一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計
介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上，通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在...
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一種非常實用的Boost升壓電路原理詳解
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一種平均電流控制型開關調節系統的建模
文中對BUCK型DC_DC變換器進行了系統建模。為了得到包含平均電流調節開關控制方式的雙環控制系統的簡化模型，提出了一種電流環閉環傳遞函數的近似函數，并分別對電流控制器，電流補償網絡和功率級進行了建模，采用Mathcad進行仿真，得到系統相位裕度達到54°的結果。 ...
一種無片外電容LDO的瞬態增強電路設計
利用RC高通電路的思想，針對LDO提出了一種新的瞬態增強電路結構。該電路設計有效地加快了LDO的瞬態響應速度，而且瞬態增強電路工作的過程中，系統的功耗并沒有增加。此LDO芯片設計采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號工藝。仿真結果表明：整個LDO是靜態電流為3.2 μA；相位...
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