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制造方法

MEMS諧振器及其制造方法,以及MEMS振蕩器

200680048256-MEMS諧振器及其制造方法,以及MEMS振蕩器

標(biāo)簽： MEMS 諧振器 制造方法 振蕩器

上傳時(shí)間： 2013-11-02

上傳用戶：wangyi39
中國各種專利撰寫的方法在我國

中國各種專利撰寫的方法在我國，專利包括三個(gè)種類： 1.發(fā)明專利：發(fā)明專利的技術(shù)含量最高，發(fā)明人所花費(fèi)的創(chuàng)造性勞動(dòng)最多。新產(chǎn)品及其制造方法、使用方法都可申請發(fā)明專利。發(fā)明專利保護(hù)期為 20 年。 2.實(shí)用新型專利：只要有一些技術(shù)改進(jìn)就可以申請實(shí)用新型專利，要注意的是，只有設(shè)計(jì)產(chǎn)品構(gòu)造、形狀或其結(jié)合時(shí)，才可申請實(shí)用新型專利。實(shí)用新型專利保護(hù) 10 年。 3. 外觀設(shè)計(jì)：只要涉及產(chǎn)品的形狀、圖案或者其結(jié)合以及色彩與形狀、圖案的結(jié)合富有美感，并使用與工業(yè)上應(yīng)用的新設(shè)計(jì)，就可以申請外觀設(shè)計(jì)專利。外觀設(shè)計(jì)專利保護(hù) 10 年。

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上傳時(shí)間： 2017-03-08

上傳用戶：希醬大魔王
鋁電解電容器：詳細(xì)介紹原理，應(yīng)用，使用技巧

鋁電解電容器：詳細(xì)介紹原理，應(yīng)用，使用技巧電容器(capacitor)在音響組件中被廣泛運(yùn)用，濾波、反交連、高頻補(bǔ)償、直流回授...隨處可見。但若依功能及制造材料、制造方法細(xì)分，那可不是一朝一夕能說得明白。所以縮小范圍，本文只談電解電容，而且只談電源平滑濾波用的鋁質(zhì)電解電容。　每臺音響機(jī)器都要吃電源─除了被動(dòng)式前級，既然需要供電，那就少不了「濾波」這個(gè)動(dòng)作。不要和我爭，采用電池供電當(dāng)然無必要電源平滑濾波。但電池充電電路也有整流及濾波，故濾波電容器還是會(huì)存在。我們現(xiàn)在習(xí)用的濾波電容，正式的名稱應(yīng)是：鋁箔干式電解電容器。就我的觀察，除加拿大Sonic Frontiers真空管前級，曾在高壓穩(wěn)壓線路中選用PP塑料電容做濾波外，其它機(jī)種一概都是采用鋁箔干式電解電容；因此網(wǎng)友有必要對它多做了解。　面對電源穩(wěn)壓線路中擔(dān)任電源平滑濾波的電容器，你首先想到的會(huì)是什幺？─容量？耐壓？電容器的封裝外皮上一定有容量標(biāo)示，那是指靜電容量；也一定有耐壓標(biāo)示，那是指工作電壓或額定電壓。　工作電壓(working voltage)簡稱WV，為絕對安全值；若是surge voltage(簡稱SV或Vs)，就是涌浪電壓或崩潰電壓;，超過這個(gè)電壓值就保證此電容會(huì)被浪淹死─小心電容會(huì)爆！根據(jù)國際IEC 384-4規(guī)定，低于315V時(shí)，Vs=1.15×Vr，高于315V時(shí)，Vs=1.1×Vr。Vs是涌浪電壓，Vr是額定電壓(rated voltage)。

標(biāo)簽： 鋁電解電容器詳細(xì)介紹使用技巧

上傳時(shí)間： 2013-12-23

上傳用戶：gundan
WP380 -賽靈思堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)

　　可編程技術(shù)勢在必行 — 用更少的資源實(shí)現(xiàn)更多功能　隨時(shí)隨地降低風(fēng)險(xiǎn)、使用可編程硬件設(shè)計(jì)平臺快速開發(fā)差異化產(chǎn)品 — 驅(qū)使人們不斷探索能夠提供更大容量、更低功耗和更高帶寬的 FPGA 解決方案，用來創(chuàng)建目前 ASIC 和 ASSP 所能提供的系統(tǒng)級功能。賽靈思已經(jīng)開發(fā)出一種創(chuàng)新型 FPGA 設(shè)計(jì)和制造方法，能夠滿足“可編程技術(shù)勢在必行”的兩大關(guān)鍵要求。堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)是新一代 FPGA 的基礎(chǔ)，不僅超越了摩爾定律，而且實(shí)現(xiàn)的功能能夠滿足最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求。利用該技術(shù)，賽靈思縮短了批量交付最大型 FPGA 所需的時(shí)間，從而可以滿足最終客戶的批量生產(chǎn)需求。本白皮書將探討促使賽靈思開發(fā)堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)原因，以及使之實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新方法。

標(biāo)簽： 380 WP 賽靈思堆疊硅片

上傳時(shí)間： 2013-11-03

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WP380 -賽靈思堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)

