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單總線技術(shù)(shù)

  • PCB抄板密技

    第一步,拿到一塊PCB,首先在紙上記錄好所有元氣件的型號,參數(shù),以及位置,尤其是二極管,三機(jī)管的方向,IC缺口的方向。最好用數(shù)碼相機(jī)拍兩張元氣件位置的照片。第二步,拆掉所有器件,并且將PAD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈,然后放入掃描儀內(nèi),啟動POHTOSHOP,用彩色方式將絲印面掃入,并打印出來備用。第三步,用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨,打磨到銅膜發(fā)亮,放入掃描儀,啟動PHOTOSHOP,用彩色方式將兩層分別掃入。注意,PCB在掃描儀內(nèi)擺放一定要橫平樹直,否則掃描的圖象就無法使用。第四步,調(diào)整畫布的對比度,明暗度,使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對比強(qiáng)烈,然后將次圖轉(zhuǎn)為黑白色,檢查線條是否清晰,如果不清晰,則重復(fù)本步驟。如果清晰,將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步,將兩個BMP格式的文件分別轉(zhuǎn)為PROTEL格式文件,在PROTEL中調(diào)入兩層,如過兩層的PAD和VIA的位置基本重合,表明前幾個步驟做的很好,如果有偏差,則重復(fù)第三步。第六,將TOP。BMP轉(zhuǎn)化為TOP。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在TOP層描線就是了,并且根據(jù)第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步,將BOT。BMP轉(zhuǎn)化為BOT。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步,在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調(diào)入,合為一個圖就OK了。第九步,用激光打印機(jī)將TOP LAYER, BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上(1:1的比例),把膠片放到那塊PCB上,比較一下是否有誤,如果沒錯,你就大功告成了。

    標(biāo)簽: PCB 抄板

    上傳時間: 2013-11-24

    上傳用戶:ynzfm

  • 傳輸線與電路觀點詳解

      •1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

    標(biāo)簽: 傳輸線 電路

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:fhzm5658

  • 傳輸線理論與阻抗匹配

    傳輸線理論與阻抗匹配 傳輸線理論

    標(biāo)簽: 傳輸線 阻抗匹配

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:squershop

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:372825274

  • 電工36“技”:計算方法、計算實例

    電氣人員應(yīng)該具備的最基本知識

    標(biāo)簽: 電工 計算方法 計算

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:jkhjkh1982

  • 開放式PAC系統(tǒng)設(shè)計與開發(fā)

    一、PAC的概念及軟邏輯技術(shù)二、開放型PAC系統(tǒng)三、應(yīng)用案例及分析四、協(xié)議支持及系統(tǒng)架構(gòu)五、軟件編程技巧&組態(tài)軟件的整合六、現(xiàn)場演示&上機(jī)操作。PAC是由ARC咨詢集團(tuán)的高級研究員Craig Resnick提出的,定義如下:具有多重領(lǐng)域的功能,支持在單一平臺里包含邏輯、運(yùn)動、驅(qū)動和過程控制等至少兩種以上的功能單一開發(fā)平臺上整合多規(guī)程的軟件功能如HMI及軟邏輯, 使用通用標(biāo)簽和單一的數(shù)據(jù)庫來訪問所有的參數(shù)和功能。軟件工具所設(shè)計出的處理流程能跨越多臺機(jī)器和過程控制處理單元, 實現(xiàn)包含運(yùn)動控制及過程控制的處理程序。開放式, 模塊化構(gòu)架, 能涵蓋工業(yè)應(yīng)用中從工廠的機(jī)器設(shè)備到過程控制的操作單元的需求。采用公認(rèn)的網(wǎng)絡(luò)接口標(biāo)準(zhǔn)及語言,允許不同供應(yīng)商之設(shè)備能在網(wǎng)絡(luò)上交換資料。

    標(biāo)簽: PAC 開放式 系統(tǒng)設(shè)計

    上傳時間: 2014-01-14

    上傳用戶:JGR2013

  • 微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng))

    微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng)) 特點: 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 單相交流 單相 電表

    上傳時間: 2015-01-03

    上傳用戶:幾何公差

  • 3位數(shù)盤面式交直流電壓表(無電源式)(24*48mm)

    特點 精確度0.1%滿刻度±1位數(shù) 可直接量測交直流電壓(AC/DC 20~265V)無需另接電源 精密濾波整流,均方根值校正 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性 分離式端子,配線容易 CE認(rèn)證

    標(biāo)簽: 24 48 mm 交直流

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:gaome

  • 常規(guī)風(fēng)華中高壓產(chǎn)品承認(rèn)書

    電容器及介質(zhì)種類: ※高頻類: 此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅰ類電容器,包括通用型高頻COG、COH電容器和溫度補(bǔ)償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。其中COG、COH電容器電性能最穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化,適用于低損耗,穩(wěn)定性要求高的高頻電路,HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應(yīng)變化,適用于低損耗、溫度補(bǔ)償型電路中。 ※ X7R、X5R:此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅱ類電容器,具有較高的介電常數(shù),容量比Ⅰ類電容器高,具有較穩(wěn)定的溫度特性,適用于容量范圍廣,穩(wěn)定性要求不高的電路中,如隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。 ※Y5V:此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅱ類電容器,是所有電容器中介電常數(shù)最大的電容器,但其容量穩(wěn)定性較差,對溫度、電壓等條件較敏感,適用于要求大容量,溫度變化不大的電路中。 ※Z5U:此類介質(zhì)材料的電容器為Ⅱ類電容器,其溫度特性介于X7R和Y5V之間,容量穩(wěn)定性較差,對溫度、電壓等條件較敏感,適用于要求大容量,使用溫度范圍接近于室溫的旁路,耦合等,低直流偏壓的電路中。

    標(biāo)簽: 風(fēng)華 產(chǎn)品承認(rèn)書

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:后時代明明

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    標(biāo)簽: softwarechn server foxpro script

    上傳時間: 2013-12-06

    上傳用戶:c12228

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