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單點(diǎn)登錄

通過提升性能來縮減太陽能電池板的尺寸

本設(shè)計要點介紹了兩款能夠增加太陽能電池板接收能量的簡單電路。在這兩款電路中，均由太陽能電池板給電池充電，再由電池在沒有陽光照射的情況下提供應(yīng)用電路運作所需的電源。

標(biāo)簽： 性能減太陽能電池板尺寸

上傳時間： 2013-11-16

上傳用戶：KSLYZ
N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達的國家，各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

標(biāo)簽： 熱插拔模塊并聯(lián) 應(yīng)用前景

上傳時間： 2014-03-24

上傳用戶：alan-ee
51單片機串口發(fā)N字節(jié)

適用于51單片機的串口發(fā)n

標(biāo)簽： 51單片機串口字節(jié)

上傳時間： 2014-12-25

上傳用戶：qingzhuhu
一種用N+1條線實現(xiàn)矩陣鍵盤

89c51一種用N+1條線實現(xiàn)矩陣鍵盤

標(biāo)簽： 矩陣鍵盤

上傳時間： 2014-12-26

上傳用戶：lhw888
pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗

PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時間： 2013-11-17

上傳用戶：cjf0304
pcb layout規(guī)則

LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點 (光學(xué)點) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU

標(biāo)簽： layout pcb

上傳時間： 2013-10-29

上傳用戶：1234xhb
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)）

微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)）特點：精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點可任意設(shè)定瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格：精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標(biāo)簽： 微電腦單相交流單相電表

上傳時間： 2015-01-03

上傳用戶：幾何公差
C51編寫對SST 之FLASH操作源代碼,用單片機實現(xiàn)對SST39VF040的操作

C51編寫對SST 之FLASH操作源代碼,用單片機實現(xiàn)對SST39VF040的操作

標(biāo)簽： SST FLASH C51 040

上傳時間： 2015-01-04

上傳用戶：84425894