半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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常見DC/DC電源變換器的拓撲類型見表1～表3所列。表中給出不同的電路結構，同時也給出相應的電壓及電流波形(設相關的電感電流為連續工作方式)。PWM表示脈寬調制波形，U1為直流輸入電壓，UDS為功率丌關管S1(MOSFFT)的漏一源極電壓。ID1為S1的漏極電流。IF1為D1的工作電流，U0為輸出電壓，IL為負載電流。T為周期，t為UO呈高電平(或低電平)的時問及開關導通時間，D為占空比，有關系式：D=t/T。C1、C2均為輸入端濾波電容，CO為輸出端濾波電容，L1、L2為電感。 1、常見單管DC/DC電源變換器
上傳時間： 2013-10-19
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
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電力電子技術課程設計
上傳時間： 2013-11-01
上傳用戶：李彥東
本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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在UPS中使用的功率器件有雙極型功率品體管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率品體管的導通電壓低，通態電流大的優點、使用 IGBT成為UPS功率設計的首選，只有對 IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮 IGBT的優點。本文介紹UPS中的IGBT的應用情況和使用中的注意事項。2.IGBT在UPS中的應用情況絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種MOSFET 與雙極晶體管復合的器件。據東芝公司資料，1200V/100A 的IGBT的導通電阻是同一耐壓規格的功率 MOSFET 的1/10，而開關時間是同規格 GTR的1/10。由于這些優點，IGBT廣泛應用于不間斷電源系統（UPS）的設計中。這種使用 IGBT的在線式UPS具有效率高，抗沖擊能力強、可靠性高的顯著優點。UPS主要有后備式、在線互動式和在線式三種結構。在線式 UPS以其可靠性高，輸出電壓穩定，無中斷時間等顯著優點，廣泛用于通信系統、稅務、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機關的機房中。本文以在線式為介紹對象，UPS中的1GBT的應用。
上傳時間： 2022-06-22
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VIP專區-嵌入式/單片機編程源碼精選合集系列（25）資源包含以下內容：1. 嵌入式GSM短信息接口的軟硬件設計.2. 數字PID及其算法.3. cpress鼠標固件源碼.4. 修改MAC的軟件.5. MM36SB020串行FLASH的簡單例子.6. WINCE - CEPC.7. HOW TO Communicate with PDA by IrDA..8. 時間顯示例子 1.9. 用于lpc2104的顯示例子2.10. 可以在LPC2104上使用的顯示的例子.11. lwIP-Softools-11Jul2002-alpha.12. 語音自動應答系統源代碼.13. Wince 中ADO3.0的使用方法.14. pic單片板usb編程模板.15. CCDC01采集器測試儀軟件：拼音輸入法碼表.16. 用PIC16C54控制的電話擴音器.17. 用2051播放音樂.18. CH451鍵盤顯示芯片的控制程序.19. 44b0上開發的油蛇吃豆的游戲.20. 44b0上usb的驅動程序.21. 44b0上usb應用程序實例.22. 2407實驗程序在CCS環境下運行.23. TI的TMS320LF2407源代碼！.24. msp430開發的駐波表測試儀 數字顯示的,國內沒有的哦.25. 集成電路數據手冊.26. 256色TFT.27. 8色TFT驅動程序.28. 2051模擬PS2鍵盤和PC機通訊程序 6M下.29. DS1620 - 12F675溫度lcd顯示.30. 介紹嵌入式系統的一些基礎知識。.31. 對開放源碼的嵌入式仿真環境SkyEye的綜述。.32. 匣發光二術管的顯示程序.33. 通過7路AD轉換.34. 基本的時鐘中斷程序.35. 語音即錄即放程序.36. 時鐘的率調整程序.37. Protel DXP 常用庫元件.38. 乒乓球游戲機設計.39. sdt文件移植為ads文件配置的改變.40. 44b0中斷的處理.
上傳時間： 2013-07-15
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結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
上傳時間： 2013-11-14
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二次諧波回旋管所需磁場僅為基模的一半，極大地降低了對工作磁場的要求。基于回旋管線性和自洽非線性理論設計了一只0.5 THz回旋管，采用TE56模為工作模式，分析了多項關鍵參數對注波互作用效率的影響，當其工作電壓為49 kV，工作電流為5 A，工作磁場為時9.94 T，效率為22.52%，輸出功率可達55 kW。
上傳時間： 2013-11-14
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新編功率晶體管實用手冊 NPN管
上傳時間： 2013-05-29
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