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功耗計算

  • ALtera FPGA CYCLONE系列的功耗計算工具

    ALtera FPGA CYCLONE系列的功耗計算工具，相信大家會用的著．

    標(biāo)簽： CYCLONE ALtera FPGA 功耗

    上傳時間： 2014-01-09

    上傳用戶：lht618

  • MOS開關(guān)損耗計算.rar

    開關(guān)電源用MOSFET的功耗計算，值得一看

    標(biāo)簽： MOS 開關(guān)損耗 計算

    上傳時間： 2013-04-24

    上傳用戶：er1219

  • MOS管驅(qū)動基礎(chǔ)和時間功耗計算

    提高mos管的效率，MOS的損耗計算。

    標(biāo)簽： MOS 驅(qū)動 功耗計算

    上傳時間： 2013-12-24

    上傳用戶：defghi010

  • FPGA布線研究與實現(xiàn)

    現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)能夠減少電子系統(tǒng)的開發(fā)風(fēng)險和開發(fā)成本，縮短上市時間，降低維護升級成本，故廣泛地應(yīng)用在電子系統(tǒng)中。最新的FPGA都采用了層次化的布線資源結(jié)構(gòu)，與以前的結(jié)構(gòu)發(fā)生了很大的變化。由于FPGA布線資源的固定性和有限性，因此需要開發(fā)適用于這種層次化的FPGA結(jié)構(gòu)并提高布線資源有效利用率的布線算法。同時由于晶體管尺寸的不斷減小，有必要在FPGA布線算法中考慮功耗和時序問題。 本論文所作的研究工作主要包括：提出一種基于Tile的FPGA結(jié)構(gòu)描述方法，對FPGA功耗模型和時序模型進行了研究，實現(xiàn)了考慮FPGA功耗、布線資源利用率的布線算法。 在FPGA結(jié)構(gòu)描述方面，本文在分析現(xiàn)代商用FPGA層次化結(jié)構(gòu)及學(xué)術(shù)上對FPGA描述方法的基礎(chǔ)上，提出一種基于Tile的FPGA結(jié)構(gòu)描述。由于基本Tile的重復(fù)性，采用該方法可以簡化FPGA結(jié)構(gòu)的描述，同時由于該方法是以硬件結(jié)構(gòu)為根據(jù)，為FPGA軟硬件提供了簡單而靈活的接口，該方法在原型系統(tǒng)中測試證明是正確的。 在FPGA功耗模型方面，本文研究了ASIC中關(guān)于電路功耗計算的基本方法，并將其應(yīng)用到FPGA功耗分析中。在模型中的采用了混合的功耗模型，包括動態(tài)功耗模型和靜態(tài)功耗模型。動態(tài)功耗的計算采用基于節(jié)點狀態(tài)轉(zhuǎn)換率的開關(guān)級動態(tài)功耗計算和邏輯塊宏模型，靜態(tài)功耗則采用基于公式計算的晶體管漏電功耗模型和邏輯塊基于仿真的LUT/MUX表達式計算模型。這些功耗模型將運用到我們后面的功耗計算和基于功耗驅(qū)動的布線算法中。 在FPGA布線算法研究和實現(xiàn)方面，本文在介紹基本的搜索算法之后，介紹了將FPGA硬件結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)镕PGA布線程序可識別的布線資源圖的方法，并將基本的搜索算法運用的FPGA布線資源圖上，實現(xiàn)FPGA的基于布通率的布線算法。在此基礎(chǔ)上，借鑒了FPGA時序分析方法，將時序分析作為布線算法的一子模塊，對基于時序的布線算法進行了研究；同時采用了FPGA功耗模型，在布線算法實現(xiàn)中考慮了動態(tài)功耗的問題。最后在布線算法中實現(xiàn)兩種啟發(fā)式策略以提高可布線資源有效利用率。

    標(biāo)簽： FPGA 布線

    上傳時間： 2013-04-24

    上傳用戶：long14578

  • MOS管驅(qū)動基礎(chǔ)和時間功耗計算

    MOS關(guān)模型 Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數(shù)。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時在輸入和輸出，因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多，這個稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實際應(yīng)用的時候需要修改Cgd的值。

