PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setuppadsstacks
上傳時間: 2013-10-22
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間: 2014-01-20
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電路如果存在不穩(wěn)定性因素,就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz
標簽: LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時間: 2014-12-24
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XL4016高效率,大電流,單片集成降壓型開關(guān)電源芯片,測試板加芯片資料
上傳時間: 2014-12-24
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單片開關(guān)電源設(shè)計
標簽: 單片開關(guān) 電源 應(yīng)用技術(shù)
上傳時間: 2013-10-27
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單片開關(guān)電源設(shè)計與應(yīng)用
標簽: 單片開關(guān) 電源設(shè)計
上傳時間: 2013-11-14
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單片開關(guān)電源
標簽: 單片開關(guān) 電源
上傳時間: 2013-12-23
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介紹了一種具有多路輸出的單端反激式開關(guān)電源的設(shè)計方法,給出了利用單片開關(guān)電源集成芯片TOP243Y的電源設(shè)計實例,對外圍輸入EMI濾波電路、鉗位電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路等部分的設(shè)計過程進行了詳細的分析和說明,并對設(shè)計樣機進行組裝和調(diào)試。
上傳時間: 2013-10-27
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單片開關(guān)電源設(shè)計實例
標簽: 單片開關(guān) 電源 設(shè)計實例
上傳時間: 2013-11-22
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+12V、0.5A單片開關(guān)穩(wěn)壓電源,其輸出功率為6W。當輸入交流電壓在110~260V范圍內(nèi)變化時,電壓調(diào)整率Sv≤1%。當負載電流大幅度變化時,負載調(diào)整率SI=5%~7%。
標簽: 0.5 12 單片開關(guān) 穩(wěn)壓電源電路
上傳時間: 2014-12-24
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