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單片機(jī)外圍器件

8 KEYS 高抗干擾并防水+省電電容式觸摸按鍵VK3708BM SOP16

一．產(chǎn)品描述提供8個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，二進(jìn)制(BCD)編碼輸出，具有一個(gè)按鍵承認(rèn)輸出的顯示，按鍵後的資料會(huì)維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài)。提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二．產(chǎn)品特色 1.工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流： 3mA (正常模式)；15 uA (休眠模式) @5V 3. 8 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4.持續(xù)無(wú)按鍵 4 秒，進(jìn)入休眠模式 5. 提供二進(jìn)制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 6. 按鍵後離開，輸出狀態(tài)會(huì)維持到下次按鍵才會(huì)改變。 7. 提供按鍵承認(rèn)有效輸出，當(dāng)有按鍵時(shí)輸出低電平，無(wú)按鍵為高電平。 8. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 9. 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 10. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力三．產(chǎn)品應(yīng)用各種大小家電，娛樂(lè)產(chǎn)品四．功能描述 1.VK3708BM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過(guò) 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請(qǐng)接地，避免太過(guò)靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)。聯(lián)系人：許碩 QQ：191 888 5898 聯(lián)系電話：188 9858 2398（微信）

標(biāo)簽： KEYS 3708 SOP 16 BM VK 抗干擾防水省電

上傳時(shí)間： 2019-08-08

上傳用戶：szqxw1688
ARM SoC體系結(jié)構(gòu)

內(nèi)容簡(jiǎn)介介紹了一般微處押器核鮒設(shè)計(jì)原理、基于微處邦器核的SoC設(shè)計(jì)的其本機(jī)念甜方法,通過(guò)對(duì)ARM系列處理器核和 CPU核的詳小描述,說(shuō)明微處理器及外接口的設(shè)計(jì)原理和方法。同時(shí)也綜述了ARM系列她理器核和最新ARM核的研發(fā)戰(zhàn)果以政ARM和Thmb踹積模型,對(duì)SC設(shè)計(jì)中涉及到的行儲(chǔ)器層次、 Cache存儲(chǔ)器管誣、片上總線片|:調(diào)和產(chǎn)品測(cè)試等主要間黥進(jìn)行了論述。在此基礎(chǔ)上給出了幾個(gè)基于ARM核的SoC嵌人式應(yīng)用的實(shí)例。最后對(duì)基于異步設(shè)計(jì) 的ARM核 AMCLET及異步SUC子系統(tǒng) AMUlET3打的研究進(jìn)行了介紹木書的特點(diǎn)是將基于ARM微處理器核的SC設(shè)計(jì)和實(shí)際恢人式系統(tǒng)的應(yīng)用集成于一體,對(duì)于基于ARM核的S設(shè)計(jì) 和嵌λ式系統(tǒng)開發(fā)者來(lái)說(shuō)是一本很好的參考手冊(cè)?？捎米饔?jì)算機(jī)科學(xué)拉術(shù)與應(yīng)用電氣T程、電∫科學(xué)與技術(shù)專業(yè)科牛及碩研究生的教材,也可作為從事集成電路設(shè)計(jì)的[程技術(shù)人員、于ARM的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)技術(shù)入員的參考書。

標(biāo)簽： ARM SoC

上傳時(shí)間： 2020-04-02

上傳用戶：hongpixiaozhu
功率半導(dǎo)體器件———原理特性和可靠性

本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶閘管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。此外，還包含了制造工藝、測(cè)試技術(shù)和損壞機(jī)理分析。就其內(nèi)容的全面性和結(jié)構(gòu)的完整性來(lái)說(shuō)，在同類專業(yè)書籍中是不多見的。本書內(nèi)容新穎，緊跟時(shí)代發(fā)展，除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外，還重點(diǎn)介紹了MOSFET、 IGBT 等現(xiàn)代功率器件，頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的最新的成果。本書是一本精心編著，并根據(jù)作者多年教學(xué)經(jīng)驗(yàn)和工程實(shí)踐不斷補(bǔ)充更新的好書，相信它的翻譯出版，必將有助于我國(guó)電力電子事業(yè)的發(fā)展。本書的讀者對(duì)象包括在校學(xué)生、功率器件設(shè)計(jì)制造和電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書，亦可被電力電子學(xué)界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。

