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本書完整的說明與充分的網路支援，可以使讀者能充分地掌握MATLAB的脈動，擁有解決工程問題的最佳利器,21-29章
標簽： 分
上傳時間： 2014-01-21
上傳用戶：fxf126@126.com
安裝 winxp sp3 後，我的電腦右鍵無法開啟裝置管理員與服務的問題解決
標簽： winxp sp3
上傳時間： 2016-11-21
上傳用戶：siguazgb
本文件雖已力求正確，然而無法保證所有操作／設定範例， 都可以順利的在您的系統上面進行。 如果您依 照本文件的說明而使您的系統發生任何問題或損失， 作者都將不負任何責任。 希望由於本文的出現，能大量減少在網路上一再重複出現的問題："為 什麼我不能輸入/看到中文?"，"為什 麼我 xxxx 裝不起來?" 等等。 雖然我也了解這是不太可能的...
標簽： 正
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：wang5829
I2C slave可以作動，請使用 如果有問題請再讓我知道,Thank you
標簽： slave I2C
上傳時間： 2016-12-19
上傳用戶：zm7516678
二元搜尋樹簡單易懂，不過有一個問題：它並非平衡樹。本章將介紹平衡的 AVL 搜尋樹，討論它的資料結構、函式，並設計程式使用它。
標簽： 二元
上傳時間： 2017-05-30
上傳用戶：yzy6007
vbsql學習源碼，適合一般初學者，如有問題，麻煩請指教一下
標簽： vbsql
上傳時間： 2017-07-04
上傳用戶：himbly
這是個prolog程式，能解決4x4的數獨問題 例： ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]
標簽： prolog 程式
上傳時間： 2017-07-21
上傳用戶：rocwangdp
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程 的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些 可靠度的問題。
標簽： ESD_Technology
Pro_ENGINEER應用技巧100問 .PDF
標簽： Pro_ENGINEER 100
上傳時間： 2013-06-26
上傳用戶：eeworm
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