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功率譜

  • 基于GaN器件射頻功率放大電路的設計

    本文主要是基于氮化鋅(GaN)器件射頻功率放大電路的設計,在s波段頻率范圍內,應用CREE公司的氮化稼(GaN)高電子遷移速率品體管(CGH40010和CGH40045)進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面:首先,設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內,對中間級和末級功放晶體管進行穩定性分析并設置其靜態工作點,繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構,使用ADS軟件對其進行仿真優化,設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下:通帶寬度為800MHz,在通帶范圍內的增益dB(S(2,1)>)10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2,3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm,效率大于40%.其次,設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能,借助Orcad模擬電路仿真軟件,設計出滿足要求的電源電路。最后,分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件,繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板,并通過對硬件電路的調試,最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。

    標簽: GaN器件 射頻功率放大電路

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 射頻功率放大器集成電路研究

    射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用,是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比,射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點;由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要,使得功率放大器的研制變得十分重要,因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力,但其價格昂貴,工藝一致性差;CMOS工藝的功率輸出能力不大,很難應用于高輸出功率的場合;而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間,價格相對低廉并和CMOS電路兼容,非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現,分別使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三種工藝.(1)由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz,采用了兩級共源共柵電路結構,在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右,1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面積為1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz,分為前置推動級和末級功率級,電源電壓為3.3V,仿真結果為小信號增益28dB左右,1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大飽和輸出功率為29.5dBm,芯片面積為1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz,使用了三級功率放大器結構,在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%,芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程,對三種工藝實現的功率放大器進行了對比,并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。

    標簽: 射頻功率放大器 集成電路

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:shjgzh

  • 基于ADS的射頻功率放大器設計與仿真

    論文主要工作如下:一是從功率放大器的物理結構上分析了射頻功率放大器非線性特性產生的原因及其對通信系統的影響,討論了功率放大器的非線性分析模型,即冪級數分析模型,Volterra級數分析模型和諧波平衡分析模型,并簡要的說明了它們各自的特點,總結出了諧波平衡分析法的優點,指出它適合用于射頻功率放大器的大信號非線性分析.二是分析了射頻功率放大器偏置和匹配電路設計中的一些基本問題,比較了有源和無源偏置網絡的優缺點,討論了輸入、輸出匹配電路和級間匹配電路設計的重點問題。介紹了負載牽引設計方法,它是在具備功率管大信號模型的基礎上對負載和源進行牽引仿真,從而確定輸出、輸入阻抗。三是在射頻功率放大器的設計過程中,主要使用了ADS軟件進行輔助分析設計.正是通過對軟件功能的充分應用,替代了射頻功半放大器設計中許多原來需要人工進行的運算工作,提高了工作效率。從仿真結果來看,都達到了預期的設計目標,驗證說明了ADS仿真軟件在射頻功率放大電路設計方面的實用性與優越性,具有繼續進行深入研究的價值。

    標簽: ads 射頻 功率放大器

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 基于功率回退法的線性射頻功率放大器的研究

    在現代無線通信系統中,射頻終端的功率放大器的性能指標影響著整個通信系統的好壞,它的線性特性和功率轉換效率等的研究正成為研究熱點。在此背景下,研究設計出了一個工作在800MHz,用于移動設備終端的功率放大器。研究中,我們采用ADS進行了性能仿真,得到了該放大器的性能指標。針對制板時的電路原理圖和布線,分析了板圖布局的電磁兼容特性,并給出了仿真結果。最后采用Protel根據電路原理圖設計了板圖。本文的主要貢獻如下:1、介紹了射頻功率放大器的基本技術,包括分類、性能指標、演進和設計要求等。研究了當前如何改進放大器的線性性能的主要技術,如功率回退法、前饋技術、反饋技術及預失真技術等。同時研究了功率放大器的功率轉換效率特性和提高效率的一些措施。2、研究設計了一個工作在800MHz用于移動終端的功率放大器。完成了從系統到電路的匹配和優化的全過程,并進行了性能仿真。3、采用功率回退線性化技術,進一步優化該放大器的性能指標,包括輸出功率、增益、三階交調、1dB增益壓縮點、效率、頻譜特性等性能參數。仿真結果表明,放大器的性能得到了進一步的提升。

    標簽: 射頻功率放大器

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:默默

  • 功率計量模塊HLW8032

    HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝,主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流,并能計算有功功率,視在功率和功率因素。 該器件內部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內核。HLW8032 可以通過 UART口進行數據通訊,HLW8032 采用 5V 供電,內置 3.579M 晶振,8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環境能力強等優點,適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。 