標(biāo)簽： 功率半導(dǎo)體器件

上傳時(shí)間： 2021-11-07

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AT89S52單片機(jī)主8入8出繼電器工控主板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件

AT89S52單片機(jī)主8入8出繼電器工控主板ALTIUM設(shè)計(jì)硬件原理圖+PCB文件,2層板設(shè)計(jì)，大小為121x149mm，Altium Designer 設(shè)計(jì)的工程文件，包括完整的原理圖及PCB文件，可以用Altium(AD)軟件打開或修改，可作為你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。主要器件型號(hào)列表如下：Library Component Count : 25Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24LC02AJKG 按鍵開關(guān)AT89S52-P 8 位微處理器/40引腳CAP CapacitorCAPACITOR POL CapacitorCPDR 瓷片電容CRYSTAL CrystalD Connector 9 Receptacle Assembly, 9 Position, Right AngleDG 電感DJDR 電解電容GO 光耦Header 5X2 Header, 5-Pin, Dual rowJDQYCK 繼電器——1常開1常閉LED 發(fā)光二極管LM2576HVT-3.3 Simple Switcher 3A Step Down Voltage RegulatorMAX232 NPN NPN Bipolar TransistorPZ_2 排針——2PZ_3 排針——3RES2Res 電阻Res PZ_8 8位排阻SW-DPST Double-Pole, Single-Throw SwitchWY2JG 穩(wěn)壓二級(jí)管ZL2JG 整流二極管

標(biāo)簽： at89s52 繼電器

上傳時(shí)間： 2021-11-17

上傳用戶：kingwide
第三代半導(dǎo)體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)

作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮化鎵 (G a N )材料具有優(yōu) 異的物理特性，非常適合于制作高溫、高速和大功率電子器件，具有十分廣闊的市場(chǎng)前景。 S i襯底上 G a N 基功率開關(guān) 器件是目前的主流技術(shù) 路線，其中結(jié) 型柵結(jié) 構(gòu) （p 型柵）和共源共柵級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的常關(guān) 型器件已經(jīng) 逐步實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化，并在通用電源及光伏逆變等領(lǐng) 域得到應(yīng) 用。但是鑒于以上兩種器件結(jié) 構(gòu) 存在的缺點(diǎn) ，業(yè) 界更加期待能更充分發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用化，仍然面臨著在材料外延方面和器件穩(wěn) 定性方面的挑戰(zhàn) 。

標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開關(guān)器件

上傳時(shí)間： 2021-12-08

上傳用戶：XuVshu
一博科技PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)書VER1.0. 66頁(yè)

一博科技PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)書VER1.0. 66頁(yè)常見信號(hào)介紹 1.1 數(shù)字信號(hào) 1.1.1 CPU 常稱處理器，系統(tǒng)通過(guò)數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線實(shí)現(xiàn)處理器、控制芯片、存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交換。地址總線：ADD* （如：ADDR1）數(shù)據(jù)總線：D* （如：SDDATA0）控制總線：讀寫信號(hào)（如：WE_N），片選信號(hào)（如：SDCS0_N），地址行列選擇信號(hào)（如：SDRAS_N），時(shí)鐘信號(hào)（如：CLK），時(shí)鐘使能信號(hào)（如：SDCKE）等。與CPU對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是SDRAM，以及速率較高的DDR存儲(chǔ)器： SDRAM：是目前主推的PC100和PC133規(guī)范所廣泛使用的內(nèi)存類型，它的帶寬為64位，支持3.3V電壓的LVTTL，目前產(chǎn)品的最高速度可達(dá)5ns。它與CPU使用相同的時(shí)鐘頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時(shí)間。 SDRAM與時(shí)鐘完全同步。 DDR：速率比SDRAM高的內(nèi)存器，可達(dá)到800M，它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s。它的地址與其它控制界面與SDRAM相同，支持2.5V/1.8V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn). 阻抗控制在50Ω±10 ％. 利用時(shí)鐘的邊緣進(jìn)行數(shù)據(jù)傳送的，速率是SDRAM的兩倍. 其時(shí)鐘是采用差分方式。 1.1.2 PCI PCI總線：PCI總線是一種高速的、32/64位的多地址/數(shù)據(jù)線，用于控制器件、外圍接口、處理器/存儲(chǔ)系統(tǒng)之間進(jìn)行互聯(lián)。PCI 的信號(hào)定義包括兩部份(如下圖)：必須的(左半部份)與可選的（右半部份）。其中“# ”代表低電平有效。