    標(biāo)簽： MOS 驅(qū)動 功耗計算

    上傳時間： 2013-12-09

    上傳用戶：qlpqlq

  • DRAM內(nèi)存模塊的設(shè)計技術(shù)

    第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計.............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號設(shè)計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設(shè)計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設(shè)計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號線的設(shè)計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設(shè)計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進一步探討，本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計技術(shù)就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態(tài)內(nèi)存，其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計技術(shù)

    上傳時間： 2014-01-13

    上傳用戶：euroford

  • DRAM內(nèi)存模塊的設(shè)計技術(shù)

    第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計.............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號設(shè)計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設(shè)計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設(shè)計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號線的設(shè)計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設(shè)計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進一步探討，本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計技術(shù)就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態(tài)內(nèi)存，其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計技術(shù)

    上傳時間： 2013-10-18

    上傳用戶：宋桃子

  • 基于C8051F040單片機的動態(tài)血糖監(jiān)測系統(tǒng)的低功耗設(shè)計

    動態(tài)血糖監(jiān)測有助于糖尿病人監(jiān)控血糖、控制病情。在動態(tài)血糖監(jiān)測儀器設(shè)計中，微處理器是影響系統(tǒng)功耗的重要因素。為了最大限度地延長連續(xù)監(jiān)測時間，論文提出了一種基于高速、高集成度的混合信號片上系統(tǒng)級單片機C8051F040的動態(tài)血糖監(jiān)測系統(tǒng)的低功耗設(shè)計方案，采取了一系列的硬件和軟件優(yōu)化措施，通過理論計算和實測，給出了在連續(xù)血糖監(jiān)測條件下系統(tǒng)功耗的優(yōu)化方法。結(jié)果顯示，使用一節(jié)5號電池供電，系統(tǒng)可以連續(xù)工作400小時以上。

    標(biāo)簽： C8051F040 單片機 動態(tài) 低功耗設(shè)計

    上傳時間： 2013-10-29

    上傳用戶：stella2015

  • 單片機系統(tǒng)的低功耗設(shè)計策略

    單片機系統(tǒng)的低功耗設(shè)計策略:摘要嵌入式系統(tǒng)的低功耗設(shè)計需要全面分析各方面因素，統(tǒng)籌規(guī)劃。在設(shè)計之初，各個因素往往是相互制約、相互影響的，一個降低系統(tǒng)功耗的措施有時會帶來其他方面的“負(fù)效應(yīng)”。因此，降低系統(tǒng)整體功耗，需要仔細(xì)分析和計算。本文從硬件和應(yīng)用軟件設(shè)計兩個方面，闡述一個以單片機為核心的嵌入式系統(tǒng)低功耗設(shè)計時所需考慮的一些問題。關(guān)鍵詞低功耗設(shè)計 硬件設(shè)計 應(yīng)用軟件設(shè)計 低功耗模式　　在嵌入式應(yīng)用中，系統(tǒng)的功耗越來越受到人們的重視，這一點對于需要電池供電的便攜式系統(tǒng)尤其明顯。降低系統(tǒng)功耗，延長電池的壽命，就是降低系統(tǒng)的運行成本。對于以單片機為核心的嵌入式應(yīng)用，系統(tǒng)功耗的最小化需要從軟、硬件設(shè)計兩方面入手。　　隨著越來越多的嵌入式應(yīng)用使用了實時操作系統(tǒng)，如何在操作系統(tǒng)層面上降低系統(tǒng)功耗也成為一個值得關(guān)注的問題。限于篇幅，本文僅從硬件設(shè)計和應(yīng)用軟件設(shè)計兩個方面討論。

