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第一章 傳輸線理論一 傳輸線原理二 微帶傳輸線三 微帶傳輸線之不連續(xù)分析第二章 被動組件之電感設(shè)計與分析一 電感原理二 電感結(jié)構(gòu)與分析三 電感設(shè)計與模擬四 電感分析與量測傳輸線理論與傳統(tǒng)電路學之最大不同，主要在于組件之尺寸與傳導(dǎo)電波之波長的比值。當組件尺寸遠小于傳輸線之電波波長時，傳統(tǒng)的電路學理論才可以使用，一般以傳輸波長（Guide wavelength）的二十分之ㄧ（λ/20）為最大尺寸，稱為集總組件（Lumped elements）；反之，若組件的尺寸接近傳輸波長，由于組件上不同位置之電壓或電流的大小與相位均可能不相同，因而稱為散布式組件（Distributed elements）。 由于通訊應(yīng)用的頻率越來越高，相對的傳輸波長也越來越小，要使電路之設(shè)計完全由集總組件所構(gòu)成變得越來越難以實現(xiàn)，因此，運用散布式組件設(shè)計電路也成為無法避免的選擇。 當然，科技的進步已經(jīng)使得集總組件的制作變得越來越小，例如運用半導(dǎo)體制程、高介電材質(zhì)之低溫共燒陶瓷（LTCC）、微機電（MicroElectroMechanical Systems, MEMS）等技術(shù)制作集總組件，然而，其中電路之分析與設(shè)計能不乏運用到散布式傳輸線的理論，如微帶線（Microstrip Lines）、夾心帶線（Strip Lines）等的理論。因此，本章以討論散布式傳輸線的理論開始，進而以微帶傳輸線為例介紹其理論與公式，并討論微帶傳輸線之各種不連續(xù)之電路，以作為后續(xù)章節(jié)之被動組件的運用。
標簽： 傳輸線
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：瀟湘書客
隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網(wǎng)絡(luò)等，高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計的實現(xiàn)與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù)，而近年來，由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛，加上電路設(shè)計趨向輕薄短小，電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質(zhì)，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術(shù)；此外，在低成本的無線通訊射頻應(yīng)用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質(zhì)量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結(jié)構(gòu)，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設(shè)計為例，說明電感參數(shù)的萃取。
標簽： 被動組件 電感 設(shè)計與分析
上傳時間： 2014-06-16
上傳用戶：南國時代
在產(chǎn)業(yè)標準化已行之有年的SMT制程中,您需要100%符合標準SMT制程的經(jīng)典精密取置設(shè)備,您更需要具高度生產(chǎn)及新進制程對應(yīng)彈性的配套方案,滿足您的SMT生產(chǎn)過程中的那么一點點與眾不同的需要.
標簽： SMT 貼片機
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：momofiona
OLED，即有機發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting Diode），由于同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異之特性，被認為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。其根據(jù)驅(qū)動方式的不同分為主動式OLED（AMOLED）和被動式OLED（PMOLED）。近年來，OLED因其優(yōu)勢在各領(lǐng)域有了突破性發(fā)展，并廣泛應(yīng)用于MP3顯示，在照明領(lǐng)域也有可觀的前景。許多公司也于展覽會、期刊等展示了OLED的各種先進產(chǎn)品。本文將討論各種OLED技術(shù)和適當?shù)钠珘弘娫垂?yīng)電路，而關(guān)于OLED技術(shù)和驅(qū)動方法的選擇，也會影響電源供應(yīng)電路的需求。并應(yīng)用單片機驅(qū)動OLED顯示相應(yīng)文字圖案。
標簽： 0.96寸OLED并口驅(qū)動顯示
上傳時間： 2015-06-08
上傳用戶：linglanhua
使用壓板的目的： ? 防止產(chǎn)品表面產(chǎn)生毛邊。 ? 鉆孔時散發(fā)熱量。 ? 可引導(dǎo)鉆頭進入FPC板的軌道作用。 ? 鉆頭的清潔作用。 壓板的種類有酚醛樹脂板，鋁合金板，紙苯酚板。 酚醛樹脂板本身有種軌道作用，鋁合金板則散熱好， 紙苯酚板對鉆頭的磨損較小。但是鋁合金板的耐熱性 能不佳，在加工熱量很大的時候，會產(chǎn)生鋁的熔化在 鉆頭尖部附著成一硬塊。所以一般在FPC鉆孔加工中 選用0.3mm—0.5mm厚度的酚醛樹脂板作為壓板。
標簽： FPC 制程技術(shù)
上傳時間： 2018-04-17
上傳用戶：yulin3192
溫度傳感器的市場規(guī)模、相關(guān)代表公司、以及對應(yīng)的工藝技術(shù)制程
標簽： 溫度傳感器
上傳時間： 2020-09-19
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芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體研磨類技術(shù)資料合集“Semiconductor-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識.pdf半導(dǎo)體-第十六講-新型封裝.ppt半導(dǎo)體CMP工藝介紹.ppt半導(dǎo)體IC工藝流程.doc半導(dǎo)體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt半導(dǎo)體封裝制程及其設(shè)備介紹.ppt半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹.doc
標簽： 芯片制造 半導(dǎo)體
上傳時間： 2021-11-02
上傳用戶：jiabin
芯片制造技術(shù)-半導(dǎo)體拋光類技術(shù)資料合集：300mm硅單晶及拋光片標準.pdf6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf666化學機械拋光技術(shù)的研究進展.pdf化學機械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題.pdf化學機械拋光技術(shù)及SiO2拋光漿料研究進展.pdf化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc半導(dǎo)體-第十四講-CMP.ppt半導(dǎo)體制程培訓(xùn)CMP和蝕刻.pptx.ppt半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf半導(dǎo)體工藝.ppt半導(dǎo)體工藝化學.ppt拋光技術(shù)及拋光液.docx直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf硅拋光片-CMP-市場和技術(shù)現(xiàn)狀-張志堅.pdf硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用.pdf
標簽： 芯片制造 硅單晶 拋光片
上傳用戶：wangshoupeng199
一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標準規(guī)格，主要是針對手機產(chǎn)品為主。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標準接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優(yōu)點eMMC目前是最當紅的移動設(shè)備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設(shè)計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來重新設(shè)計，過去并沒有哪個技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術(shù)，手機客戶也都要重新設(shè)計， 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風行起來。eMMC的設(shè)計概念，就是為了簡化手機內(nèi)存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優(yōu)點是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快，特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰(zhàn)，使用eMMC產(chǎn)品，主芯片廠商和客戶就無需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化，只要通過eMMC的標準接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時間，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。
標簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉(zhuǎn)移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實現(xiàn)；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現(xiàn)，除此之外還可將圖像處理電路集成，實現(xiàn)更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數(shù)幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術(shù)。CIS是90年代興起的新技術(shù)，掌握該技術(shù)的公司較多，美國有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國臺灣的晶像；大陸地區(qū)的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術(shù)出現(xiàn)早，相對成熟，前期占據(jù)了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優(yōu)勢明顯，因此多用于手機，PCCamera等便攜產(chǎn)品。隨著CIS技術(shù)的不斷進步，性能不斷提升；而CCD技術(shù)提升空間有限，進步緩慢。目前CIS不僅占據(jù)幾乎全部的便攜設(shè)備市場，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場，更是向CCD傳統(tǒng)優(yōu)勢市場——監(jiān)控市場發(fā)起沖擊。下面就監(jiān)控專用CIS與傳統(tǒng)CCD進行綜合對比。
標簽： cmos ccd 圖像傳感器
上傳時間： 2022-06-23
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