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功率二極管

LED電源驅(qū)動(dòng)器測(cè)試解決方案

發(fā)光二極體(Light Emitting Diode, LED)為半導(dǎo)體發(fā)光之固態(tài)光源。它成為具省電、輕巧、壽命長(zhǎng)、環(huán)保(不含汞)等優(yōu)點(diǎn)之新世代照明光源。目前LED已開始應(yīng)用於液晶顯示

標(biāo)簽： LED 電源方案驅(qū)動(dòng)器

上傳時(shí)間： 2013-04-24

上傳用戶：王慶才
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
常見正反激開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

常見DC/DC電源變換器的拓?fù)漕愋鸵姳?～表3所列。表中給出不同的電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)也給出相應(yīng)的電壓及電流波形(設(shè)相關(guān)的電感電流為連續(xù)工作方式)。PWM表示脈寬調(diào)制波形，U1為直流輸入電壓，UDS為功率丌關(guān)管S1(MOSFFT)的漏一源極電壓。ID1為S1的漏極電流。IF1為D1的工作電流，U0為輸出電壓，IL為負(fù)載電流。T為周期，t為UO呈高電平(或低電平)的時(shí)問及開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，D為占空比，有關(guān)系式：D=t/T。C1、C2均為輸入端濾波電容，CO為輸出端濾波電容，L1、L2為電感。 1、常見單管DC/DC電源變換器

標(biāo)簽： 正反激開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

上傳時(shí)間： 2013-10-19

上傳用戶：1966640071
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2013-11-04

上傳用戶：372825274
光纖光纜測(cè)試講義

第一章光纖連接在介紹光纖光纜性能檢測(cè)方法之前，先講述光纖連接特別是光纖端面處理和熔接技術(shù)，作為必須掌握的基本技能訓(xùn)練。實(shí)際的光通信系統(tǒng)由光發(fā)射器、光傳輸通道（光纖）、光接收器三個(gè)主要部分組成，光纖光纜的傳輸性能檢測(cè)系統(tǒng)也同樣如此。系統(tǒng)各部分之間的銜接就是光耦合或光纖連接問題。通信系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)都要求各部分之間光耦合有高耦合效率、穩(wěn)定可靠、連接損耗小的連接。而且光耦合和光纖連接技術(shù)是光纖通信系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)中一門非?；竞蛯?shí)用的技術(shù)。第一節(jié)光耦合一、光纖與光源的耦合在光纖通信系統(tǒng)和光纖傳輸特性檢測(cè)系統(tǒng)中使用多種光源，有半導(dǎo)體激光器、氣體激光器、液體激光器、發(fā)光二極管、寬光譜光源等等。它們大致可以分為兩大類，一類是相干光源，如各種激光器；另一類是非相干光源，如發(fā)光二極管、寬光譜光源（白熾燈）。光耦合先要解決如何高效率地把光源發(fā)射的光注入到傳輸通道中去的問題。為此，先了解一下光源的特性。

標(biāo)簽： 光纖光纜測(cè)試講義

上傳時(shí)間： 2013-10-30

上傳用戶：xinshou123456
小功率晶閘管的課程設(shè)計(jì)

電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： 小功率晶閘管

上傳時(shí)間： 2013-11-01

上傳用戶：李彥東
先進(jìn)的高壓大功率器件——原理特性和應(yīng)用

本書共11章。第1章簡(jiǎn)要介紹了高電壓功率器件的可能應(yīng)用，定義了理想功率開關(guān)的電特性，并與典型器件的電特性進(jìn)行了比較。第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。第4章討論了硅門極關(guān)斷（GTO）晶閘管結(jié)構(gòu)。第5章致力于分析硅基IGBT結(jié)構(gòu)，以提供對(duì)比分析的標(biāo)準(zhǔn)。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結(jié)構(gòu)。碳化硅MOSFET 和IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于保護(hù)柵氧化層，以防止其提前擊穿。另外，必須屏蔽基區(qū)，以避免擴(kuò)展擊穿。這些器件的導(dǎo)通電壓降由溝道電阻和緩沖層設(shè)計(jì)所決定。第8章和第9章討論了金屬氧化物半導(dǎo)體控制晶閘（MCT）結(jié)構(gòu)和基極電阻控制晶閘管（BRT）結(jié)構(gòu)，后者利用MOS柵控制晶閘管的導(dǎo)通和關(guān)斷。第10章介紹了發(fā)射極開關(guān)晶閘（EST），該種結(jié)構(gòu)也利用一種MOS柵結(jié)構(gòu)來控制晶閘管的導(dǎo)通與關(guān)斷，并可利用IGBT加工工藝來制造。這種器件具有良好的安全工作區(qū)。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結(jié)構(gòu)。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書，亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。