　　可編程技術(shù)勢在必行 — 用更少的資源實(shí)現(xiàn)更多功能　隨時(shí)隨地降低風(fēng)險(xiǎn)、使用可編程硬件設(shè)計(jì)平臺快速開發(fā)差異化產(chǎn)品 — 驅(qū)使人們不斷探索能夠提供更大容量、更低功耗和更高帶寬的 FPGA 解決方案，用來創(chuàng)建目前 ASIC 和 ASSP 所能提供的系統(tǒng)級功能。賽靈思已經(jīng)開發(fā)出一種創(chuàng)新型 FPGA 設(shè)計(jì)和制造方法，能夠滿足“可編程技術(shù)勢在必行”的兩大關(guān)鍵要求。堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)是新一代 FPGA 的基礎(chǔ)，不僅超越了摩爾定律，而且實(shí)現(xiàn)的功能能夠滿足最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求。利用該技術(shù)，賽靈思縮短了批量交付最大型 FPGA 所需的時(shí)間，從而可以滿足最終客戶的批量生產(chǎn)需求。本白皮書將探討促使賽靈思開發(fā)堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)原因，以及使之實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新方法。

標(biāo)簽： 380 WP 賽靈思堆疊硅片

上傳時(shí)間： 2013-10-24

上傳用戶：Yue Zhong
金屬電容器的構(gòu)造及其制造方法

實(shí)用

標(biāo)簽： 金屬電容器 制造方法

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：dianxin61
600VFS結(jié)構(gòu)IGBT的設(shè)計(jì)

本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法，并通過和國內(nèi)某知名代工線合作，完成了器件制備和測試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進(jìn)行分析討論，然后結(jié)合代工線的特點(diǎn)，進(jìn)行了600V平面柵FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，最后完成版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行工藝流片。所設(shè)計(jì)的器件工藝流程為：先進(jìn)行器件背面的FS層制作，然后進(jìn)行正面結(jié)構(gòu)（包括元胞和終端）的制作，最后再進(jìn)行背面的P+區(qū)注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進(jìn)行了主要電學(xué)參數(shù)的測試和分析。測試結(jié)果為：耐壓大于700V、正向?qū)▔航档陀?.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設(shè)計(jì)要求。/本論文的研究成果對于促進(jìn)我國FS結(jié)構(gòu)IGBT的研究和產(chǎn)業(yè)化具有很好的參考價(jià)值，通過進(jìn)一步改進(jìn)工藝及結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率，最終可以形成有競爭力的產(chǎn)品。

標(biāo)簽： igbt

上傳時(shí)間： 2022-06-19

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ＣＡＸＡ制造工程師實(shí)體造型生成曲面的數(shù)控加工進(jìn)退刀方法的探討

ＣＡＸＡ制造工程師實(shí)體造型生成曲面的數(shù)控加工進(jìn)退刀方法的探討

標(biāo)簽： 制造工程師實(shí)體數(shù)控加工

上傳時(shí)間： 2013-07-01

上傳用戶：eeworm
CAXA制造工程師實(shí)體造型生成曲面的數(shù)控加工進(jìn)退刀方法

CAXA制造工程師實(shí)體造型生成曲面的數(shù)控加工進(jìn)退刀方法

標(biāo)簽： CAXA 制造工程師實(shí)體

上傳時(shí)間： 2013-04-15

上傳用戶：eeworm
介紹了一種機(jī)械測量的方法分析了某大型企業(yè)虛擬制造環(huán)境下產(chǎn)品開發(fā)質(zhì)量控制的主要需求, 提出了產(chǎn)品開發(fā)質(zhì)量控制的實(shí) 施方案, 探討了質(zhì)量控制的關(guān)鍵技術(shù)及解決途徑, 最后研究了基于PDM的產(chǎn)品開發(fā)流程重構(gòu)

介紹了一種機(jī)械測量的方法分析了某大型企業(yè)虛擬制造環(huán)境下產(chǎn)品開發(fā)質(zhì)量控制的主要需求, 提出了產(chǎn)品開發(fā)質(zhì)量控制的實(shí) 施方案, 探討了質(zhì)量控制的關(guān)鍵技術(shù)及解決途徑, 最后研究了基于PDM的產(chǎn)品開發(fā)流程重構(gòu)及其規(guī)范化問題。本文所闡述的方法具有廣泛的適用性, 對于實(shí)施虛擬制造的企業(yè)具有很好的借鑒作用。

標(biāo)簽： 產(chǎn)品開發(fā) 質(zhì)量控制 PDM 機(jī)械

上傳時(shí)間： 2013-12-23

上傳用戶：haohaoxuexi

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制造方法

MEMS諧振器及其制造方法,以及MEMS振蕩器

中國各種專利撰寫的方法在我國

鋁電解電容器：詳細(xì)介紹原理，應(yīng)用，使用技巧

WP380 -賽靈思堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)

WP380 -賽靈思堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)

金屬電容器的構(gòu)造及其制造方法

600VFS結(jié)構(gòu)IGBT的設(shè)計(jì)

ＣＡＸＡ制造工程師實(shí)體造型生成曲面的數(shù)控加工進(jìn)退刀方法的探討

CAXA制造工程師實(shí)體造型生成曲面的數(shù)控加工進(jìn)退刀方法