。封裝工藝，主要體現(xiàn)為生產(chǎn)過程中的各個(gè)階段各個(gè)環(huán)節(jié)各個(gè)步驟的技術(shù)要領(lǐng)和注意事項(xiàng)，在LED封裝生產(chǎn)中至關(guān)重要，否則即使芯片質(zhì)量好、輔材匹配好、設(shè)備精度高、封裝設(shè)計(jì)優(yōu)，若工藝不正確或品控不嚴(yán)格，最終也會(huì)影響LED封裝產(chǎn)品的合格率、可靠性、熱學(xué)特性及光學(xué)特性等。總之，合格的工藝能保證LED器件的質(zhì)量，改進(jìn)的工藝能降低LED器件的成本，先進(jìn)的工藝能提高LED器件的性能。因此，本文重點(diǎn)在于對(duì)LED封裝工藝進(jìn)行分析和綜合，簡(jiǎn)單介紹了封裝設(shè)計(jì)，封裝材料、封裝設(shè)備、封裝過程，詳細(xì)地說明了封裝工藝，總結(jié)了LED封裝工藝的技術(shù)要領(lǐng)、注意事項(xiàng)，明確了LED封裝有哪些工序、流程、制程、過程、環(huán)節(jié)，每個(gè)工序用什么材料，材料怎么檢查怎么倉(cāng)儲(chǔ)怎么使用，用什么工具，工具怎么使用，操作步驟順序和方法是怎樣的，操作中要注意哪些事項(xiàng)，執(zhí)行要達(dá)到什么標(biāo)準(zhǔn)，還分析了死燈的原因，介紹了LED封裝生產(chǎn)過程中的靜電防護(hù)措施。
標(biāo)簽： led
上傳時(shí)間： 2022-06-26
上傳用戶：zhaiyawei
Sentaurus TCAD全面繼承了Tsuprem4，Medici和ISE-TCAD的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，它可以用來模擬集成器件的工藝制程，器件物理特性和互連線特性等。Sentaurus TCAD提供全面的產(chǎn)品套件，其中包括Sentaurus Workbench, Ligament, Sentaurus Process, Sentaurus Structure Editor, Mesh Noffset3D, Sentaurus Device, Tecplot SV Inspect, Advanced Calibration等等。Sentaurus Process和Sentaurus Device可以支持的仿真器件類型非常廣泛，包括CMOS，功率器件，存儲(chǔ)器，圖像傳感器，太陽能電池，和模擬/射頻器件。sentaurus TCAD還提供互連建模和參數(shù)提取工具，為優(yōu)化芯片性能提供關(guān)鍵的寄生參數(shù)信息。
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 tcad
上傳時(shí)間： 2022-06-30
上傳用戶：shjgzh
本書是一部介紹半導(dǎo)體集成電路和器件技術(shù)的專業(yè)書籍。其英文版在半導(dǎo)體領(lǐng)域享有很高的聲譽(yù)．被列為業(yè)界最暢銷的書籍之一，第五版的出版就是最好的證明。 本書的范圍包括半導(dǎo)體工藝的每個(gè)階段．從原材料制備到封裝、測(cè)試以及傳統(tǒng)和現(xiàn)代工藝。每章包含有習(xí)題和復(fù)習(xí)總結(jié)，并輔以豐富的術(shù)語表。本書主要特點(diǎn)是簡(jiǎn)潔明了，避開了復(fù)雜的數(shù)學(xué)理論．非常便于讀者理解。本書與時(shí)俱進(jìn)地加入了半導(dǎo)體業(yè)界的最新成果．可使讀者了解工藝技術(shù)發(fā)展的最新趨勢(shì)。本書可作為離等院校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)和職業(yè)技術(shù)培訓(xùn)的教材，也可作為半導(dǎo)體專業(yè)人員的參考書。本版新增內(nèi)容? 納米技術(shù)? "綠色”工藝和器件? 300 mm 昆圖 工藝? 新的制造技術(shù)提升? 下一代光刻技術(shù)
標(biāo)簽： 芯片制造 半導(dǎo)體工藝制程
上傳時(shí)間： 2022-07-16
上傳用戶：fliang
VIP專區(qū)-PCB源碼精選合集系列（25）資源包含以下內(nèi)容：1. 電磁兼容設(shè)計(jì)-電路板級(jí)(電子書).2. 開關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)(英文版).3. SOD323A/123/523/723封裝尺寸.4. 地環(huán)路干擾策略與地線設(shè)計(jì).5. 華碩內(nèi)部的PCB基本規(guī)范.6. 阻抗匹配.7. PCB電源設(shè)計(jì)經(jīng)典資料.8. 華為pcb布線規(guī)范免費(fèi)下載.9. pci e PCB設(shè)計(jì)規(guī)范.10. PCB電磁輻射預(yù)實(shí)驗(yàn)技術(shù)研究.11. pcb檢查標(biāo)準(zhǔn).12. 共模干擾差模干擾及其抑制技術(shù)分析.13. 傳輸線與電路觀點(diǎn)詳解.14. 關(guān)鍵電路EMC設(shè)計(jì)技術(shù).15. 傳輸線理論與阻抗匹配.16. pcb電磁兼容設(shè)計(jì).17. 被動(dòng)組件之電感設(shè)計(jì)與分析.18. 傳輸線理論.19. pcb專業(yè)術(shù)語詞典.20. I2C總線器件在高抗干擾系統(tǒng)中的應(yīng)用.21. 國(guó)外生產(chǎn)廠商型號(hào)前綴互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)址.22. pcb Layout 設(shè)計(jì)從基礎(chǔ)到實(shí)踐多媒體教程.23. 電容器的寄生作用與雜散電容.24. 高速電路信號(hào)完整性分析之應(yīng)用篇.25. PCB設(shè)計(jì)時(shí)銅箔厚度,走線寬度和電流的關(guān)系.26. 阻抗特性設(shè)計(jì)要求.27. PCB板各個(gè)層的含義.28. 電磁兼容培訓(xùn)教材.29. IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介).30. BGA出線規(guī)則.31. 電路板級(jí)的電磁兼容設(shè)計(jì).32. PCB電子書刊12期.33. BMP轉(zhuǎn)為PCB圖的抄板軟件winbtp2.34. protel畫板軟件.35. Sprint-Layout V5.0免安裝中文版.36. PADS9.5完整版下載地址（含破解和補(bǔ)丁）.37. PCB四層板設(shè)計(jì)原理下載.38. PCB快速拼版軟件(企業(yè)版)下載.39. PADS9.5_3in1.40. pcb彩色抄板軟件破解版下載.
