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功率<b>器件</b>

  • 最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè) 3.4M.pdf

    實(shí)用電子技術(shù)專輯 385冊(cè) 3.609G最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè) 3.4M.pdf

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    上傳時(shí)間: 2014-05-05

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  • 最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè) 3.4M.pdf

    開(kāi)關(guān)電源相關(guān)專輯 119冊(cè) 749M最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁(yè) 3.4M.pdf

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  • 功率半導(dǎo)體器件———原理 特性和可靠性

    本書(shū)介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、 結(jié)構(gòu)、 特性和可靠性技術(shù), 器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件, 包括二極管、 晶閘管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外, 還包含了制造工藝、 測(cè)試技術(shù)和損壞機(jī)理分析。 就其內(nèi)容的全面性和結(jié)構(gòu)的完整性來(lái)說(shuō), 在同類專業(yè)書(shū)籍中是不多見(jiàn)的。本書(shū)內(nèi)容新穎, 緊跟時(shí)代發(fā)展, 除了介紹經(jīng)典的功率二極管、 晶閘管外, 還重點(diǎn)介紹了MOSFET、 IGBT 等現(xiàn)代功率器件, 頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的最新的成果。 本書(shū)是一本精心編著, 并根據(jù)作者多年教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和工程實(shí)踐不斷補(bǔ)充更新的好書(shū), 相信它的翻譯出版, 必將有助于我國(guó)電力電子事業(yè)的發(fā)展。本書(shū)的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、 功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書(shū)適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書(shū), 亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書(shū)之用。

    標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間: 2021-11-07

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  • 寬禁帶功率半導(dǎo)體器件技術(shù)總結(jié)

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    標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間: 2021-12-08

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  • SiC功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷程 優(yōu)勢(shì)和發(fā)展前景講解

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    標(biāo)簽: sic 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間: 2021-12-15

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  • 功率半導(dǎo)體器件芯片背面多層金屬層技術(shù)(精)

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    標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間: 2021-12-15

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  • 各種功率半導(dǎo)體器件和IGBT電路符號(hào)總結(jié)

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    標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體 igbt 電路

    上傳時(shí)間: 2021-12-16

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  • SiC功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)及發(fā)展前景總結(jié)

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    標(biāo)簽: sic 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間: 2021-12-18

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  • 9bGaN功率半導(dǎo)體器件

    該文檔為9bGaN功率半導(dǎo)體器件講解文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………

    標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體器件 GaN

    上傳時(shí)間: 2022-01-27

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  • 功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用

    功率半導(dǎo)體器件與應(yīng)用,是一本很好的書(shū)籍。從事功率器件,IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)開(kāi)發(fā)工作,會(huì)有很大幫助。

    標(biāo)簽: 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間: 2022-01-31

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