第二部分：DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143
第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143
第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145
第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................149
3.1 無緩沖（Unbuffered）內存模塊的時序分析.......................................149
3.2 帶寄存器（Registered）的內存模塊時序分析...................................154
第四章 內存模塊信號設計.................................................................................159
4.1 時鐘信號的設計.......................................................................................159
4.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................162
4.3 地址和控制線的設計...............................................................................163
4.4 數(shù)據(jù)信號線的設計...................................................................................166
4.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169
第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172
第六章 實際設計案例分析.................................................................................178
目前比較流行的內存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS
內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討，本文所總
結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。
現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態(tài)內存，其核
心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為
SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其
時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數(shù)據(jù)的讀寫操
作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR
內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
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