上傳時(shí)間： 2013-06-03
上傳用戶：eeworm
半導(dǎo)體切片 保存到我的百度網(wǎng)盤 下載 芯片封裝詳細(xì)圖解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片機(jī)張刀對(duì)切片質(zhì)量的影響-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 內(nèi)圓切片機(jī)設(shè)計(jì).pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半導(dǎo)體集成電路(最終版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半導(dǎo)體晶體的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半導(dǎo)體材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰凍切片的制備.docx 23KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體全制程介紹.doc 728KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝技術(shù).ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工業(yè)簡(jiǎn)介-簡(jiǎn)體中文...ppt 半導(dǎo)體清洗 新型半導(dǎo)體清洗劑的清洗工藝.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工藝提升中的半導(dǎo)體清洗技術(shù).pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超聲波清洗技術(shù)的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半導(dǎo)體制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制造工藝第3章-清-洗-工-藝.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體清洗技術(shù)面臨變革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓自動(dòng)清洗設(shè)備.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的污染雜質(zhì)及清洗技術(shù).pdf 412KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝-晶圓清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體第五講硅片清洗(4課時(shí)).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).pdf 52KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC清洗技術(shù).doc 半導(dǎo)體拋光 直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 拋光技術(shù)及拋光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進(jìn)展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蝕和拋光工藝的化學(xué)原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅拋光片-CMP-市場(chǎng)和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅(jiān).pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝化學(xué).ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體工藝.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究進(jìn)展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重?fù)缴楣鑶尉Ъ皰伖馄?pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅單晶及拋光片標(biāo)準(zhǔn).pdf 半導(dǎo)體研磨 半導(dǎo)體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹.docx 18KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體硅材料研磨液研究進(jìn)展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體封裝制程及其設(shè)備介紹.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體IC工藝流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體CMP工藝介紹.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半導(dǎo)體-第十六講-新型封裝.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí).pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-14
上傳用戶：eeworm
參考蕭峰工作室的串口例程,使用mscomm 6.0編寫,創(chuàng)新之處在于程序啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)檢測(cè)并安裝ocx控件,自動(dòng)檢測(cè)串口,單個(gè)文件方便使用,不需要手動(dòng)安裝ocx控件,另外也有許多細(xì)小功能的增加,如16進(jìn)制自動(dòng)過濾,設(shè)置參數(shù)的自動(dòng)保存,相當(dāng)穩(wěn)定和人性化,界面布局參考了"串口調(diào)試器 2002",謝謝上面的兩位大俠. 使用VC++ 2005編譯,winxp home/pro測(cè)試,本人開發(fā)中長(zhǎng)期使用.
上傳時(shí)間： 2014-06-01
上傳用戶：xuanjie
給 出Windows 95 環(huán) 境 下 用Visual C++ 進(jìn) 行ODBC 編 程 的 具 體 方 法 及 技 巧。
標(biāo)簽： Windows Visual ODBC 95
上傳時(shí)間： 2013-12-08
上傳用戶：zhuimenghuadie
圍繞 工業(yè)現(xiàn) 場(chǎng) 測(cè)控網(wǎng)絡(luò) 、 遠(yuǎn) 程 智能 測(cè)控 、網(wǎng)絡(luò) 化 分布 式 智 能測(cè) 控 等技 術(shù)中的國(guó) 內(nèi)外研 究 熱點(diǎn) 問題 ， 闡述 了其發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)特點(diǎn)，分析了其關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì) 。
標(biāo)簽： 工業(yè) 分布 測(cè)控網(wǎng)絡(luò) 測(cè)控
上傳時(shí)間： 2013-12-13
上傳用戶：上善若水
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
