第一章 傳輸線理論一 傳輸線原理二 微帶傳輸線三 微帶傳輸線之不連續分析第二章 被動組件之電感設計與分析一 電感原理二 電感結構與分析三 電感設計與模擬四 電感分析與量測傳輸線理論與傳統電路學之最大不同，主要在于組件之尺寸與傳導電波之波長的比值。當組件尺寸遠小于傳輸線之電波波長時，傳統的電路學理論才可以使用，一般以傳輸波長（Guide wavelength）的二十分之ㄧ（λ/20）為最大尺寸，稱為集總組件（Lumped elements）；反之，若組件的尺寸接近傳輸波長，由于組件上不同位置之電壓或電流的大小與相位均可能不相同，因而稱為散布式組件（Distributed elements）。 由于通訊應用的頻率越來越高，相對的傳輸波長也越來越小，要使電路之設計完全由集總組件所構成變得越來越難以實現，因此，運用散布式組件設計電路也成為無法避免的選擇。 當然，科技的進步已經使得集總組件的制作變得越來越小，例如運用半導體制程、高介電材質之低溫共燒陶瓷（LTCC）、微機電（MicroElectroMechanical Systems, MEMS）等技術制作集總組件，然而，其中電路之分析與設計能不乏運用到散布式傳輸線的理論，如微帶線（Microstrip Lines）、夾心帶線（Strip Lines）等的理論。因此，本章以討論散布式傳輸線的理論開始，進而以微帶傳輸線為例介紹其理論與公式，并討論微帶傳輸線之各種不連續之電路，以作為后續章節之被動組件的運用。
標簽： 傳輸線
上傳時間： 2013-11-10
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隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結合傳統的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數的萃取。
上傳時間： 2014-06-16
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在產業標準化已行之有年的SMT制程中,您需要100%符合標準SMT制程的經典精密取置設備,您更需要具高度生產及新進制程對應彈性的配套方案,滿足您的SMT生產過程中的那么一點點與眾不同的需要.
上傳時間： 2013-11-23
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OLED，即有機發光二極管（Organic Light-Emitting Diode），由于同時具備自發光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異之特性，被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。其根據驅動方式的不同分為主動式OLED（AMOLED）和被動式OLED（PMOLED）。近年來，OLED因其優勢在各領域有了突破性發展，并廣泛應用于MP3顯示，在照明領域也有可觀的前景。許多公司也于展覽會、期刊等展示了OLED的各種先進產品。本文將討論各種OLED技術和適當的偏壓電源供應電路，而關于OLED技術和驅動方法的選擇，也會影響電源供應電路的需求。并應用單片機驅動OLED顯示相應文字圖案。
標簽： 0.96寸OLED并口驅動顯示
上傳時間： 2015-06-08
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使用壓板的目的： ? 防止產品表面產生毛邊。 ? 鉆孔時散發熱量。 ? 可引導鉆頭進入FPC板的軌道作用。 ? 鉆頭的清潔作用。 壓板的種類有酚醛樹脂板，鋁合金板，紙苯酚板。 酚醛樹脂板本身有種軌道作用，鋁合金板則散熱好， 紙苯酚板對鉆頭的磨損較小。但是鋁合金板的耐熱性 能不佳，在加工熱量很大的時候，會產生鋁的熔化在 鉆頭尖部附著成一硬塊。所以一般在FPC鉆孔加工中 選用0.3mm—0.5mm厚度的酚醛樹脂板作為壓板。
上傳時間： 2018-04-17
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溫度傳感器的市場規模、相關代表公司、以及對應的工藝技術制程
標簽： 溫度傳感器
上傳時間： 2020-09-19
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芯片制造技術-半導體研磨類技術資料合集“Semiconductor-半導體基礎知識.pdf半導體-第十六講-新型封裝.ppt半導體CMP工藝介紹.ppt半導體IC工藝流程.doc半導體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt半導體封裝制程及其設備介紹.ppt半導體晶圓的生產工藝流程介紹.doc
上傳時間： 2021-11-02
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芯片制造技術-半導體拋光類技術資料合集：300mm硅單晶及拋光片標準.pdf6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf666化學機械拋光技術的研究進展.pdf化學機械拋光CMP技術的發展應用及存在問題.pdf化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展.pdf化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導體-第十四講-CMP.ppt半導體制程培訓CMP和蝕刻.pptx.ppt半導體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導體工藝.ppt半導體工藝化學.ppt拋光技術及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術現狀-張志堅.pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用.pdf
上傳時間： 2021-11-02
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規格，主要是針對手機產品為主。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標準接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分，并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優點eMMC目前是最當紅的移動設備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，過去并沒有哪個技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術，手機客戶也都要重新設計， 但半導體產品每1 年制程技術都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風行起來。eMMC的設計概念，就是為了簡化手機內存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優點是縮短新產品的上市周期和研發成本，加速產品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術變化很快，特別是TLC 技術和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰，使用eMMC產品，主芯片廠商和客戶就無需關注Flash 內部的制成和產品變化，只要通過eMMC的標準接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產品開發的難度和加快產品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區塊技術 (Wear Leveling) 、區塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優點在于生產廠商可節省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關心NAND Flash 芯片的制程技術演變和產品更新換代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產品上市的時間，保證產品的穩定性和一致性。
標簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
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CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實現；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現，除此之外還可將圖像處理電路集成，實現更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術。CIS是90年代興起的新技術，掌握該技術的公司較多，美國有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國臺灣的晶像；大陸地區的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術出現早，相對成熟，前期占據了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優勢明顯，因此多用于手機，PCCamera等便攜產品。隨著CIS技術的不斷進步，性能不斷提升；而CCD技術提升空間有限，進步緩慢。目前CIS不僅占據幾乎全部的便攜設備市場，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場，更是向CCD傳統優勢市場——監控市場發起沖擊。下面就監控專用CIS與傳統CCD進行綜合對比。
上傳時間： 2022-06-23
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