標(biāo)簽： 大功率器件

上傳時(shí)間： 2021-11-02

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IGBT在不間斷電源(UPS)中的應(yīng)用

在UPS中使用的功率器件有雙極型功率品體管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率品體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用 IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì) IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮 IGBT的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。2.IGBT在UPS中的應(yīng)用情況絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種MOSFET 與雙極晶體管復(fù)合的器件。據(jù)東芝公司資料，1200V/100A 的IGBT的導(dǎo)通電阻是同一耐壓規(guī)格的功率 MOSFET 的1/10，而開關(guān)時(shí)間是同規(guī)格 GTR的1/10。由于這些優(yōu)點(diǎn)，IGBT廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)（UPS）的設(shè)計(jì)中。這種使用 IGBT的在線式UPS具有效率高，抗沖擊能力強(qiáng)、可靠性高的顯著優(yōu)點(diǎn)。UPS主要有后備式、在線互動(dòng)式和在線式三種結(jié)構(gòu)。在線式 UPS以其可靠性高，輸出電壓穩(wěn)定，無中斷時(shí)間等顯著優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于通信系統(tǒng)、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機(jī)關(guān)的機(jī)房中。本文以在線式為介紹對(duì)象，UPS中的1GBT的應(yīng)用。

標(biāo)簽： igbt 不間斷電源 ups

上傳時(shí)間： 2022-06-22

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VIP專區(qū)-嵌入式/單片機(jī)編程源碼精選合集系列（25）

VIP專區(qū)-嵌入式/單片機(jī)編程源碼精選合集系列（25）資源包含以下內(nèi)容：1. 嵌入式GSM短信息接口的軟硬件設(shè)計(jì).2. 數(shù)字PID及其算法.3. cpress鼠標(biāo)固件源碼.4. 修改MAC的軟件.5. MM36SB020串行FLASH的簡(jiǎn)單例子.6. WINCE - CEPC.7. HOW TO Communicate with PDA by IrDA..8. 時(shí)間顯示例子 1.9. 用于lpc2104的顯示例子2.10. 可以在LPC2104上使用的顯示的例子.11. lwIP-Softools-11Jul2002-alpha.12. 語(yǔ)音自動(dòng)應(yīng)答系統(tǒng)源代碼.13. Wince 中ADO3.0的使用方法.14. pic單片板usb編程模板.15. CCDC01采集器測(cè)試儀軟件：拼音輸入法碼表.16. 用PIC16C54控制的電話擴(kuò)音器.17. 用2051播放音樂.18. CH451鍵盤顯示芯片的控制程序.19. 44b0上開發(fā)的油蛇吃豆的游戲.20. 44b0上usb的驅(qū)動(dòng)程序.21. 44b0上usb應(yīng)用程序?qū)嵗?22. 2407實(shí)驗(yàn)程序在CCS環(huán)境下運(yùn)行.23. TI的TMS320LF2407源代碼！.24. msp430開發(fā)的駐波表測(cè)試儀數(shù)字顯示的,國(guó)內(nèi)沒有的哦.25. 集成電路數(shù)據(jù)手冊(cè).26. 256色TFT.27. 8色TFT驅(qū)動(dòng)程序.28. 2051模擬PS2鍵盤和PC機(jī)通訊程序 6M下.29. DS1620 - 12F675溫度lcd顯示.30. 介紹嵌入式系統(tǒng)的一些基礎(chǔ)知識(shí)。.31. 對(duì)開放源碼的嵌入式仿真環(huán)境SkyEye的綜述。.32. 匣發(fā)光二術(shù)管的顯示程序.33. 通過7路AD轉(zhuǎn)換.34. 基本的時(shí)鐘中斷程序.35. 語(yǔ)音即錄即放程序.36. 時(shí)鐘的率調(diào)整程序.37. Protel DXP 常用庫(kù)元件.38. 乒乓球游戲機(jī)設(shè)計(jì).39. sdt文件移植為ads文件配置的改變.40. 44b0中斷的處理.

標(biāo)簽： 2.0 機(jī)械設(shè)計(jì) 軟件

上傳時(shí)間： 2013-07-15

上傳用戶：eeworm
開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過電流和過電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源功率分

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：dongqiangqiang