計算機程序設計藝術(中文版)第二卷第三版：半數值算法.pdf
標簽： pdf 計算機 程序設計 數值算法
上傳時間： 2016-07-10
上傳用戶：vernonR
本文件是用MATLAB編寫程序用于求解半波振子表面電流分布
標簽： MATLAB 半波 輻射 方向圖
上傳時間： 2017-12-26
上傳用戶：青竹12134
激光器《激光手冊》第2分冊 各類激光器
標簽： 激光器 激光 手冊
上傳時間： 2018-06-13
上傳用戶：zhuyb
Tenax作模擬物TD_GC_M_省略_中揮發和半
標簽： TD_GC_M Tenax 模擬
上傳時間： 2019-07-14
上傳用戶：chen_ying993
fds 選擇文件 X 飛行器半實物仿真初案_
標簽： 飛行器 半實物仿真
上傳時間： 2020-03-06
上傳用戶：stormfree
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程 的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些 可靠度的問題。
標簽： ESD_Technology
該文檔為半結構化實體解析算法簡介資料，講解的還不錯，感興趣的可以下載看看…………………………
標簽： 算法
上傳時間： 2021-10-18
上傳用戶：kent
997-反激式、正激式、推挽式、半橋式、全橋式開關電源的優點與缺點
標簽： 開關電源
上傳時間： 2021-10-19
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飛兆半導體半橋LLC設計文檔，可供技術人員學習
標簽： 半導體 llc
上傳時間： 2021-10-21
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