本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優(yōu)化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內(nèi)容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業(yè)的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡參數(shù) 1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡參數(shù) 1.2 散射參數(shù) 1.3 雙口網(wǎng)絡參數(shù)間轉換 1.4 雙口網(wǎng)絡的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網(wǎng)絡 1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡 1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡 1.7 傳輸線 參考文獻 第2章 非線性電路設計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數(shù)法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數(shù)的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設計 4.4.2 寬帶高功率放大器設計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導 參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網(wǎng)絡 5.3 四口網(wǎng)絡 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎 6.1 主要特性 6.2 增益和穩(wěn)定性 6.3 穩(wěn)定電路技術 6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯(lián)電容的E類 7.5 具有并聯(lián)電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準則 8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡 8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡 8.5 有耗匹配網(wǎng)絡 8.6 實際設計一瞥 參考文獻 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設計 9.1 Kahn包絡分離和恢復技術 9.2 包絡跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術 9.7 預失真線性化技術 9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻
上傳時間： 2013-04-24
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由于絕緣柵雙極晶體管IGBT具有工作頻率高、處理功率大和驅動簡單等諸多優(yōu)點,在電力電子設備、尤其是中大型功率的電力電子設備中的應用越來越廣泛。但是,IGBT失效引發(fā)的設備故障往往會對生產(chǎn)帶來巨大影響和損失,因此,對IGBT的失效研究具有十分重要的應用意義。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基礎上,采用雙極傳輸理論聯(lián)立求解電子和空穴的傳輸方程,得到了穩(wěn)態(tài)時電子和空穴電流的表達式,對造成IGBT失效的各種因素進行了詳細分析。應用MATLAB軟件,對硅參數(shù)的熱導率、載流子濃度、載流子壽命、電子遷移率、空穴遷移率和雙極擴散系數(shù)等進行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是發(fā)生擎住效應以及泄漏電流導致IGBT延緩失效的有用結論。并且,進行了IGBT動態(tài)模型的設計和仿真,對IGBT在短路情況下的失效機理進行了深入研究。 考慮到實際設備中的IGBT在使用中經(jīng)常會發(fā)生反復過流這一問題,通過搭建試驗電路,著重對反復過流對IGBT可能帶來的影響進行了試驗研究,探討了IGBT因反復過流導致的累積失效的變化規(guī)律。本文研究結果對于正確判斷IGBT失效以及失效程度、進而正確判斷和預測設備的可能故障,具有一定的應用參考價值。
上傳時間： 2013-08-04
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該文為WCDMA系統(tǒng)功率控制環(huán)路與閉環(huán)發(fā)射分集算法FPGA實現(xiàn)研究.主要內(nèi)容包括功率控制算法與閉環(huán)發(fā)射分集算法的分析與討論,在分析討論的基礎上進行了FPGA實現(xiàn)方案的設計以及系統(tǒng)的實現(xiàn).另外在文中還介紹了可編程器件方面的常識、FPGA的設計流程以及同步電路設計方面的有關技術.
上傳時間： 2013-05-18
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功率合成器是大功率固態(tài)高功放的重要組成器件。應用散射參數(shù)原理對功率合成器的合成效率進行了研究，對一路或者幾路功率合成器輸入失效時的合成效率進行了分析，并在某型大功率固態(tài)高功放功率合成器中進行了驗證。
上傳時間： 2013-10-08
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分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實際應用證明，該電路驅動能力及保護功能效果良好。
上傳時間： 2014-01-25
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凌力爾特公司提供了一個規(guī)模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
上傳時間： 2013-11-12
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在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設計師當中，使用高功率升壓型轉換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
上傳時間： 2014-12-01
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摘要:根據(jù)嵌入式系統(tǒng)電源的實際需求，以FSD200小功率單片開關電源集成電路為核心，結合可調(diào)式精密穩(wěn)壓器TL431和線性光耦PC817等外圍器件，設計并實現(xiàn)了適合嵌入式系統(tǒng)使用的多路小功率開關電源。關鍵詞:嵌入式系統(tǒng)；FSD200；開關電源
標簽： 嵌入式系統(tǒng) 小功率 開關電源
上傳時間： 2013-12-07
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功率變換器是開關磁阻電動機調(diào)速系統(tǒng)（SRD）中的重要組成部分，現(xiàn)有的各種功率變換器大都有這樣或那樣的問題與不足，關鍵是不能保證較好的性能價格比。本文通過對兩種常用的四相開關磁阻電動機（SR）功率變換器主電路進行分析，優(yōu)化、綜合常用的主電路，給出了目前最優(yōu)的四相SR電機功率變換器主電路型式——最少主開關型，提高了經(jīng)濟性和實用性。結合作者的研制實踐，又給出了5.5KW 的SR電機新型功率變換器的實際電路、主要器件及其定額的選擇。通過實驗成功地應用此方案，基于降低SR電機轉矩波動的有效手段，同時實現(xiàn)電機實時雙相繞組通電穩(wěn)定運行。關鍵詞：開關磁阻電動機；功率變換器；最少主開關；繞組雙相運行
上傳時間： 2013-10-08
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主要介紹了高效率E類射頻功率振蕩器的原理和設計方法，通過電路等效變換，E類射頻功率振蕩器最終轉換成與E類放大器相同的結構，MOS管工作在軟開關狀態(tài)，漏極高電壓、大電流不會同時交疊，大大降低了功率損耗，在同等工作條件下，能夠獲得與E類放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做為功率器件，結合E類射頻振蕩器在等離子體源中的應用，給出了的設計實例。ADS仿真結果表明，在13.56MHz的工作頻率下，振蕩器輸出功率46W，效率為92%，符合設計預期。
上傳時間： 2014-02-10
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