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匝間

開關(guān)電源環(huán)路中的TL431

反激式轉(zhuǎn)換器在筆記本適配器市場很普及，這種轉(zhuǎn)換器工作在電流模式控制，使其非常適合于低成本且堅固的結(jié)構(gòu)。這類轉(zhuǎn)換器的典型應用如圖1所示。其中的控制器采用了NCP1271，這一器件工作在固定頻率電流模式控制，包含眾多的實用特性，如基于定時器的短路保護、提供利于抑制電磁干擾(EMI)信號的頻率調(diào)制技術(shù)，以及工作在軟工作模式的跳周期功能，以滿足沒有可聽噪聲時的待機能耗要求。這些轉(zhuǎn)換器通常用于低電源輸入時工作在連續(xù)導電模式(CCM)以降低導電損耗，而在高電源輸入時自然轉(zhuǎn)換到非連續(xù)導電模式(DCM)工作。在本文的案例中，假定硬件設(shè)計已經(jīng)完成，這表示已經(jīng)選擇好變壓器初級電感Lp、變壓器匝數(shù)比N及剩余元件。TL431單獨考慮，等待選擇補償元件。

標簽： 431 TL 開關(guān)電源環(huán)路

上傳時間： 2013-06-03

上傳用戶：cjl42111
pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗

PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：pei5
磁芯電感器的諧波失真分析

磁芯電感器的諧波失真分析摘要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)，磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。一、歷史回顧總諧波失真（Total harmonic distortion），簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴格的要求。圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器，阻抗 150Ω，增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝，（線架為一格），其空心電感值為 318μH（誤差1％）被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz，使輸出電平值為+17.4 dB，即選頻表在 22′端子測得的主波電平（P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3），則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證，就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求，必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制）轉(zhuǎn)換時期，日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

標簽： 磁芯電感器分諧波失真

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：7891
電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

電路板故障分析維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起電路板太複雜,維修困難維修經(jīng)驗及技術(shù)不足無法維修的死板,廢棄可惜送電中作動態(tài)維修,危險性極高備份板太多,積壓資金送國外維修費用高,維修時間長對老化零件無從查起無法預先更換維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰

標簽： 電路板維修技術(shù)資料

上傳時間： 2013-10-26

上傳用戶：neu_liyan
無源雙端全隔離方案的技術(shù)要點及應用實效

無源雙端全隔離方案，是在兩端通信設(shè)備接口與通信線路之間各串入一只新型無源串口隔離器，從而使兩端設(shè)備接口得到"均等而有效"的保護。通過電路形式、振蕩頻率、元器件參數(shù)及變壓器繞組匝數(shù)變比的優(yōu)化創(chuàng)新，解決了新型隔離器串口竊電的微功耗高效率隔離傳輸、由單電源形成雙極性邏輯電平、以及兩端隔離器的通用性和自環(huán)狀態(tài)下的電能平均分配等關(guān)鍵問題。2010年以來，大慶油田處于該隔離器保護之下的90臺通信設(shè)備的接口從未因雷擊損壞，并能方便地進行自環(huán)測試。

標簽： 無源雙端方案隔離

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：Wwill
采用一個節(jié)省空間的三路輸出穩(wěn)壓器來驅(qū)動大型TFT-LCD顯示器

大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數(shù)目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級空間。

標簽： TFT-LCD 輸出穩(wěn)壓器大型顯示器

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：watch100
對于電源故障保護應用，超級電容器能夠替代后備電池

在越來越多的短時間能量存貯應用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護電路便是此類應用之一，在該電路中，如果主電源發(fā)生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負載供電

標簽： 電源故障保護后備電池超級電容器

上傳時間： 2014-01-08

上傳用戶：lansedeyuntkn
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
變壓器制作

一般指連接交流電源的線圈稱之為「一次線圈」(Primamary coil)；而跨于此線圈的電壓稱之為「一次電壓」。在二次線圈的感應電壓可能大于或小于一次電壓，是由一次線圈與二次線圈問的「匝數(shù)比」所決定的。因此，變壓器區(qū)分為升壓與降壓變壓器兩種。

標簽： 變壓器

上傳時間： 2013-12-28

上傳用戶：gxmm
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)

設(shè)計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

標簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術(shù)

上傳時間： 2014-12-24

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