標(biāo)簽： pcb設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2022-02-06

上傳用戶：得之我幸78
基于MSP430單片機(jī)及FPGA的簡(jiǎn)易數(shù)字示波器

數(shù)字示波器功能強(qiáng)大,使用方便,但是價(jià)格相對(duì)昂貴。本文以Ti的MSP430F5529為主控器,以Altera公司的EP2C5T144C8 FPGA器件為邏輯控制部件設(shè)計(jì)數(shù)字示波器。模擬信號(hào)經(jīng)程控放大、整形電路后形成方波信號(hào)送至FPGA測(cè)頻,根據(jù)頻率值選擇采用片上及片外高速AD分段采樣。FPGA控制片外AD采樣并將數(shù)據(jù)輸入到FIFO模塊中緩存,由單片機(jī)進(jìn)行頻譜分析。測(cè)試表明:簡(jiǎn)易示波器可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)選檔、多采樣率采樣、高精度測(cè)頻及頻譜分析等功能。Digital oscilloscope is powerful and easy to use, but also expensive. The research group designed a low-cost digital oscilloscope, the chip of MSP430F5529 of TI is chosen as the main controller and the device of EP2C5T144C8 of Altera company is used as the logic control unit. Analog signal enter the programmable amplifier circuit, shaping circuit and other pre-processing circuit. The shaped rectangular wave signal is sent to FPGA for measure the frequency. According to the frequency value to select AD on-chip or off-chip high-speed AD for sampling. FPGA controls the off-chip AD sampling and buffers AD data by FIFO module. The single chip microcomputer receives the data, and do FFT for spectrum analysis. The test shows that the simple oscilloscope can realize automatic gain selection, sampling at different sampling rates, high precision frequency measurement and spectrum analysis.

標(biāo)簽： msp430 單片機(jī) fpga 數(shù)字示波器

上傳時(shí)間： 2022-03-27

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PSOC4入門.

