?? 創造技術資料

?? 資源總數：78
?? 技術文檔：1
?? 源代碼：310
探索創造的無限可能，本頁面匯集了78個精選資源，專為激發電子工程師的創新靈感而設。從基礎電路設計到高級嵌入式系統開發，涵蓋物聯網、智能家居、機器人技術等多個前沿領域。無論您是初學者還是資深開發者，這里都有助于提升您的技能，解決實際問題。立即加入我們，開啟您的創新之旅，讓每一個創意都能成為改變世界的起點。

?? 創造熱門資料

查看全部78個資源 ?

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier...

?? ?? shancjb

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程 的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些 可靠度的問題。...

?? ?? shancjb

關于代換EMC/I是沒有變化的，但有種些情況比較特殊，用插件的肖特基二極管，這個封裝和貼片SM7的封裝有很大區別，往往找個合適的地方一焊就測試，發現EMC/I高了點，這個問題是因為走線回路過長造成的，建議從變壓器引腳出來接同步整流IC，直接到電容，回路做到最短。...

??

?? 創造技術文檔

查看更多 ?

?? 創造源代碼

查看更多 ?
?? 創造資料分類