    標(biāo)簽： 單片機系統(tǒng) 低功耗設(shè)計 策略

    上傳時間： 2013-11-21

    上傳用戶：zhenyushaw

  • MSP430系列超低功耗16位單片機原理與應(yīng)用

    MSP430系列超低功耗16位單片機原理與應(yīng)用TI公司的MSP430系列微控制器是一個近期推出的單片機品種。它在超低功耗和功能集成上都有一定的特色，尤其適合應(yīng)用在自動信號采集系統(tǒng)、液晶顯示智能化儀器、電池供電便攜式裝置、超長時間連續(xù)工作設(shè)備等領(lǐng)域。《MSP430系列超低功耗16位單片機原理與應(yīng)用》對這一系列產(chǎn)品的原理、結(jié)構(gòu)及內(nèi)部各功能模塊作了詳細(xì)的說明，并以方便工程師及程序員使用的方式提供軟件和硬件資料。由于MSP430系列的各個不同型號基本上是這些功能模塊的不同組合，因此，掌握《MSP430系列超低功耗16位單片機原理與應(yīng)用》的內(nèi)容對于MSP430系列的原理理解和應(yīng)用開發(fā)都有較大的幫助。《MSP430系列超低功耗16位單片機原理與應(yīng)用》的內(nèi)容主要根據(jù)TI公司的《MSP430 Family Architecture Guide and Module Library》一書及其他相關(guān)技術(shù)資料編寫。　　《MSP430系列超低功耗16位單片機原理與應(yīng)用》供高等院校自動化、計算機、電子等專業(yè)的教學(xué)參考及工程技術(shù)人員的實用參考，亦可做為應(yīng)用技術(shù)的培訓(xùn)教材。MSP430系列超低功耗16位單片機原理與應(yīng)用 目錄  第1章 MSP430系列1.1 特性與功能1.2 系統(tǒng)關(guān)鍵特性1.3 MSP430系列的各種型號??第2章 結(jié)構(gòu)概述2.1 CPU2.2 代碼存儲器?2.3 數(shù)據(jù)存儲器2.4 運行控制?2.5 外圍模塊2.6 振蕩器、倍頻器和時鐘發(fā)生器??第3章 系統(tǒng)復(fù)位、中斷和工作模式?3.1 系統(tǒng)復(fù)位和初始化3.2 中斷系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.3 中斷處理3.3.1 SFR中的中斷控制位3.3.2 外部中斷3.4 工作模式3.5 低功耗模式3.5.1 低功耗模式0和模式13.5.2 低功耗模式2和模式33.5.3 低功耗模式43.6 低功耗應(yīng)用要點??第4章 存儲器組織4.1 存儲器中的數(shù)據(jù)4.2 片內(nèi)ROM組織4.2.1 ROM表的處理4.2.2 計算分支跳轉(zhuǎn)和子程序調(diào)用4.3 RAM與外圍模塊組織4.3.1 RAM4.3.2 外圍模塊--地址定位4.3.3 外圍模塊--SFR??第5章 16位CPU?5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計數(shù)器PC5.1.2 系統(tǒng)堆棧指針SP5.1.3 狀態(tài)寄存器SR5.1.4 常數(shù)發(fā)生寄存器CG1和CG2?5.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號模式5.2.4 絕對模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時鐘周期與長度5.3 指令集概述5.3.1 雙操作數(shù)指令5.3.2 單操作數(shù)指令5.3.3 條件跳轉(zhuǎn)5.3.4 模擬指令的簡短格式5.3.5 其他指令5.4 指令分布??第6章 硬件乘法器?6.1 硬件乘法器的操作6.2 硬件乘法器的寄存器6.3 硬件乘法器的SFR位6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 硬件乘法器的軟件限制--尋址模式6.4.2 硬件乘法器的軟件限制--中斷程序??第7章 振蕩器與系統(tǒng)時鐘發(fā)生器?7.1 晶體振蕩器7.2 處理機時鐘發(fā)生器7.3 系統(tǒng)時鐘工作模式7.4 系統(tǒng)時鐘控制寄存器7.4.1 模塊寄存器7.4.2 與系統(tǒng)時鐘發(fā)生器相關(guān)的SFR位7.5 DCO典型特性??第8章 數(shù)字I/O配置?8.1 通用端口P08.1.1 P0的控制寄存器8.1.2 P0的原理圖8.1.3 P0的中斷控制功能8.2 通用端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理圖8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 通用端口P3、P48.3.1 P3、P4的控制寄存器8.3.2 P3、P4的原理圖8.4 LCD端口8.5 LCD端口--定時器/端口比較器??第9章 通用定時器/端口模塊?9.1 定時器/端口模塊操作9.1.1 定時器/端口計數(shù)器TPCNT1--8位操作9.1.2 定時器/端口計數(shù)器TPCNT2--8位操作9.1.3 定時器/端口計數(shù)器--16位操作9.2 定時器/端口寄存器9.3 定時器/端口SFR位9.4 定時器/端口在A/D中的應(yīng)用9.4.1 R/D轉(zhuǎn)換原理9.4.2 分辨率高于8位的轉(zhuǎn)換??