在一般的隔離電源中，光耦隔離反饋是一種簡單、低成本的方式。但對于光耦反饋的各種連接方式及其區別，目前尚未見到比較深入的研究。而且在很多場合下，由于對光耦的工作原理理解不夠深入，光耦接法混亂，往往導致電路不能正常工作。本研究將詳細分析光耦工作原理，并針對光耦反饋的幾種典型接法加以對比研究。
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：a155166
電機驅動L298N帶光耦，自己收藏的資料。對剛學習步進電機控制的友友很有幫助。
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：wangzhen1990
以PLD器件實現自動掃描去抖的編碼鍵盤設計:鍵盤在單片機控制系統中是最常用的輸入設備之一。雖然非編碼鍵盤的硬件電路較為簡單，但按鍵的識別及鍵值的計算則需軟件來完成，因此需要耗費寶貴的機時；而編碼鍵盤雖然程序簡單且易于使用，但硬件比較復雜。因此，設計人員常常難以決定采用哪一類鍵盤。本文以GAL6002為例，介紹了一種用PLD器件來實現4X4鍵盤自動掃描去抖的編碼鍵盤電路及其設計方法。
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：yangbo69
微型51/AVR 編程器套件裝配說明書 請您在動手裝配這個編程器之前，務必先看完本說明書，避免走彎路。 1．收到套件后請對照元器件列表檢查一下，元件、配件是否齊全？ Used Part Type Designator ==== ================ ========== 1 1k R6 1 1uf 50V C11 5 2k2 R2 R3 R4 R5 R11 1 10K*8 RN1 2 11.0592MHZ Q1 Q2 1 12V,0.5W D2 2 15k R7 R8 2 21k R9 R10 4 33p C6 C7 C8 C9 1 47uf 25V C10 1 74HC164 IC6 2 78L05 IC4 IC5 1 100uf 25V C12 1 220R R1 1 AT89C51 IC2 1 B40C800(W02) D1 2 BS170 T1 T2 1 BS250 T3 1 DB9/F J2 1 J1X2 J1 1 LED GN5 D3 1 LM317L IC1 1 TLC2272 IC7 1 ZIF40 IC3 5 1uf C1 C2 C3 C4 C5 另外，套件配有1.5米串行電纜一根和配套的PCB一塊，不含電源。編程器使用的15V交流電源或12V直流電源需要自己配套。2．裝配要點：先焊接阻容元件，3個集成電路插座（IC2,IC7,IC6）其次是晶振， 全橋，穩壓IC 等，然后焊接J2,最后焊接T1,T2,T3三只場效應管。焊接場效應管時務必按照以下方法：拔去電烙鐵的電源，使用電烙鐵余溫去焊接三只場效應管，否則靜電很容易損壞管子。這是裝配成功的關鍵。這三只管子有問題，最典型的現象是不能聯機。由于電源插座封裝比較特殊，國內無法配套上，已改用電源線接線柱，可直接焊接在PCB板焊盤上，如下圖1所示（在下圖中兩個紅色圓圈內指示的焊盤），然后在連接到套件中配套的電源插座上。最近有朋友反映用15V交流比較麻煩，還要另外配變壓器。如果要使用12V的直流電，無需將全橋焊上，將兩個接線柱分別焊接在全橋的正負輸出位置的焊盤上即可，如下圖2所示，藍色圓圈內指示的焊盤，連接電源的時候要注意正負極，不要接錯了。方形焊盤是正極。40腳ZIF插座焊接前，應該將BR1飛線焊接好。注意：由于焊盤比較小，注意焊接溫度，不要高溫長時間反復焊接，會導致焊盤脫落。
上傳時間： 2013-12-31
上傳用戶：caiguoqing
容遲/容延網絡（Delay Tolerant Network/DTN）泛指由于節點移動、能量管理、調度等原因而出現頻繁中斷、甚至長時間處于中斷狀態的一類網絡。針對DTN具有的時延高、割裂頻繁、節點能量受限、以及節點移動性等特點，通過對DTN中基于復制策略的單播路由策略進行分類和比較，提出了如何優化DTN單播路由算法、提高網絡傳輸率的建議。
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：xiaojie
多入多出（MIMO）傳輸技術是第四代移動通信系統的關鍵技術之一，而小尺寸間隔下天線陣元間的互耦效應則是有可能影響MIMO系統性能的一個重要因素。文中首先研究分析了一種接近實際電波傳輸環境的、收發端皆存在散射體的雙散射MIMO信道傳輸模型，然后將天線互耦效應引入此MIMO傳輸系統；接下來通過建立多天線系統等效互耦效應網絡模型，推導了互耦效應影響下空間相關系數和信道容量表達式；最后通過計算機仿真研究了雙散射環境下天線陣元互耦對MIMO系統信道容量的影響。仿真實驗表明：雙散射環境下，互耦效應將降低MIMO系統信道容量。
上傳時間： 2014-12-29
上傳用戶：leyesome
