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功率開關器件

  • Tmos功率場效應晶體管原理和應用 292頁 9.9M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15GTmos功率場效應晶體管原理和應用 292頁 9.9M.pdf

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    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • 新編功率晶體管實用手冊 NPN管 1404頁 35.4M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15G新編功率晶體管實用手冊 NPN管 1404頁 35.4M.pdf

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    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • 國內外功率晶體管實用手冊 下冊 1439頁 20.5M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15G國內外功率晶體管實用手冊 下冊 1439頁 20.5M.pdf

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    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • VMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

    器件數據手冊專輯 120冊 2.15GVMOS功率場效應晶體管及其應用 225頁 3.2M.pdf

    標簽:

    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • 功率放大器

    里面包含多種功率放大器,有OCT和OTL功率放大器,主要器件有三極管和二極管等構成。

    標簽: 功率放大器

    上傳時間: 2016-12-06

    上傳用戶:bestjgc

  • 先進的高壓大功率器件——原理 特性和應用

    本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用, 定義了理想功率開關的電特性, 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 (GTO) 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構, 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層, 以防止其提前擊穿。 另外, 必須屏蔽基區,以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘(MCT) 結構和基極電阻控制晶閘管 (BRT) 結構, 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘(EST), 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷, 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書, 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。

    標簽: 大功率器件

    上傳時間: 2021-11-02

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  • 第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰

    作者:何亮,劉揚論文摘要:氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ,非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ,具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ,其 中 結 型 柵 結 構 (p 型 柵 )和 共 源 共 柵 級 聯 結 構 (C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ,并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結 構 存 在 的 缺 點 ,業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ,仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。

    標簽: 第三代半導體 GaN 功率開關器件

    上傳時間: 2021-12-08

    上傳用戶:XuVshu

  • SiC 功率器件?模塊 應用筆記

    本應用筆記詳細記載了關于羅姆的SiC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊,面向各種應用,SiC器件的優勢和使用上的注意點,從初次接觸SiC器件到熟知產品的各位,都可以得到應用和幫助

    標簽: sic 功率器件

    上傳時間: 2022-02-08

    上傳用戶:shjgzh

  • 中大功率IGBT驅動及串并聯特性應用研究

    本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驅動電路原理和要求的基礎上,對EXB841,M57962AL,2SD315A等幾種驅動電路的工作特性進行了比較。并針對用于輕合金表面防護處理的特種脈沖電源主功率開關器件驅動電路運行中存在的問題對驅動電路提出了功能改進和擴展方案,進行了實驗調試,并成功地應用于不同功率容量1GBT模塊的驅動,運行情況良好,提高了電源的可靠性。針對電源設備的進一步功率擴容要求,采用IGBT模塊串、并聯運行方案。對并聯模塊的均流、同步觸發、散熱、布局、布線等問題進行了詳細的分析和討論,同時也討論了串聯模塊的均壓、驅動等問題,并用仿真電路對串并聯模塊的工作特性進行了仿真分析。最后將IGBT串并聯方案成功地應用于表面處理特種電源中,實際運行表明1GBT模塊的串并聯擴容是可行的。關鍵i:IGBT,驅,串聯,并聯功率開關器件在電力電子設備中占據核心的位置,它的可靠工作是整個裝置正常運行的基本條件。[1)在主電路拓撲設計和功率開關器件選取合理的前提下,如何可靠地驅動和保護主開關器件顯得十分關鍵。功率開關器件的驅動電路是主電路與控制電路之間的接口,是電力電子裝置的重要部分,對整個設備的性能有很大的影響,其作用是將控制回路輸出的PWM脈沖放大到足以驅動功率開關器件。簡而言之,驅動電路的基本任務就是將控制電路傳來的信號,轉換為加在器件控制端和公共端之間的可以使其導通和關斷的信號。同樣的器件,采用不同的驅動電路將得到不同的開關特性。采用性能良好的驅動電路可以使功率開關器件工作在比較理想的開關狀態,同時縮短開關時間,減小開關損耗,對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。因此驅動電路的優劣直接影響主電路的性能,因此驅動電路的合理化設計顯得越來越重要。

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-19

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  • 功率計量模塊HLW8032

    HLW8032 是一款高精度的電能計量 IC,它采用 CMOS 制造工藝,主要用于單相應用。它能夠測量線電壓和電流,并能計算有功功率,視在功率和功率因素。 該器件內部集成了兩個∑-Δ型 ADC 和一個高精度的電能計量內核。HLW8032 可以通過 UART口進行數據通訊,HLW8032 采用 5V 供電,內置 3.579M 晶振,8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環境能力強等優點,適用于單相兩線制電力用戶的電能計量。 

    標簽: 功率計量模塊 hlw8032

    上傳時間: 2022-06-21

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