    標簽: 功率計量模塊 hlw8032

    上傳時間: 2022-06-21

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  • 電磁感應加熱系統及IGBT功率模塊驅動

    本文把所研制的IGBT驅動保護電路應用在電磁感應加熱系統上,并且針對注塑機的特點設計了一款電磁感應加熱系統。其中包括整流濾波電路、半橋逆變電路、控制電路、驅動電路和溫度、電流等檢測電路。本文的另一個重點分析了IGBT對驅動保護電路的要求,并且研制了一種單管IGBT驅動保護電路和一種IGBT半橋模塊驅動保護電路。單管1GBT驅動電路的功能比較簡單,只具有軟關斷和過流保護功能。而IGBT半橋模塊驅動保護電路功能比較多,具有軟關斷、互鎖、電平轉換、錯誤信號電平轉換、過流保護、供電電壓監視、電源隔離和脈沖隔離電路等保護功能,適用于中大功率的IGBT半橋模塊驅動。在電磁感應加熱部分介紹了電磁感應加熱的工作原理,分析了串并聯諧振逆變器的拓撲結構和特點。根據注塑機的實際應用設計了兩款主電路的拓撲結構,一款是針對小功率部分加熱的拓撲結構,是單管IGBT的拓撲結構,另一款是針對中大功率加熱部分的半橋IGBT拓撲結構。另外介紹了電磁感應加熱的控制電路以及采用模糊PID算法對注塑機料筒進行溫度監控調節。最后通過對系統的仿真和實驗調試表明整個感應加熱系統滿足實際應用要求,運行可靠,適合于再注塑機行業中推廣。最后,總結了本文的研究內容,并在此基礎上對以后的工作做出了簡單的展望。

    標簽: 電磁感應加熱系統 igbt 功率模塊

    上傳時間: 2022-06-21

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  • ICP中RF電源的功率控制的研究

    本論文主要研究自激式RF電源的功率控制,主要分為七個部分:第部分主要介紹ICP儀器的發展歷史、RF電源的主流技術路線及國內外研究現狀,指出了存在的部分問題,確立了本文研究主題。第二部分簡介了ICP儀器的系統結構,重點介紹等離子炬光源以及自激式RF電源。首先從系統的角度介紹了ICP儀器的組成及工作原理,然后對等離子矩光源的產生條件及生成機理作了說明,并且對其在點火過程中表現的負載特性作了分析,最后從ICP儀器的分析性能方面說明了它對RF電源的設計要求,明確RF電源的設計指標。第三部分詳細介紹了自激式RF電源的實現原理。按照信號流向首先介紹了作為跟蹤等離子矩特性的振蕩源——鎖相環的原理,分別對其中的鑒相器、環路濾波器、壓控振蕩器和驅動電路等做了詳細介紹。然后介紹了高頻功率放大器的原理,確定了主要元件參數,并介紹了適用于自激式RF電源的電路結構。最后對阻抗匹配原理作了介紹,并重點介紹了集中參數元件匹配網絡。第四部分詳細介紹了本文所做的設計工作,包含軟硬件設計。這部分仍然是按信號流向作說明,根據自激式RF電源的結構特點,針對這幾部分選擇合適的電路結構、元件參數等設計完成鎖相環路、高效率E類推挽功率放大電路以及阻抗匹配網絡。除此之外,還包括電路中的主要信號采樣與檢測、熱設計、電磁兼容設計以及軟件部分的設計說明。第五部分對本文采取的功率控制流程與策略作詳細說明,介紹了如何通過改善控制流程和控制策略以提高RF電源性能。第六部分對所設計的RF電源進行了測試,表明本設計達到了預定的設計指標,說明此方法的可行性與實用性,并且分析了等離子炬的負載變化過程,對RF電源的設計提供了有益的參考。第七部分作了全文總結與展望。所設計RF電源成功點燃等離子炬,期間通過對RF電源的測試,并在ICP-AES整機上進行了系統驗證,測試證明所設計的自激式RF電源與同類電源相比性能有所提升。

    標簽: icp rf 電源 功率控制

    上傳時間: 2022-06-23

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  • 音頻功率放大設計實例及仿真

    設計要求:① 電路輸出功率大于4W,負載8Ω;② 頻率響應 20~20KHz;③ 失真小,輸出波形基本不失真;④輸入阻抗不低于47KΩ;⑤輸入靈敏度為100mV。針對要求,文檔提供設計方案,并對方案進行仿真驗證。仿真通過Multisim軟件。

    標簽: 音頻 功率放大 Multisim

    上傳時間: 2022-06-30

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  • 智能電源排插解決方案,并能測量:交流電壓、電流、有功功率硬件設計

    智能電源排插解決方案,并能測量:交流電壓、電流、有功功率硬件設計

    標簽: 智能電源

    上傳時間: 2022-06-30

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  • 便攜式數字音頻功率放大器揚聲器電路圖+PCB源文件(PWM D類放大)

    便攜式數字音頻功率放大器揚聲器電路圖+PCB源文件(PWM D類放大)

    標簽: 數字音頻功率放大器 揚聲器 pcb pwm

    上傳時間: 2022-07-03

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