PSoC 4是真正的可編程嵌入式片上系統(tǒng)，在同一芯片中集成了自定義的模擬和數(shù)字外設(shè)功能、存儲(chǔ)器以及ARM Cortex-MO微控制器這樣的系統(tǒng)和大部分混合信號(hào)嵌入式系統(tǒng)不完全一樣，它們使用了一個(gè)微控制器單元（MCU）和外部模擬和數(shù)字外設(shè)的組合。除MCU外，通常它還需要多個(gè)集成電路，如運(yùn)算放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）和應(yīng)用特定的集成電路（ASIC）PSoC 4提供了一個(gè)低成本的備用方案-批量生產(chǎn)中一般低于一美元一該方案可以替代一般的MCU加外部集成電路（IC）的組合方案。它的可編程模擬和數(shù)字子系統(tǒng)不僅可以降低整個(gè)系統(tǒng)成本，而且還支持極為靈活地調(diào)整設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品快速上市。PSoC 4的一流的功耗性能可以在仍保持SRAM數(shù)據(jù)、可編程邏輯以及響應(yīng)中斷喚醒的前提下僅消耗低達(dá)150 nA的電流。在非數(shù)據(jù)保持的電源模式，PSoC 4僅消耗20 nA的電流。PSoC 4中的電容式觸摸感應(yīng)特性，稱為CapSense"，能提供前所未有的信噪比、一流的防水性能以及支持各種類型的傳感器，如按鍵、滑條、觸控板和接近傳感器。除PSoC4外，賽普拉斯PSoC系列還包括PSoC 1，PSoC 3和PSoC 5LP.這些器件提供了不同的架構(gòu)和外設(shè)，更多有關(guān)的信息，請(qǐng)參見賽普拉斯平臺(tái)PSoC解決方案的路線圖PSoC 4系列的比較PSoC4包括下面三個(gè)器件系列：CYBC4000，CY8C4100以及CY8C4200，表1顯示的是這些器件具有的特性。PSoC 4的功能集PSoC 4具有一個(gè)很大的功能集，包括：一個(gè)CPU和存儲(chǔ)器子系統(tǒng)、一個(gè)數(shù)字子系統(tǒng)、一個(gè)模擬子系統(tǒng)以及全部系統(tǒng)資源，如圖1所示。下面各節(jié)對(duì)每個(gè)特性進(jìn)行了簡(jiǎn)要說(shuō)明，更多有關(guān)信息，請(qǐng)查看PSoC 4的參考資源一節(jié)中所列出的PSoC 4系列器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)、技術(shù)參考手冊(cè)（TRM）以及應(yīng)用筆記.圖1顯示的是CY8C4200器件系列的各項(xiàng)特性。對(duì)于其他器件系列具備的這些特性的子集，請(qǐng)參考第2頁(yè)上的表1.

標(biāo)簽： psoc4

上傳時(shí)間： 2022-05-29

上傳用戶：trh505
超聲波電機(jī)之設(shè)計(jì)及分析

1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz，超音波（Ultrasonic wave）即爲(wèi)頻率超過(guò)20KHz以上的音波或機(jī)械振動(dòng)，因此超音波馬達(dá)就是利用超音波的彈性振動(dòng)頻率所構(gòu)成的制動(dòng)力。超音波馬達(dá)的內(nèi)部主要是以壓電陶瓷材料作爲(wèi)激發(fā)源，其成份是由鉛（Pb）、結(jié)（Zr）及鈦（Ti）的氧化物皓鈦酸鉛（Lead zirconate titanate，PZT）製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體，如銅或不銹鋼，並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲(wèi)驅(qū)動(dòng)源，以激振彈性體，稱此結(jié)構(gòu)爲(wèi)定子（Stator），將其用彈簧與轉(zhuǎn)子Rotor）接觸，將所産生摩擦力來(lái)驅(qū)使轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動(dòng)，由於壓電材料的驅(qū)動(dòng)能量很大，並足以抗衡轉(zhuǎn)子與定子間的正向力，雖然伸縮振幅大小僅有數(shù)徵米（um）的程度，但因每秒之伸縮達(dá)數(shù)十萬(wàn)次，所以相較於同型的電磁式馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)能量要大的許多。超音波馬達(dá)的優(yōu)點(diǎn)爲(wèi)：1，轉(zhuǎn)子慣性小、響應(yīng)時(shí)間短、速度範(fàn)圍大。2，低轉(zhuǎn)速可產(chǎn)生高轉(zhuǎn)矩及高轉(zhuǎn)換效率。3，不受磁場(chǎng)作用的影響。4，構(gòu)造簡(jiǎn)單，體積大小可控制。5，不須經(jīng)過(guò)齒輸作減速機(jī)構(gòu)，故較爲(wèi)安靜。實(shí)際應(yīng)用上，超音波馬達(dá)具有不同於傳統(tǒng)電磁式馬達(dá)的特性，因此在不適合應(yīng)用傳統(tǒng)馬達(dá)的場(chǎng)合，例如：間歇性運(yùn)動(dòng)的裝置、空間或形狀受到限制的場(chǎng)所；另外包括一些高磁場(chǎng)的場(chǎng)合，如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來(lái)在自動(dòng)化設(shè)備、視聽音響、照相機(jī)及光學(xué)儀器等皆可應(yīng)用超音波馬達(dá)來(lái)取代。

