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單片機(jī)擴(kuò)展

美國機(jī)械工程師手冊英文原版

·詳細(xì)說明：美國機(jī)械工程師手冊英文原版內(nèi)有大量PDF文件可供閱讀可以給你很大提高

標(biāo)簽： 工程手冊英文

上傳時間： 2013-06-17

上傳用戶：eclipse
快速了解FPGA/SOPC（可編程片上系統(tǒng)）開發(fā)的流程

作為一個簡明的教程，主要宗旨是讓初學(xué)者快速地了解FPGA/SOPC（可編程片上系統(tǒng)）開發(fā)的流程。

標(biāo)簽： FPGA SOPC 可編程片上系統(tǒng) 流程

上傳時間： 2013-08-09

上傳用戶：hphh
FPGA/SOPC開發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門教程

FPGA/SOPC開發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門教程

標(biāo)簽： FPGA SOPC 開發(fā)教程片上系統(tǒng)

上傳時間： 2013-08-12

上傳用戶：redmoons
用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī)

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī) 實現(xiàn)雙機(jī)通信（雙向，并帶反饋）。開發(fā)環(huán)境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼，還有用PROTEUS作的仿真圖。

標(biāo)簽： ATmega AVR 16 單片機(jī)

上傳時間： 2013-09-27

上傳用戶：m62383408
基于BCB鍵合的MEMS加速度計圓片級封裝工藝

　　對基于BCB的圓片級封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發(fā)展趨勢，是MEMS加速度計產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗，解決了圓片級封裝問題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實現(xiàn)了加速度計的圓片級封裝，并對相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

標(biāo)簽： MEMS BCB 鍵合加速度計

上傳時間： 2013-11-17

上傳用戶：JasonC
ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

標(biāo)簽： 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：wushengwu
PADS制作鍋仔片解析

在PADS中鍋仔片的制作方法

標(biāo)簽： PADS

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：michael20
展訊PCB_Layout教程

展訊PCB_Layout教程

標(biāo)簽： PCB_Layout 展訊教程

上傳時間： 2013-10-17

上傳用戶：哈哈hah
一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進(jìn)行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無片外電容穩(wěn)定性分析

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：wangjin2945
XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片，測試板加芯片資料

標(biāo)簽： 4016 XL 高效率大電流

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：Shaikh