特點 顯示值范圍-199999至999999位數 最高輸入頻率 5KHz 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能 輸入脈波具有預設刻度功能 定位基準值可任意設定 比較磁滯值可任意設定 數位化指撥設定操作簡易 3組繼電器輸出功能 2:主要規格 脈波輸入型式: Jump-pin selectable current sourcing(NPN) or current sinking (PNP) 脈波觸發電位: HI bias (CMOS) (VIH=7.5V, VIL=5.5V) LO bias (TTL) (VIH=3.7V, VIL=2.0V) 最高輸入頻率: <5KHz 定位置范圍: -199999 to 999999 second adjustabl 比較磁滯范圍: 0 to 9999 adjustable 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 顯示值范圍: -199999 to 999999 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 9.2mm (.36") 參數設定方式: Touch switches 感應器電源: 12VDC +/-3%(<60mA) 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2014-12-03
上傳用戶：xjz632
特點 精確度0.25%滿刻度 ±1位數 輸入配線系統可任意選擇 CT比可任意設定 具有異常電流值與異常次數記錄保留功能 電流過高或過低檢測可任意設定 報警繼電器復歸方式可任意設定 尺寸小,穩定性高 2.主要規格 輔助電源: AC110V&220V ±20%(50 or 60Hz) AC220V&440V ±20%(50 or 60Hz)(optional) 精確度: 0.25% F.S. ±1 digit 輸入負載: <0.2VA (Current) 最大過載能力 : Current related input: 2 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1 sec. 輸入電流范圍: AC0-5A (10-1000Hz) CT ratio : 1-2000 adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器磁滯范圍: 0-999 digit adjustable 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.276")(NO) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：wanghui2438
特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數 顯示范圍-19999-99999可任意規劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩定性高 分離式端子,配線容易 CE 認證 主要規格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數 : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：lhuqi
無論是自動應答機、護照/身份驗證設備，或者是便利店內的銷售點終端，都有一些重要信息，例如口令、個人身份識別號(PIN)、密鑰和專有加密算法等，需要特別保護以防失竊。金融服務領域采用了各種精細的策略和程序來保護硬件和軟件。因此，對于金融交易系統的設計者來講，在他設計一個每年要處理數十億美元業務的設備時，必將面臨嚴峻挑戰。為確保可信度，一個支付系統必須具有端到端的安全性。中央銀行的服務器通常放置在一個嚴格限制進入的建筑物內，周圍具有嚴密的保護，但是遠端的支付終端位于公共場所，很容易遭受竊賊侵襲。盡管也可以將微控制器用保護外殼封閉起來，并附以防盜系統，一個有預謀的攻擊者仍然可以切斷電源后突破防盜系統。外殼可以被打開，如果將外殼與微控制器的入侵響應加密邊界相聯結，對于安全信息來講就增加了一道保護屏障。為了實現真正的安全性，支付系統應該將入侵響應技術建立在芯片內部，并使用可以信賴的運算內核。這樣，執行運算的芯片在發生入侵事件時就可以迅速刪除密鑰、程序和數據存儲器，實現對加密邊界的保護1。安全微控制器最有效的防護措施就是，在發現入侵時迅速擦除存儲器內容。DS5250安全型高速微控制器就是一個很好的典范，它不僅可以擦除存儲器內容，而且還是一個帶有SRAM程序和數據存儲器的廉價的嵌入式系統。物理存儲器的信心保證多數嵌入式系統采用的是通用計算機，而這些計算機在設計時考慮更多的是靈活性和調試的便利性。這些優點常常又會因引入安全缺口而成為其缺陷2。竊賊的首個攻擊點通常是微控制器的物理存儲器，因此，對于支付終端來講，采用最好的存儲技術尤其顯得重要。利用唾手可得的邏輯分析儀，例如Hewlett-Packard的HP16500B，很容易監視到地址和數據總線上的電信號，它可能會暴露存儲器的內容和私有數據，例如密鑰。防止這種竊聽手段最重要的兩個對策是，在存儲器總線上采用強有力的加密措施，以及選擇在沒有電源時也能迅速擦除的存儲技術。有些嵌入式系統試圖采用帶內部浮置柵存儲器(例如EPROM或閃存)的微控制器來獲得安全性。最佳的存儲技術應該能夠擦除其內容，防止泄密。但紫外可擦除的EPROM不能用電子手段去擦除，需要在紫外燈光下照射數分鐘才可擦除其內容，這就增加了它的脆弱性。閃存或EEPROM要求處理器保持工作，并且電源電壓在規定的工作范圍之內，方可成功完成擦除。浮置柵存儲技術對于安全性應用來講是很壞的選擇，當電源移走后，它們的狀態會無限期地保持，給竊賊以無限長的時間來找尋敏感數據。更好的辦法是采用象SRAM這樣的存儲技術，當電源被移走或入侵監測電路被觸發時以下述動作之一響應：• 當電源被移走后存儲器復零。• 入侵監測電路在數納秒內擦除內部存儲器和密鑰。• 外部存儲器在應用軟件的控制下以不足100ns的寫時間進行擦除。
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dick_sh