第10章 定時器?10.1 Basic Timer110.1.1 Basic Timer1寄存器10.1.2 SFR位10.1.3 Basic Timer1的操作10.1.4 Basic Timer1的操作--LCD時鐘信號fLCD?10.2 8位間隔定時器/計數(shù)器10.2.1 8位定時器/計數(shù)器的操作10.2.2 8位定時器/計數(shù)器的寄存器10.2.3 與8位定時器/計數(shù)器有關(guān)的SFR位10.2.4 8位定時器/計數(shù)器在UART中的應(yīng)用10.3 看門狗定時器11.1.3 比較模式11.1.4 輸出單元11.2 TimerA的寄存器11.2.1 TimerA控制寄存器TACTL11.2.2 捕獲/比較控制寄存器CCTL11.2.3 TimerA中斷向量寄存器11.3 TimerA的應(yīng)用11.3.1 TimerA增計數(shù)模式應(yīng)用11.3.2 TimerA連續(xù)模式應(yīng)用11.3.3 TimerA增/減計數(shù)模式應(yīng)用11.3.4 TimerA軟件捕獲應(yīng)用11.3.5 TimerA處理異步串行通信協(xié)議11.4 TimerA的特殊情況11.4.1 CCR0用做周期寄存器11.4.2 定時器寄存器的啟/停11.4.3 輸出單元Unit0??第12章 USART外圍接口--UART模式?12.1 異步操作12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發(fā)生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多處理機模式12.1.5 地址位格式12.2 中斷與控制功能12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發(fā)送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發(fā)送中斷操作12.3 控制與狀態(tài)寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器12.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF12.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF12.4 UART模式--低功耗模式應(yīng)用特性12.4.1 由UART幀啟動接收操作12.4.2 時鐘頻率的充分利用與UART模式的波特率12.4.3 節(jié)約MSP430資源的多處理機模式12.5 波特率的計算??第13章 USART外圍接口--SPI模式?13.1 USART的同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式--MM=1、SYNC=113.1.2 SPI模式中的從模式--MM=0、SYNC=113.2 中斷與控制功能13.2.1 USART接收允許13.2.2 USART發(fā)送允許13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發(fā)送中斷操作13.3 控制與狀態(tài)寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器13.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF13.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF??第14章 液晶顯示驅(qū)動?14.1 LCD驅(qū)動基本原理14.2 LCD控制器/驅(qū)動器14.2.1 LCD控制器/驅(qū)動器功能14.2.2 LCD控制與模式寄存器14.2.3 LCD顯示內(nèi)存14.2.4 LCD操作軟件例程14.3 LCD端口功能14.4 LCD與端口模式混合應(yīng)用實例??第15章 A/D轉(zhuǎn)換器?15.1 概述15.2 A/D轉(zhuǎn)換操作15.2.1 A/D轉(zhuǎn)換15.2.2 A/D中斷15.2.3 A/D量程15.2.4 A/D電流源15.2.5 A/D輸入端與多路切換15.2.6 A/D接地與降噪15.2.7 A/D輸入與輸出引腳15.3 A/D控制寄存器??第16章 其他模塊16.1 晶體振蕩器16.2 上電電路16.3 晶振緩沖輸出??附錄A 外圍模塊地址分配?附錄B 指令集描述?B1 指令匯總B2 指令格式B3 不增加ROM開銷的指令模擬B4 指令說明B5 用幾條指令模擬的宏指令??附錄C EPROM編程?C1 EPROM操作C2 快速編程算法C3 通過串行數(shù)據(jù)鏈路應(yīng)用\"JTAG\"特性的EPROM模塊編程C4 通過微控制器軟件實現(xiàn)對EPROM模塊編程??附錄D MSP430系列單片機參數(shù)表?附錄E MSP430系列單片機產(chǎn)品編碼?附錄F MSP430系列單片機封裝形式?

    標(biāo)簽： MSP 430 超低功耗 位單片機

    上傳時間： 2014-05-07

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