標(biāo)簽： 超聲波電機(jī)

上傳時(shí)間： 2022-06-17

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單片型汽車電子電壓調(diào)節(jié)器芯片設(shè)計(jì)

隨著微電子技術(shù)在汽車控制系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用，汽車總成中電子系統(tǒng)的作用顯得越來(lái)越重要，這種發(fā)展態(tài)勢(shì)對(duì)汽車發(fā)電系統(tǒng)提出了更高的要求。汽車電壓調(diào)節(jié)器是汽車發(fā)電系統(tǒng)的心臟部件，優(yōu)質(zhì)的電壓調(diào)節(jié)器是保證汽車電子系統(tǒng)高可靠性的重要前提。本文通過(guò)對(duì)大量電子電壓調(diào)節(jié)器的分析，提出了新的電壓調(diào)節(jié)器電路。在調(diào)節(jié)器的具體實(shí)現(xiàn)形式上采用單芯片集成方式，使其在電壓調(diào)節(jié)精度、體積、重量及耐振性等方面均優(yōu)于普通電子電壓調(diào)節(jié)器。文中還詳細(xì)分析了電壓調(diào)節(jié)器的的工作原理和電路結(jié)構(gòu)，分塊設(shè)計(jì)了芯片內(nèi)部各個(gè)功能模塊，包括取樣電路、電壓基準(zhǔn)源、誤差放大器、保護(hù)電路和調(diào)整晶體管，給出所有晶體管級(jí)電路圖，并對(duì)各功能模塊進(jìn)行Spice模擬驗(yàn)證，模擬的結(jié)果及分析也一并給出。最后根據(jù)元器件在電路中的作用確定器件單元版圖結(jié)構(gòu)，并介紹了版圖設(shè)計(jì)過(guò)程關(guān)鍵詞：汽車電子；調(diào)節(jié)器；調(diào)整管：雙極工藝汽車工業(yè)是一種高度綜合性的產(chǎn)業(yè)?，F(xiàn)代汽車的發(fā)展形成了以計(jì)算機(jī)為頂端，半導(dǎo)體元器件為基礎(chǔ)，光電測(cè)試為手段，集成電路為原料的新格局。近幾年以來(lái)電子點(diǎn)火，電子顯示，數(shù)字檢測(cè)，電子轉(zhuǎn)向，電子鐘，電子音響，電磁操縱，空調(diào)等電子產(chǎn)品在我國(guó)汽車上得到了很大的發(fā)展和應(yīng)用[2]，這種發(fā)展態(tài)勢(shì)對(duì)汽車發(fā)電系統(tǒng)提出了更高的要求，具體地說(shuō)，用電系統(tǒng)不僅需要更大的供電能力，而且要求有更高的供電可靠性和供電質(zhì)量。作為一個(gè)能滿足這些要求的發(fā)電系統(tǒng)，除了高性能的發(fā)電機(jī)及可靠的整流裝置外，還必需配備有高品質(zhì)的電壓調(diào)節(jié)器。為此，國(guó)內(nèi)外有關(guān)研究機(jī)構(gòu)及學(xué)者十分重視新型電子電壓調(diào)節(jié)器的研究與開發(fā).汽車發(fā)電系統(tǒng)的工作環(huán)境十分惡劣。相應(yīng)地，對(duì)作為其關(guān)鍵部件之一的電壓調(diào)節(jié)器的要求也很高。除要求電壓調(diào)節(jié)器具有優(yōu)良的電壓調(diào)節(jié)性能外，還有許多特殊的要求，如強(qiáng)的耐震性，寬的工作溫度范圍，耐化學(xué)腐蝕以及能承受超負(fù)荷狀態(tài)下的高壓、大電流沖擊等.

標(biāo)簽： 汽車電子電壓調(diào)節(jié)器

上傳時(shí)間： 2022-06-19

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